一种空穴传输材料、包含其的OLED显示面板和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种空穴传输材料，所述空穴传输材料具有式(I)的结构。本发明专利技术提供的空穴传输材料，选择在通式中至少具有一个具有非氢取代基的苯环，能够获得具有合适的迁移率的空穴传输材料，不会发生像素间的串扰；且本发明专利技术提供的空穴传输材料在溶解度(NMP溶剂)上能够满足MASK清洗的要求。

A hole transport material, an OLED display panel including the same, and an electronic device

The present invention relates to a hole transport material having a structure of formula (I). The hole transport material provided by the invention, selection in the formula has at least one with non hydrogen substituents in the benzene ring can be obtained with hole transporting material mobility is appropriate, not cross-talk between pixels; and the invention provides the hole transport materials (NMP solubility in the solvent) to meet the requirements of MASK cleaning.

【技术实现步骤摘要】
一种空穴传输材料、包含其的OLED显示面板和电子设备
本专利技术涉及有机发光二极管制备领域，尤其涉及一种空穴传输材料、包含其的OLED显示面板和电子设备。
技术介绍
手机等中小尺寸OLED屏很多采用R、G、B子像素显示方式(如图1)。为了提高生产良率，往往会将一些功能层设计为公共层，这样就可以少采用FFM(精细金属遮罩)，而空穴传输层经常采用公共层，一般公共空穴传输层可以用市售材料。市售的空穴传输层材料分子结构如(EP-721935)，但此材料的纵向迁移率较高，横向的迁移率不会很高，不会出现像素间的串扰(Crosstalk)。CN103108859公开了所述材料的具有较好的溶解性能，同时迁移率较高。现有的空穴传输材料技术存在几个问题，第一，材料溶解性不好，会导致量产时的蒸镀Mask清洗效果不好。第二，材料的迁移率太慢，会导致器件的整体电压太高。第三，材料的迁移率过快，尤其是材料横向迁移率过快，导致相邻像素的串扰。EP-721935中的市售材料，迁移率在可接受范围，不会发生crosstalk，但是溶解性不是很好。CN103108859的市售材料在溶解性能还可以，但是迁移率太快，会导致横向漏电流，形成串扰。因此，本领域需要开发一种空穴传输材料，其具有合适的迁移率，不会发生相邻像素间的串扰。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术实施例的一方面提供一种空穴传输材料，所述空穴传输材料具有式(I)的结构：式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自独立的选自未取代的亚苯基、含有取代基的亚苯基中的任意1种；L7、L8、L9和L10均各自独立地选自未取代的苯基、含有取代基的苯基中的任意1种；式(I)的结构中，L1和L2中的至少一项为含有取代基的亚苯基；式(I)的结构中，还需要L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9和L10满足如下条件中的至少一项：(1)L3、L4、L5和L6中的至少一项为含有取代基的亚苯基；(2)L7、L8、L9和L10中的至少一项为含有取代基的苯基。本专利技术实施例的另一方面提供一种空穴传输层，所述空穴传输层包括上述的空穴传输材料。本专利技术实施例的又一方面提供一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包含第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置包括发光层和空穴传输层的叠层，所述空穴传输层包括上述的空穴传输材料，或者所述空穴传输层为上述的空穴传输层。本专利技术实施例的再一方面提供一种电子设备，包括上述的OLED显示面板。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：(1)本专利技术提供的空穴传输材料，选择在通式中至少具有一个具有非氢取代基的苯环，能够获得具有合适的迁移率的空穴传输材料，不会发生像素间的串扰；(2)本专利技术提供的空穴传输材料在溶解度(NMP溶剂)上能够满足MASK清洗溶剂的要求，所述MASK清洗溶剂一般采用酮类、呋喃类或醇类中的任意1种或至少2种的组合，比较常用的有环己酮(HC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、取代或未取代的呋喃、异丙醇等。附图说明图1是本专利技术具体实施方式提供的一种OLED显示面板的剖面结构示意图；图2是本专利技术具体实施方式提供的又一种OLED显示面板的剖面结构示意图；图3是本专利技术具体实施方式提供的又一种OLED显示面板的剖面结构示意图。具体实施方式为便于理解本专利技术，本专利技术列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本专利技术，不应视为对本专利技术的具体限制。在一个具体实施方式中，本专利技术提供了一种空穴传输材料，所述空穴传输材料具有式(I)的结构：式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自独立的选自未取代的亚苯基、含有取代基的亚苯基中的任意1种；L7、L8、L9和L10均各自独立地选自未取代的苯基、含有取代基的苯基中的任意1种；式(I)的结构中，L1和L2中的至少一项为含有取代基的亚苯基；式(I)的结构中，还需要L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9和L10满足如下条件中的至少一项：(1)L3、L4、L5和L6中的至少一项为含有取代基的亚苯基；(2)L7、L8、L9和L10中的至少一项为含有取代基的苯基。所述未取代的亚苯基，示例性的可以为所述取代的亚苯基，示例性的可以为含有取代基的苯基在一个具体实施方式中，在式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自独立的选自中的任意1种；所述R1、R2、R3和R4均各自独立地选自氢原子、氘原子、C1～C5的直链或支链烷基、C1～C5的直链或支链烷氧基。在一个具体实施方式中，在式(I)中，L7、L8、L9和L10均各自独立地选自中的任意1种；所述R5、R6、R7、R8和R9均各自独立地选自氢原子、氘原子、C1～C5的直链或支链烷基、C1～C5的直链或支链烷氧基。C1～C5的直链或支链烷基可以列举为甲基、乙基、正丙基、正丁基、叔丁基、戊基等。C1～C5的直链或支链烷氧基可以列举为甲氧基、乙氧基、正丙基氧基、叔丁基氧基等。作为优选具体实施方式，-L4-L8和-L5-L9相同，-L3-L7和-L6-L10相同。-L4-L8和-L5-L9相同且-L3-L7和-L6-L10相同的化学式具有更好地空穴传输速率，且合成方法更简单。在一个优选具体实施方式中，空穴传输材料包括中的任意1种或至少2种的组合。在一个具体实施方式中，所述空穴传输材料的空穴迁移率为9×10-5～5×10-4cm2/V·S，例如1.0×10-4cm2/V·S、2.0×10-4cm2/V·S、3.0×10-4cm2/V·S、4.0×10-4cm2/V·S等；25℃下，所述空穴传输材料在NMP中的溶解度≥10g/L，例如11g/L、13g/L、15g/L、16g/L、19g/L、20g/L等。9×10-5～5×10-4cm2/V·S的迁移率能够保证不会发生像素间的串扰，在NMP中10g/L以上的溶解度，能够满足MASK的清洗要求。在一个具体实施方式中，本专利技术还提供了一种空穴传输层，所述空穴传输层包括如前所述的空穴传输材料。优选地，所述空穴传输层的厚度为例如等。优选地，所述空穴传输层在如前所述的空穴传输材料中掺杂P型有机材料。优选地，所述空穴传输层中，所述P型有机材料的掺杂比例为1～10wt％，例如2wt％、3wt％、4wt％、5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％等。本专利技术还提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包含第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置包括发光层和空穴传输层的叠层，所述空穴传输层包括如前所述的空穴传输材料，或者所述空穴传输层为如前所述的空穴传输层。所述第一电极的材料示例性的可以选择氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和二氧化锡中的任意1种或至少2种的组合。所述第二电极示例性的可以选择镁、铝、银中的任意1种或至少2种的组合。在一个优选具体实施方式中，所述叠层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的任意1种或至少2种的组合。所述空穴注入层的材料示例性的可以选择TDATA2-TNATA和TCTA中的任意1种或至少2种的组合。所述电子传输材料示例性的可以选择BPhen三(8-羟基喹啉)和TPBi中的任意1种或至少2种的组合。在一个具体实施方式中，所述发光层包括蓝光发光单元、绿光发光单元、红光发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料具有式(I)的结构：

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料具有式(I)的结构：式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自独立的选自未取代的亚苯基、含有取代基的亚苯基中的任意1种；L7、L8、L9和L10均各自独立地选自未取代的苯基、含有取代基的苯基中的任意1种；式(I)的结构中，L1和L2中的至少一项为含有取代基的亚苯基；式(I)的结构中，还需要L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9和L10满足如下条件中的至少一项：(1)L3、L4、L5和L6中的至少一项为含有取代基的亚苯基；(2)L7、L8、L9和L10中的至少一项为含有取代基的苯基。2.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，式(I)中，L1、L2、L3、L4、L5和L6均各自独立的选自中的任意1种；所述R1、R2、R3和R4均各自独立地选自氢原子、氘原子、C1～C5的直链或支链烷基、C1～C5的直链或支链烷氧基。3.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，式(I)中，L7、L8、L9和L10均各自独立地选自中的任意1种；所述R5、R6、R7、R8和R9均各自独立地选自氢原子、氘原子、C1～C5的直链或支链烷基、C1～C5的直链或支链烷氧基。4.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，-L4-L8和-L5-L9相同，-L3-L7和-L6-L10相同。5.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，空穴传输材料包括和中的任意1种或至少2种的组合。6.如权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的空穴迁移率为9×10-5～5×10-4cm2/V·S；25℃下，所述空穴传输材料在NMP中的溶解度≥10g/L。7.一种空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层包括权利要求1～6之一所述的空穴传输材料。8.如权利要求7所述的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为9.如权利要求7所述的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层在权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：王湘成，何为，刘营，牛晶华，滨田，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31