一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法。所述铜纳米线透明导电薄膜内的铜纳米线分布均匀，纳米线终端无颗粒，无团聚现象；铜纳米线透明导电薄膜的透过率86%时，方阻低至30欧姆/□。制备铜纳米线透明导电薄膜的操作步骤如下：（1）将二价铜离子盐和葡萄糖加入水混合，得到溶液A，将油胺和油酸溶加入无水乙醇混合，得到溶液B；（2）将溶液A、溶液B和水稀释搅拌混合，得到溶液C；（3）将溶液C在一定压力、温度条件下反应得到铜纳米线粗溶液；（4）将铜纳米线粗溶液和聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液混合，离心洗涤数次，经湿法加工技术在基底上面成膜；（5）在惰性气体氛围下，经高温退火获得铜纳米线透明导薄膜。本发明专利技术的制造成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法
本专利技术涉及金属纳米材料以及透明导电网络的
特别涉及一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜在薄膜太阳能电池、平板显示器、发光二极管、低辐射玻璃等方面有着重大的应用价值。传统的透明导电薄膜包括铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）和铝掺杂氧化锌（AZO）制造技术已经成熟，但制备成本过高、质脆易碎，大大限制了其作为导电材料在可折叠的电子纸、有机显示器、可穿戴设备等柔性器件上的发展。针对传统的透明导电氧化物制作成本高的问题，铜纳米线透明导电网络由于其储量丰富，价格低廉，从而可以大幅度的降低透明导电薄膜的制备成本。此外，铜纳米线具有优异的导电性与透过率以及柔性性能，被认为是替代透明导电氧化物的新一代透明导电薄膜材料。目前，高质量的铜纳米线已经可以通过模板法、静电纺丝法、气相沉积法等方法合成出来，这些方法虽然具有可控性好，长径比可调等优点，但这些方法通常在实验室的烧瓶里面或在密闭反应器内被合成出来的，并且条件苛刻、成本较高，因此并不适合超大规模的生产，鉴于此，发展一种适合大规模合成铜纳米线的方法是非常必要的。现有技术公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜纳米线透明导电薄膜，其特征在于：铜纳米线透明导电薄膜内的铜纳米线分布均匀，铜纳米线直径为40～50 nm，长度为40～90 μm，长径比为300～1700，纳米线终端无颗粒，无团聚现象；铜纳米线透明导电薄膜的透过率86%时，方阻低至30欧姆/□。

【技术特征摘要】
1.一种铜纳米线透明导电薄膜，其特征在于：铜纳米线透明导电薄膜内的铜纳米线分布均匀，铜纳米线直径为40～50nm，长度为40～90μm，长径比为300～1700，纳米线终端无颗粒，无团聚现象；铜纳米线透明导电薄膜的透过率86%时，方阻低至30欧姆/□。2.制备权利要求1所述一种铜纳米线透明导电薄膜的方法，其特征在于操作步骤如下：（1）将二价铜离子盐和葡萄糖加入水混合，配制成体积为0.5L～1L的溶液A，将油胺和油酸溶加入无水乙醇混合，配制成体积为0.1L～0.5L的溶液B；所述二价铜离子盐：葡萄糖：油胺：油酸的摩尔比用量为1:：0.5～2：3～8：0.03～0.15；（2）将溶液A和溶液B混合，加水稀释至1L～24L，温度40～60℃下搅拌4～12小时，得到溶液C；（3）将溶液C在宏量反应容器中，压力为0.12MPa～0.18MPa、反应2～12小时，得到长径比不同的铜纳米线粗溶液；（4）将铜纳米线粗溶液和聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伸杰，陈艳艳，查天庸，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34