一种磁控忆阻器等效电路制造技术

本发明专利技术公开了一种磁控忆阻器等效电路，现有技术中至今尚无商用的忆阻器产品，人们只能针对忆阻器的数学模型和电路行为模型进行研究，无法对忆阻器的特性开展实验研究，本发明专利技术包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第一三极管T1、第二三极管T2、第一运算放大器U1A、第二运算放大器U1B、第三运算放大器U1C、第四运算放大器U1D、电容C1、参考电源Vref和乘法器M1，本发明专利技术与磁控忆阻器等效，简单、有效地对磁控忆阻器进行模拟，方便并满足了对磁控忆阻器实验研究的要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种磁控忆阻器的等效电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第一三极管T1、第二三极管T2、第一运算放大器U1A、第二运算放大器U1B、第三运算放大器U1C、第四运算放大器U1D、电容C1、参考电源Vref和乘法器M1；其特征在于：所述的第一电阻R1的一端、乘法器M1的一个输入端与忆阻器的正端Pos连接，第一电阻R1的另一端与第一运算放大器U1A的反向输入端、第二电阻R2的一端连接；第一运算放大器U1A的正向输入端接地，正电源端接+VDD,负电源端接?VDD，输出端与第二电阻R2的另一端、第三电阻R3的一端连接，第三电阻R3的另一端与电容C1的一端、第二运算放大器U1B的反向输入端连接；第二运算放大器U1B的正向输入端接地，正电源端接+VDD,负电源端接?VDD，输出端与电容C1的另一端、第四电阻R4的一端连接，第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端、第一三极管T1的基极连接，第五电阻R5的另一端接地，第一三极管T1的集电极与第六电阻R6的一端、第三运算放大器U1C的反向输入端连接，第六电阻R6的另一端与参考电源Vref的正极连接，参考电源Vref的负极接地；第三运算放大器U1C的正向输入端与第七电阻R7的一端连接，第七电阻R7的另一端接地，第三运算放大器U1C的正电源端接+VDD,负电源端接?VDD，输出端与第八电阻R8的一端连接，第八电阻R8的另一端与第一三极管T1的发射极、第二三极管T2的发射极连接，第二三极管T2的基极接地，第二三极管T2的的集电极与第十电阻R10的一端、第四运算放大器U1D的反向输入端连接，第四运算放大器U1D的正向输入端与第九电阻R9的一端连接，第九电阻R9的另一端接地，第四运算放大器U1D的正电源端接+VDD,负电源端接?VDD，输出端与第十电阻R10的另一端、乘法器M1另一个输入端连接，乘法器M1的输出端与第十一电阻R11的一端连接，第十一电阻R11的另一端与忆阻器的负端Neg连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国华，王光义，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：