横截面扩张模式共振器制造技术

本发明专利技术揭示横截面扩张模式共振器。所述扩张模式共振器包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。梯式滤波器电路可构造有扩张模式共振器作为串联及/或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。

【技术实现步骤摘要】
横截面扩张模式共振器本申请是申请日为2012年9月20日、申请号为“201280048214.5”、专利技术名称为“横截面扩张模式共振器”的专利技术专利申请的分案申请。优先权数据本专利技术主张2011年9月30日申请、标题为“横截面扩张模式共振器(CROSS-SECTIONALDILATIONMODERESONATORS)”的同在申请中的第61/541,546号美国临时专利申请案(代理人档案号为QUALP096P/112736P1)及2011年11月14日申请、标题为“横截面扩张模式共振器(CROSS-SECTIONALDILATIONMODERESONATORS)”的第13/295,970号美国专利申请案(代理人档案号为QUALP096A/112736U1)的优先权。这些先前申请案的揭示内容被视为本专利技术的部分且特此以其全文引用的方式且出于所有目的而并入本文中。
本专利技术一般来说涉及共振器，且更具体来说，涉及机电系统压电共振器及电路拓扑。
技术介绍
机电系统(EMS)包含具有电及机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(包含镜及)及电子器件的装置。可以多种尺寸制造机电系统，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电共振器结构，其包括：第一导电层，所述第一导电层包含至少一个电极；第二导电层，所述第二导电层包含至少一个电极；压电层，其位于所述第一导电层与所述第二导电层之间以界定共振器，所述共振器的每一横截面能够响应于提供到所述第一导电层的所述至少一个电极或所述第二导电层的所述至少一个电极的至少一个信号而振动，所述振动具有沿Z轴及X轴与Y轴中的至少一者的位移，所述压电层为矩形实体，所述矩形实体具有包含以下各项的尺寸：位于所述X轴及所述Y轴的平面中的横向距离D及沿所述Z轴的厚度T，所述X轴、Y轴及Z轴中的每一者彼此垂直；所述共振器的每一横截面沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴中的至少一者的位移取决于所述厚...

【技术特征摘要】
2011.09.30 US 61/541,546;2011.11.14 US 13/295,9701.一种压电共振器结构，其包括：第一导电层，所述第一导电层包含至少一个电极；第二导电层，所述第二导电层包含至少一个电极；压电层，其位于所述第一导电层与所述第二导电层之间以界定共振器，所述共振器的每一横截面能够响应于提供到所述第一导电层的所述至少一个电极或所述第二导电层的所述至少一个电极的至少一个信号而振动，所述振动具有沿Z轴及X轴与Y轴中的至少一者的位移，所述压电层为矩形实体，所述矩形实体具有包含以下各项的尺寸：位于所述X轴及所述Y轴的平面中的横向距离D及沿所述Z轴的厚度T，所述X轴、Y轴及Z轴中的每一者彼此垂直；所述共振器的每一横截面沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴中的至少一者的位移取决于所述厚度与所述横向距离的数值比T/D，所述数值比T/D在所述共振器结构的机电耦合根据变量关系取决于所述数值比T/D的值的数值范围内，其中所述机电耦合随着所述数值比T/D增加而增加；以及衬底，所述衬底包含位于所述衬底之中或所述衬底之上的腔，所述共振器邻近所述腔。2.根据权利要求1所述的压电共振器结构，其中：所述压电层的所述横向距离为沿所述X轴的宽度W，且所述压电层的所述位移沿所述Z轴及沿所述X轴而发生。3.根据权利要求1所述的压电共振器结构，其中：所述压电层的所述横向距离为沿所述Y轴的长度，且所述压电层的所述位移沿所述Z轴及沿所述Y轴而发生。4.根据权利要求1所述的压电共振器结构，其中所述振动引起沿所述X轴、Y轴及Z轴的位移。5.根据权利要求1所述的压电共振器结构，其中所述变量关系实质上是线性关系。6.根据权利要求1所述的压电共振器结构，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：左诚杰，长汉·运，智升·罗，卫斯里·纳桑尼尔·艾伦，马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹，龙海·金，
申请(专利权)人：追踪有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US