【技术实现步骤摘要】
一种全纵深高分辨在线实时气泡监控装置及监控方法
本专利技术涉及半导体领域,具体地,本专利技术涉及一种全纵深高分辨在线实时气泡监控装置及监控方法。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺,技术更新很快。随着半导体技术的不断发展,器件的关键尺寸越来越小,正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。在半导体器件的图案化过程中,通常需要进行光刻工艺,在光刻工艺过程中,光阻管路中气泡的存在会影响光阻的喷量,从而影响涂布质量,同时气泡的存在也会产生微气泡类缺陷(micro-bubble),严重影响光刻工艺良率。随着关键尺寸的持续缩小,微气泡类缺陷(micro-bubble)的危害变得更为严重,为了提高光刻工艺量率,要求实现对光阻管路气泡做到高灵敏度全纵深实时监控。目前的光刻工艺的光阻管路中的气泡对半导体器件的良率产生很大的影响,但是目前并没有能够对光阻管路气泡做到高灵敏度全纵深实时监控的方法或者装置。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求 ...
【技术保护点】
一种全纵深高分辨在线实时气泡监控方法,其特征在于,包括:选用成像镜头对流动有聚合材料的管路进行往返扫描并成像,以对所述管路中的气泡进行实时监控;其中,所述扫描沿所述管路的径向方向并且振幅为所述管路的直径;在所述往返扫描过程中控制所述成像镜头的移动速度,以避免对同一气泡或聚合材料区域重复扫描。
【技术特征摘要】
1.一种全纵深高分辨在线实时气泡监控方法,其特征在于,包括:选用成像镜头对流动有聚合材料的管路进行往返扫描并成像,以对所述管路中的气泡进行实时监控;其中,所述扫描沿所述管路的径向方向并且振幅为所述管路的直径;在所述往返扫描过程中控制所述成像镜头的移动速度,以避免对同一气泡或聚合材料区域重复扫描。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述成像镜头的景深为F,在所述管路径向上的扫描距离间隔为景深F,所述景深F为58-62um。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合材料流动速度V,所述成像镜头的长度为L,所述管路的直径为H,所述成像镜头的扫描速度为S=HV/L。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,当所述成像镜头的扫描速度为S=HV/L时,根据所述成像得到所述聚合材料中气泡的数目,将所述气泡的数目乘以2得到所述管路中的气泡总数。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述成像镜头浸没在待测的所述聚合材料中,以进行所述扫描。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述聚合材料为光刻胶材料或底部抗反射涂层。7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘喜亮,何伟明,伍强,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。