温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种铜纳米线透明导电薄膜及制备方法。所述铜纳米线透明导电薄膜内的铜纳米线分布均匀，纳米线终端无颗粒，无团聚现象；铜纳米线透明导电薄膜的透过率86%时，方阻低至30欧姆/□。制备铜纳米线透明导电薄膜的操作步骤如下：（1）将二价铜离子...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。