一种宽带CMOS低噪声放大电路、放大器及无线接收机制造技术

本实用新型专利技术属于无线通信技术领域，提供了一种宽带CMOS低噪声放大电路、放大器及无线接收机。其中，宽带CMOS低噪声放大电路包括信号输入单元、放大单元及噪声抵消单元；信号输入单元用于实现输入匹配；放大单元对输入信号进行放大，且将电路产生的噪声电流一路直接同相输出，另一路反馈给信号输入单元；信号输入单元将噪声电流转换为噪声电压后，反相输入到噪声抵消单元的输入端；噪声抵消单元将反相的噪声电压转换为反相的噪声电流后，与第一路同相的噪声电流进行叠加，从而达到消除电路噪声的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种宽带CMOS低噪声放大电路、放大器及无线接收机
本技术属于无线通信
，尤其涉及一种宽带CMOS低噪声放大电路、放大器及无线接收机。
技术介绍
随着无线通信技术的迅速发展，人们对高速无线通信提出了更高的要求，无线宽带技术因此备受关注。而低噪声放大器是无线接收机中非常关键的模块，一般位于接收机的最前端，如图1所示，其性能的好坏直接影响接收机的性能。天线接收到的微弱信号经过带通滤波器后，进入低噪声放大器，由于天线接收到的信号在亚微伏数量级，过小的信号很容易淹没在噪声中，对如此微弱的信号进行放大而不恶化信噪比是低噪声放大器设计中的关键。现有的低噪声放大器一般是采用软件的方式消除电路的噪声系数，但是电路中的元器件所产生的噪声系数还是不可避免的。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种宽带CMOS低噪声放大电路、放大器及无线接收机，旨在解决传统的低噪声放大器无法彻底消除噪声，影响低噪声放大器性能的问题。本技术实施例是这样实现的，一种宽带CMOS低噪声放大电路，包括：接收输入信号，并进行输入匹配的信号输入单元；与所述信号输入单元的输出端连接，对所述输入信号进行放大，并将电路所产生的噪声电流一路直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路包括：接收输入信号，并进行输入匹配的信号输入单元；与所述信号输入单元的输出端连接，对所述输入信号进行放大，并将电路所产生的噪声电流一路直接同相输出，另一路反馈给所述信号输入单元进行噪声电压转换并反相的放大单元；分别与所述信号输入单元的输出端和所述放大单元的输出端连接，接收经所述信号输入单元转换并反相后的噪声电压以及所述放大单元同相输出的所述噪声电流，并将所述反相后的噪声电压转换为反相的噪声电流后，与所述同相的噪声电流进行叠加进而抵消电路噪声的噪声抵消单元。

【技术特征摘要】
1.一种宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路包括：接收输入信号，并进行输入匹配的信号输入单元；与所述信号输入单元的输出端连接，对所述输入信号进行放大，并将电路所产生的噪声电流一路直接同相输出，另一路反馈给所述信号输入单元进行噪声电压转换并反相的放大单元；分别与所述信号输入单元的输出端和所述放大单元的输出端连接，接收经所述信号输入单元转换并反相后的噪声电压以及所述放大单元同相输出的所述噪声电流，并将所述反相后的噪声电压转换为反相的噪声电流后，与所述同相的噪声电流进行叠加进而抵消电路噪声的噪声抵消单元。2.如权利要求1所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述宽带CMOS低噪声放大电路还包括：连接于所述信号输入单元的输入端，对所述宽带CMOS低噪声放大电路进行静电防护的ESD保护单元。3.如权利要求2所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述ESD保护单元包括：二极管D1和二极管D2；所述二极管D1的阳极接所述二极管D2的阴极，所述二极管D1的阴极接电源，所述二极管D2的阳极接地，所述二极管D1和所述二极管D2的公共端接所述信号输入单元。4.如权利要求3所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述信号输入单元包括MOS管M1a和MOS管M1b；所述MOS管M1a的源极接所述MOS管M1b的漏极，所述MOS管M1a的漏极接电源，所述MOS管M1b的源极接地，所述MOS管M1a和所述MOS管M1b的公共端分别接所述二极管D1的阳极、所述放大单元及所述噪声抵消单元，所述MOS管M1a的栅极接所述放大单元。5.如权利要求4所述的宽带CMOS低噪声放大电路，其特征在于，所述放大单元包括MOS管M2a、MOS管M2b及MOS管M2c；所述放大单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁庆，傅海鹏，吴光胜，马建国，
申请(专利权)人：深圳市太赫兹科技创新研究院，深圳市华讯方舟微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44