咪唑杂菲化合物以及包含其的有机发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种由化学式1所表示的咪唑杂菲化合物以及包含其的有机发光二极管。[化学式1]

【技术实现步骤摘要】
咪唑杂菲化合物以及包含其的有机发光二极管
本专利技术涉及一种化合物，尤其涉及一种咪唑杂菲化合物以及包含其的有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)型平面显示器，相对于液晶显示器来说具有更宽广视角、更快的反应时间及体积更轻薄等优点，目前被应用于大面积、高亮度、全彩化的显示。为了发展全彩化的平面显示器，开发稳定及高发光效率的发光材料(红色、绿色、蓝色)为现今研究OLED的主要目标。然而，相较于红色发光材料和绿色发光材料而言，蓝色发光材料在发光效率上的开发较迟缓，因此开发新颖、具高发光效率及低驱动电压的蓝色发光材料是目前极需努力的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种咪唑杂菲化合物，其能够实现具有高发光效率的有机发光二极管。本专利技术提供一种咪唑杂菲化合物，由下列化学式1所表示：[化学式1]；在化学式1中，m为0或1的整数；当m为0时，R1为经取代或未经取代的咔唑基；当m为1时，R1为经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的芘基或经取代或未经取代的以及R2为经取代或未经取代的伸芳基或经取代或未经取代的含氮的伸杂芳基。在本专利技术的一实施例中，当m为0时，R1例如是经芳基或杂芳基取代的咔唑基。在本专利技术的一实施例中，当m为0时，R1例如是由以下结构中选出的任一者：在本专利技术的一实施例中，当m为1时，R1例如是咔唑基、经烷基、芳基或烷氧基取代的咔唑基、经芳基取代的胺基、蒽基、芘基或在本专利技术的一实施例中，当m为1时，R1例如是由以下结构中选出的任一者：在本专利技术的一实施例中，上述的R2例如是由以下结构中选出的任一者：其中*表示与蒽基的键结位置。在本专利技术的一实施例中，上述化学式1所表示的咪唑杂菲化合物为由以下结构式中选出的任一者：本专利技术提供一种有机发光二极管，其包括阴极、阳极以及发光层。发光层配置于阴极与阳极之间，其中发光层包含上述咪唑杂菲化合物。在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光二极管例如是蓝色发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的发光层包括主体发光材料及客体发光材料。在本专利技术的一实施例中，上述的主体发光材料包括所述咪唑杂菲化合物。在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光二极管可还包括至少一辅助层，所述辅助层选自由空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层以及电子阻挡层所组成的群组。基于上述，本实施例的咪唑杂菲化合物，具有蓝色发光、高量子效率、优良热稳定性的特性。此外，本实施例的咪唑杂菲化合物具有拉电子基团(咪唑杂菲基团以及蒽基团)以及推电子基团(咪唑基团中与碳原子连接的基团)，因此具有双偶极性(bipolar)的特性，有助于使电子空穴传递趋于平衡，进而降低所制成的元件的驱动电压。此外，本实施例的有机发光二极管的发光层包括咪唑杂菲化合物，因此具有高的外部量子效率及低的驱动电压。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为依照本专利技术一实施例的有机发光二极管的剖面示意图。图2为依照本专利技术另一实施例的有机发光二极管的剖面示意图。图3为实施例1至实施例3以及标准品的薄膜的变角度光致发光强度的结果示意图。图4为实施例4、实施例5以及标准品的薄膜的变角度光致发光强度的结果示意图。图5为实验例11及实验例12的有机发光二极管的瞬态电激发萤光曲线示意图。附图标记说明10、20：有机发光二极管102：阳极103：空穴传输层104：阴极105：电子传输层106：发光层具体实施方式在下文中，详细说明本专利技术的实施例。然而，这些实施例为示例性的，而本专利技术不限于此。在本说明书中，意谓连接至另一取代基的部分。在本说明书中，若未作另外定义时，术语“经取代“是指经下列基团所取代：卤素、芳基、羟基、烯基、C1-C20烷基、炔基、氰基、三氟甲基、烷胺基、胺基、C1-C20烷氧基、杂芳基、具有卤素取代基的芳基、具有卤素取代基的芳烷基、具有卤代烷基取代基的芳基、具有卤代烷基取代基的芳烷基、具有芳基取代基的C1-C20烷基、环烷基、具有C1-C20烷基取代基的胺基、具有卤代烷基取代基的胺基、具有芳基取代基的胺基、具有杂芳基取代基的胺基、具有芳基取代的磷氧基、具有C1-C20烷基取代的磷氧基、具有卤代烷基取代基的磷氧基、具有卤素取代基的磷氧基、具有杂芳基取代基的磷氧基、硝基、羰基、芳基羰基、杂芳基羰基或具有卤素取代基的C1-C20烷基。在本说明书中，术语“芳基”是指包括具有形成共轭的p轨域的环的取代基，且其可为单环、多环或稠合多环(fusedringpolycyclic)官能基。具体而言，芳基的实例包括苯基、亚苯基(phenylene)、萘基(naphthyl)、亚萘基(naphthylene)、芘基(pyrenyl)、蒽基(anthryl)及菲基(phenanthryl)，但不限于此。在本说明书中，术语“含氮的杂芳基”指在一官能基中包括至少一个N原子的芳基。具体而言，含氮的杂芳基的实例包括吡啶(pyridine)、嘧啶(pyrimidine)、哒嗪(pyridazine)、咪唑(imidazole)、吡唑(pyrazole)、二嗪(diazine)、三嗪(triazine)、四嗪(tetrazine)、异喹啉(isoquinoline)、喹啉(quinoline)、喹唑啉(quinazoline)、喹喏啉(quinoxaline)、萘啶(naphthyridine)、吖啶(acridine)、啡啶(phenanthridine)以及类似基团，但不限于此。根据本专利技术一实施例的芳香族化合物，由下列化学式1所表示：[化学式1]在化学式1中，m为0或1的整数；当m为0时，R1为经取代或未经取代的咔唑基；当m为1时，R1为经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的芘基或经取代或未经取代的以及R2为经取代或未经取代的伸芳基或经取代或未经取代的含氮的伸杂芳基。在本专利技术一实施例中，当m为0时，R1例如是经芳基或杂芳基取代的咔唑基。在本专利技术一实施例中，R1例如是由以下结构中选出的任一者：在本专利技术的一实施例中，当m为1时，R1例如是咔唑基、经烷基、芳基或烷氧基取代的咔唑基、经芳基取代的胺基、蒽基、芘基或在本专利技术的一实施例中，当m为1时，R1例如是由以下结构中选出的任一者：在本专利技术的一实施例中，上述的R2例如是由以下结构中选出的任一者：其中*表示与蒽基的键结位置。在本专利技术的一实施例中，上述的R2例如是伸苯基或伸萘基。在本专利技术的一实施例中，上述化学式1所表示的咪唑杂菲化合物为由以下结构式中选出的任一者：具有上述结构的咪唑杂菲化合物，因具有咪唑杂菲基团以及蒽基团，可提高平面性官能基间的堆叠能力。此外，本实施例的咪唑杂菲化合物由于引入了苯环，有助于断共轭以及提高咪唑杂菲化合物的能阶差，因此适合作为主体发光材料。此外，本实施例的咪唑杂菲化合物具有拉电子基团(咪唑杂菲基团以及蒽基团)以及推电子基团(咪唑基团中与碳原子连接的基团)，因此具有双偶极性(bipolar)的特性，有助于使电子空穴传递趋于平衡。在下文中，将参照附图来说明本专利技术一实施例的有机发光二极管。图1为依照本专利技术一实施例的有机发光二极管的剖面示意图。请参照本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种咪唑杂菲化合物，其特征在于，由下列化学式1所表示：[化学式1]；

【技术特征摘要】
1.一种咪唑杂菲化合物，其特征在于，由下列化学式1所表示：[化学式1]；在化学式1中，m为0或1的整数；当m为0时，R1为经取代或未经取代的咔唑基；当m为1时，R1为经取代或未经取代的咔唑基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的蒽基、经取代或未经取代的芘基或经取代或未经取代的以及R2为经取代或未经取代的伸芳基或经取代或未经取代的含氮的伸杂芳基。2.根据权利要求1所述的咪唑杂菲化合物，其中当m为0时，R1为经芳基或杂芳基取代的咔唑基。3.根据权利要求1所述的咪唑杂菲化合物，其中当m为0时，R1为由以下结构中选出的任一者：4.根据权利要求1所述的咪唑杂菲化合物，其中当m为1时，R1为咔唑基、经烷基、芳基或烷氧基取代的咔唑基、经芳基取代的胺基、蒽基、芘基或5.根据权利要求1所述的咪唑杂菲化合物，其中当m为1时，R1为由以下结构中选出的任一者：6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建鸿，廖思羽，
申请(专利权)人：郑建鸿，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71