The present invention relates to the field of semiconductor technology, especially relates to a lithographic tube road design, including: photoresist container, placed in a temperature controlled chamber; the photoresist container includes an air inlet and a glue outlet, inlet for gas will pass into the photoresist in the container from the glue outlet pressure; a first pipeline. Plastic containers are connected to the photoresist mouth, a stored container, a filter, a proximal container, a pump and a nozzle; the first second pipeline pipe package, second pipe used in the heating medium to heat the first pipeline; the beneficial effect of the technical scheme is: can improve the validity of photoresist in does not affect the photoresist coating at the same time.
【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶管路设计
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种光刻胶管路设计。
技术介绍
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。光刻胶价格昂贵且有效期短,有效期一般只有6个月,而一些特殊的光刻用胶,如某些片上系统填充材料,在常温下只有10天的有效期。光刻胶是在冷藏或冷冻环境中存储和运输,但在作业过程中却是在常温下储存在机台内。某些机台该胶跑货少或只是用于实验时,这瓶胶在常温下将使用很长时间。长时间暴露在常温下,光刻胶会出现微粒增多、感光度下降、聚合物增加等情况,在晶圆上作业时造成能量变化、缺陷增多。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提出了一种光刻胶管路设计,其特征在于,应用于光刻胶涂布机中;包括:光刻胶容器,放置于一温度控制室内;所述光刻胶容器包括一进气口和一出胶口,所述进气口用于通入气体将所述光刻胶容器内的光刻胶从所述出胶口压出;第一管道,依次连接所述光刻胶容器的出胶口、一预存容器、一过滤器、一近端容器、一泵以及一喷头;所述第一管道外包裹有第二管道,所述第二管道用于通入加热介质对所述第一管道进行加热。上述的光刻胶管路设计,其中,所述第二管道具有一第一包围结构段,所述第一包围结构段包围所述预存容器。上述的光刻胶管路设计,其中,还包括:加热装置,邻近所述预存容器和/或所述第一包围结构段设置,用于对所述预存容器和/或所述第一包围结构段进行加热。上述的光刻胶管路 ...
【技术保护点】
一种光刻胶管路设计,其特征在于,应用于光刻胶涂布机中;包括:光刻胶容器,放置于一温度控制室内;所述光刻胶容器包括一进气口和一出胶口,所述进气口用于通入气体将所述光刻胶容器内的光刻胶从所述出胶口压出;第一管道,依次连接所述光刻胶容器的出胶口、一预存容器、一过滤器、一近端容器、一泵以及一喷头;所述第一管道外包裹有第二管道,所述第二管道用于通入加热介质对所述第一管道进行加热。
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶管路设计,其特征在于,应用于光刻胶涂布机中;包括:光刻胶容器,放置于一温度控制室内;所述光刻胶容器包括一进气口和一出胶口,所述进气口用于通入气体将所述光刻胶容器内的光刻胶从所述出胶口压出;第一管道,依次连接所述光刻胶容器的出胶口、一预存容器、一过滤器、一近端容器、一泵以及一喷头;所述第一管道外包裹有第二管道,所述第二管道用于通入加热介质对所述第一管道进行加热。2.根据权利要求1所述的光刻胶管路设计,其特征在于,所述第二管道具有一第一包围结构段,所述第一包围结构段包围所述预存容器。3.根据权利要求2所述的光刻胶管路设计,其特征在于,还包括:加热装置,邻近所述预存容器和/或所述第一包围结构段设置,用于对所述预存容器和/或所述第一包围结构段进行加热。4.根据权利要求3所述的光刻胶管路设计,其特征在于,所述加热装置覆盖所述预存容器的侧面、底面和顶面。5.根据权利要求3所述的光刻胶管路设计,其特征在于,所述加热装置的加热范围为20~40℃。6.根据权利要求1所述的光刻胶管路设计,其特征在于,所述第二管道具有一第二包围结构段,所述第二包围结构段包围所述近...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱治国,孙国庆,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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