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一种谐振缓冲吸收电路制造技术

技术编号:16066603 阅读:47 留言:0更新日期:2017-08-22 18:04
本发明专利技术公开了一种谐振缓冲吸收电路,包括电感L1、电感L2、二极管D1、MOS管Q1、电容C1、电容C2和二极管D2,所述电感L1一端连接电源V1,电感L1另一端分别连接电感L2、电容C1和二极管D4正极,二极管D4负极分别连接二极管D3负极、电容C4、电容C3和输出端Vo,二极管D3正极分别连接电容C1另一端和二极管D2负极,二极管D2正极分别连接二极管D1负极和电容C2,二极管D1正极分别连接电感L2另一端和MOS管Q1的D极,MOS管Q1的G极连接信号V2。本发明专利技术利用电感L1等无源元件,使Q1实现了零电流开通和零电压关断,提高了电源的工作效率,且相对于其它谐振缓冲吸收电路,降低了生产成本。

Resonant buffer absorbing circuit

The invention discloses a resonant snubber circuit, including inductance L1, inductance L2, diode D1, MOS tube Q1, a capacitor C1, a capacitor C2 and a diode D2, one end of the inductor is connected with the power supply of L1 V1 L1, the other end is respectively connected inductance inductance L2, capacitance C1 and the cathode of the diode D4, a diode D4 anode respectively. A diode connected D3 anode, a capacitor C4, a capacitor C3 and output Vo, cathode of the diode D3 are respectively connected with the capacitor C1 and the other end of the diode D2 anode and cathode of the diode D2 are respectively connected with the cathode diode D1 and capacitor C2 and the cathode of the diode D1 are respectively connected with the other end inductance L2 and MOS tube Q1 D MOS Q1 G, tube connect the signal V2. The invention makes use of inductance, L1 and other passive components to make the Q1 realize zero current turn-on and zero voltage shutdown, improve the work efficiency of the power supply, and reduce the production cost relative to other resonance snubber snubber circuits.

【技术实现步骤摘要】
一种谐振缓冲吸收电路
本专利技术涉及一种缓冲模块电路,具体是一种谐振缓冲吸收电路。
技术介绍
传统的AC/DC全波整流电路采用的是整流+电容滤波电路,这种电路是一种非线性器件和储能元件的组合,输入交流电压的波形是正弦的,但经整流桥整流后输入电流的波形发生了严重的畸变,呈脉冲状,由此产生的谐波电流对电网有危害作用,使电源输入功率因素下降。本专利技术模块电路与一般的PFC电路不同的是此电路选用了无损吸收缓冲网络,降低了开关管Q1的开关损耗,提高了其稳定性,增强了其使用寿命,利用电感L1等无源元件,使Q1实现了零电流开通和零电压关断,提高了电源的工作效率,且相对于其它谐振缓冲吸收电路,降低了生产成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种谐振缓冲吸收电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种谐振缓冲吸收电路,包括电感L1、电感L2、二极管D1、MOS管Q1、电容C1、电容C2和二极管D2,所述电感L1一端连接电源V1,电感L1另一端分别连接电感L2、电容C1和二极管D4正极,二极管D4负极分别连接二极管D3负极、电容C4、电容C3和输出端Vo,本文档来自技高网...
一种谐振缓冲吸收电路

【技术保护点】
一种谐振缓冲吸收电路,包括电感L1、电感L2、二极管D1、MOS管Q1、电容C1、电容C2和二极管D2,其特征在于,所述电感L1一端连接电源V1,电感L1另一端分别连接电感L2、电容C1和二极管D4正极,二极管D4负极分别连接二极管D3负极、电容C4、电容C3和输出端Vo,二极管D3正极分别连接电容C1另一端和二极管D2负极,二极管D2正极分别连接二极管D1负极和电容C2,二极管D1正极分别连接电感L2另一端和MOS管Q1的D极,MOS管Q1的G极连接信号V2,MOS管Q1的S极分别连接电容C2另一端、电容C3另一端和电容C4另一端并接地。

【技术特征摘要】
1.一种谐振缓冲吸收电路,包括电感L1、电感L2、二极管D1、MOS管Q1、电容C1、电容C2和二极管D2,其特征在于,所述电感L1一端连接电源V1,电感L1另一端分别连接电感L2、电容C1和二极管D4正极,二极管D4负极分别连接二极管D3负极、电容C4、电容C3和输出端Vo,二极管D3正极分别连接电容C1另一端和二...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海明
申请(专利权)人:刘海明
类型:发明
国别省市:浙江,33

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