芳香族化合物及包含其的有机发光二极管制造技术

一种由化学式1所表示的芳香族化合物以及包含其的有机发光二极管。在化学式1中，A、Ar2、R1、R2及m与实施方式中所述相同。本发明专利技术的芳香族化合物，具有蓝色发光、高量子效率、优良热稳定性的特性。此外，本发明专利技术的芳香族化合物可应用于有机发光二极管的发光层或电洞传输层中，以提升有机发光二极管的外部量子效率、最大亮度、电流效率、功率效率及寿命。

【技术实现步骤摘要】
芳香族化合物及包含其的有机发光二极管
本专利技术涉及一种化合物及包含其的有机发光二极管，尤其涉及一种芳香族化合物及包含其的有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)型平面显示器，相对于液晶显示器来说具有更宽广视角、更快的反应时间及体积更轻薄等优点，目前被应用于大面积、高亮度、全彩化的显示。为了发展全彩化的平面显示器，开发稳定及高发光效率的发光材料(红色、绿色、蓝色)为现今研究OLED的主要目标。然而，相较于红色发光材料和绿色发光材料而言，蓝色发光材料在发光效率和发光寿命上的开发较迟缓，因此开发新颖、具高发光效率及长寿命的蓝色发光材料是目前极需努力的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种芳香族化合物，其能够实现具有高发光效率与长寿命的有机发光二极管。本专利技术提供一种芳香族化合物，由下列化学式1所表示：[化学式1]在化学式1中，R1与R2各自独立为氢、卤素、C1-C6烷基或芳基，m为0或1的整数，A为经取代或未经取代的咔唑基Ar1或为有机胺基，以及Ar2为经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的磺酰基、经取代或未经取代的三嗪基或经取代或未经取代的在本专利技术的一实施例中，上述的述芳香族化合物由下列化学式2所表示：[化学式2]在化学式2中，Ar3为选自下列结构式，剩余的取代基与化学式1中定义的相同。在本专利技术的一实施例中，上述的述芳香族化合物由下列化学式3所表示：[化学式3]在化学式3中，Ar4为选自下列结构式，剩余的取代基与化学式1中定义的相同。在本专利技术的一实施例中，上述的Ar2为选自下列结构式，本专利技术提供一种有机发光二极管，其包括阴极、阳极以及发光层。发光层配置于阴极与阳极之间，其中发光层包含上述芳香族化合物在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光二极管例如是篮色发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的发光层包括主体发光材料及客体发光材料。在本专利技术的一实施例中，上述的主体发光材料包括所述芳香族化合物。在本专利技术的一实施例中，上述的客体发光材料包括所述芳香族化合物。在本专利技术的一实施例中，上述的主体发光材料例如是1-(2,5-二甲基-4-(1-芘基)苯基)芘(1-(2,5-dimethyl-4-(1-pyrenyl)phenyl)pyrene；DMPPP)、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl；CBP)或2-(3-(芘-1-基)苯基)联伸三苯(2-(3-(pyren-1-yl)phenyl)triphenylene；m-PPT)。在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光二极管还包括至少一辅助层，所述辅助层选自由电洞注入层、电洞传输层、电洞阻挡层、电子注入层、电子传输层以及电子阻挡层所组成的群组。在本专利技术的一实施例中，上述的至少一辅助层包含上述芳香族化合物。基于上述，本专利技术的芳香族化合物，具有蓝色发光、高量子效率、优良热稳定性的特性。此外，本专利技术的芳香族化合物可应用于有机发光二极管的发光层或电洞传输层中，以提升有机发光二极管的外部量子效率、最大亮度、电流效率、功率效率及寿命。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1为依照本专利技术一实施例的有机发光二极管的剖面示意图；图2为依照本专利技术另一实施例的有机发光二极管的剖面示意图；图3A与图3B为包含化合物CZSSO的甲苯溶液在分别通入空气与氮气下的瞬态光激发荧光曲线；图4A与图4B为包含化合物TCZSSO的甲苯溶液在分别通入空气与氮气下的瞬态光激发荧光曲线；图5A与图5B为包含化合物OCZSSO的甲苯溶液在分别通入空气与氮气下的瞬态光激发荧光曲线；图6A与图6B为包含化合物CZSDCN的甲苯溶液在分别通入空气与氮气下的瞬态光激发荧光曲线；图7A与图7B为包含化合物CZSDPT的甲苯溶液在分别通入空气与氮气下的瞬态光激发荧光曲线；图8为实验例1至实验例4的有机发光二极管的瞬态电激发荧光曲线；图9为实验例5至实验例7及比较例的有机发光二极管的瞬态电激发荧光曲线；图10为实验例8至实验例10的有机发光二极管的瞬态电激发荧光曲线；图11为实验例18的有机发光二极管的瞬态电激发荧光曲线；图12为实验例11至实验例15的有机发光二极管的亮度-外部量子效率曲线。附图标记：10、20：有机发光二极管102：阳极103：电洞传输层104：阴极105：电子传输层106：发光层具体实施方式在下文中，详细说明本专利技术的实施例。然而，这些实施例为示例性的，而本专利技术并不限于此。根据本专利技术一实施例的芳香族化合物，由下列化学式1所表示：[化学式1]在化学式1中，R1与R2各自独立为氢、卤素、C1-C6烷基或芳基。m为0或1的整数。A为经取代或未经取代的咔唑基Ar1或为有机胺基。Ar2为经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的磺酰基、经取代或未经取代的三嗪基或经取代或未经取代的在本专利技术一实施例中，芳香族化合物由下列化学式2所表示：[化学式2]在化学式2中，R1、R2与Ar2与化学式1中定义的相同，Ar3例如是选自下列结构式：在本专利技术另一实施例中，芳香族化合物由下列化学式2所表示：[化学式3]在化学式3中，R1、R2与Ar2与化学式1中定义的相同，Ar4为选自下列结构式：在本说明书中，若未作另外定义时，术语“经取代”是指经下列基团所取代：卤素、芳基、羟基、烯基、C1-C20烷基、炔基、氰基、三氟甲基、烷胺基、胺基、C1-C20烷氧基、杂芳基、具有卤素取代基的芳基、具有卤素取代基的芳烷基、具有卤代烷基取代基的芳基、具有卤代烷基取代基的芳烷基、具有芳基取代基的C1-C20烷基、环烷基、具有C1-C20烷基取代基的胺基、具有卤代烷基取代基的胺基、具有芳基取代基的胺基、具有杂芳基取代基的胺基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1-C20烷基取代的磷氧基、具有卤代烷基取代基的磷氧基、具有卤素取代基的磷氧基、具有杂芳基取代基的磷氧基、硝基、羰基、芳基羰基、杂芳基羰基或具有卤素取代基的C1-C20烷基。在本说明书中，术语“芳基”是指包括具有形成共轭的p轨域的环的取代基，且其可为单环、多环或稠合多环(fusedringpolycyclic)官能基。具体而言，芳基的实例包括苯基、亚苯基(phenylene)、萘基(naphthyl)、亚萘基(naphthylene)、芘基(pyrenyl)、蒽基(anthryl)及菲基(phenanthryl)，但不限于此。在本说明书中，术语“杂芳基”指在一官能基中包括1至3个选自N、O、S、P与Si的杂原子以及其余碳的芳基。杂芳基可为稠合环，其中各环可包括1至3个杂原子。具体而言，杂芳基的实例包括呋喃基(furyl)、亚呋喃基(furylene)、茀基(fluorenyl)、吡咯基(pyrrolyl)、噻吩基(thienyl)、恶唑基(oxazolyl)、咪唑基(imidazolyl)、噻唑基(thiazolyl)、吡啶基(pyridyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、喹唑啉基(quinazolinyl)、喹啉基(quinolyl)、异喹啉基(isoquinolyl)及吲哚基(indolyl)，但不限于此。在下文中，将参照图示来说明本专利技术一实施例的有机发光二极管。图1为依照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芳香族化合物，其特征在于，由下列化学式1所表示：[化学式1]

【技术特征摘要】
1.一种芳香族化合物，其特征在于，由下列化学式1所表示：[化学式1]在化学式1中，R1与R2各自独立为氢、卤素、C1-C6烷基或芳基；m为0或1的整数；A为经取代或未经取代的咔唑基Ar1或为有机胺基；以及Ar2为经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的磺酰基、经取代或未经取代的三嗪基或经取代或未经取代的2.根据权利要求1所述的芳香族化合物，其特征在于，所述芳香族化合物由下列化学式2所表示：[化学式2]在化学式2中，Ar3为选自下列结构式，剩余的取代基与化学式1中定义的相同。3.根据权利要求1所述的芳香族化合物，其特征在于，所述芳香族化合物由下列化学式3所表示：[化学式3]在化学式3中，Ar4为选自下列结构式，剩余的取代基与化学式1中定义的相同。4.根据权利要求1所述的芳香族化合物，其特征在于，Ar2为选自下列结构式，5.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：阴极；阳极；以及发光层，配置于所述阴极与所述阳极之间，所述发光层包含如申权利要求1至4中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建鸿，陈奕翔，吴奕靓，
申请(专利权)人：郑建鸿，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71