一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法技术

一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，(1)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型；(2)分析(1)异构忆阻Chua系统混沌特性，验证其是否具有忆阻器本质特征；(3)结合(1)两个忆阻器模型，在经典三阶Chua电路上构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；(4)采用Multisim软件对(3)进行电路仿真，并与(2)数值计算进行比较，验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性。本发明专利技术通过数值仿真和电路验证，忆阻模型均具有斜“8”字形的类紧磁滞回线的伏安特性曲线，同时验证了新构建的双异构忆阻Chua电路能够产生混沌行为，具有复杂的非线性动力学特性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法
本专利技术属于非线性动力学中的系统理论模型和模拟电路领域，涉及到混沌理论、忆阻器及电路设计与仿真实现。
技术介绍
美国华裔科学家加州大学伯克利分校的蔡少棠(Chua)教授于1971年根据电压V与电流i、磁通量与电流i、电荷量q与电压V之间的关系，推测出一个可以用来表示磁通量和电荷量q之间关系的元件的存在，称作忆阻器，至此电路理论中四个基本电路变量间的关系终于达到完整。2008年，HP实验室的StanleyWilliams等在《Nature》上报导了一种新型的具有忆阻特性的纳米级固态元件，从而进一步验证了Chua于37年前预测的忆阻器的存在性。由于忆阻器特殊的记忆和非线性特性，为电路的设计和应用带来了更广泛的发展空间，其中包括忆阻器电路建模、SPICE宏建模、伏安特性分析及其等效电路的实现等。忆阻器是一个非线性的无源二端口元件，在非线性电路中存在广泛的应用。韩国Kim教授提出了由四个相同忆阻元件构成的忆阻桥电路，能够完成神经细胞的突触运算和实现加权及权值编程；西南大学的王丽丹和段书凯等在HPTiO2忆阻器模型的基础上构造了一个忆阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：(S01)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型：

【技术特征摘要】
1.一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：(S01)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型：其中：分别为两个忆阻器磁通量，q1,q2分别为累计通过两个忆阻器的电荷量，a,b,c,d,e为参数；(S02)分析(S01)异构忆阻Chua...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小红，万丽娟，钟小勇，
申请(专利权)人：江西理工大学，
类型：发明
国别省市：江西,36