【技术实现步骤摘要】
一种用于触摸屏的ITO薄膜的制备方法
本专利技术涉及光电材料
,具体涉及一种用于触摸屏的ITO薄膜的制备方法。
技术介绍
ITO(IndiumTinOxides,铟锡金属氧化物)是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体设在薄膜的一面形成的透明导电膜。ITO薄膜具有导电率高、可见光透过率高、化学稳定性好以及与基体结合牢固等优点,广泛运用在平板液晶显示(LCD)、传感器、电致发光(ELD)以及功能玻璃等方面。ITO薄膜在产品应用中的主要性能指标体现为电阻率、透过率和功函数。目前,ITO薄膜的制备方法主要有磁控溅射法、反应热蒸发法、金属有机物化学气相沉积法、喷雾热解发以及溶胶-凝胶法等,其中上述ITO薄膜制备方法中,发展最为成熟、且形成产业化的方法为磁控溅射法。但是,成本高、工艺条件苛刻等成为溅射法生产ITO薄膜的主要缺陷。喷雾热分解法和溶胶-凝胶法这两种方法被认为有大规模低成本制备ITO薄膜的潜力,但它们都具有自身的特点和缺陷,在实现产业化之前需要进一步的研究使其不断完善和改进。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷,本专利技术的目的是提供一种用于 ...
【技术保护点】
一种用于触摸屏的ITO薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)铟盐、锡盐混合溶液的制备:将硝酸铟与硝酸铟质量10‑15倍的有机溶剂A配置成溶液a,将醋酸锡与醋酸锡质量10‑20倍的有机溶剂B配置成溶液b,溶液a与溶液b混合后,在30‑35℃下保持400‑600转/分钟搅拌25‑40分钟得到铟盐、锡盐的混合溶液c;(2)ITO溶液的制备:在铟盐、锡盐的混合溶液c中加入乙醇胺、脂肪酸单乙醇酰胺,在50‑60℃下保持600‑800转/分钟搅拌1‑2小时后,冷却至室温得到均匀分散的ITO溶液;(3)ITO薄膜的制备:在ITO溶液中加入乙烯基类硅烷偶联剂,25‑35℃下搅拌3 ...
【技术特征摘要】
1.一种用于触摸屏的ITO薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)铟盐、锡盐混合溶液的制备:将硝酸铟与硝酸铟质量10-15倍的有机溶剂A配置成溶液a,将醋酸锡与醋酸锡质量10-20倍的有机溶剂B配置成溶液b,溶液a与溶液b混合后,在30-35℃下保持400-600转/分钟搅拌25-40分钟得到铟盐、锡盐的混合溶液c;(2)ITO溶液的制备:在铟盐、锡盐的混合溶液c中加入乙醇胺、脂肪酸单乙醇酰胺,在50-60℃下保持600-800转/分钟搅拌1-2小时后,冷却至室温得到均匀分散的ITO溶液;(3)ITO薄膜的制备:在ITO溶液中加入乙烯基类硅烷偶联剂,25-35℃下搅拌30-50分钟,均匀涂覆在玻璃上,静置1-2小时后在65-80℃烘2-3小时即获得ITO薄膜。2.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中硝酸铟与醋酸锡的质量比例为3:1-5:1。3.根据权利要求1所述的用于触摸屏的ITO薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:李阳,
申请(专利权)人:合肥仁德电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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