具有二个半导体开关以操作负载的半桥制造技术

本发明专利技术涉及一种用于操作负载的半桥，包括具有高端半导体开关(T1)和低端半导体开关(T2)的开关装置，所述开关通过其各自的电流连接之一而彼此串联连接。控制端口通过其控制连接而与每个半导体开关相关联，其根据控制信号将相应的半导体开关切换为导电或被抑制。负载可以连接在高端半导体开关和低端半导体开关之间，并且连接到连接到开关装置的负载释放装置(L1，C1)，以便在开关装置中的开关操作中收集电流。本发明专利技术还涉及具有至少一个半桥的电路装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具二半导体开关以操作负载的半桥
本专利技术涉及用于操作负载、包括切换装置的半桥，切换装置包括高端半导体开关以及低端半导体开关，在其每个例子中通过它们的其中一个电流端子串联地连接至彼此，其中每个半导体开关可通过控制端子被指派至驱动系统，驱动系统根据驱动信号将各自的半导体开关切换为开或关，且其中负载在高端以及低端半导体开关之间可连接；以及负载释放装置，被连接至切换装置以在切换装置中在切换过程期间收集能量。
技术介绍
功率电子电路常包括使用以把功率供应给负载的半导体开关。在一些例子中，如果高电流流经半导体开关且在此同时高电压存在横跨所述组件，在半导体开关中高功率损失可被耗散。这样的功率损失特别在切换过程期间出现。为了避免由于耗散的功率损失对于半导体开关寿命的损害及/或不利效果，可限制切换半导体开关的切换频率。然而，这样的限制与允许改进负载控制的最高可能切换频率的需求不一致。降低切换损失的进一步可能性在于切换时间的降低。然而，在某些情况下，较高的切换时间在电路的EMC性能(electromagneticcompatibilityEMC)上具有负面效果，且因此较高的切换损失于实务上常被接受。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作负载(L2、R2)的半桥(1)，包括：切换装置，包括高端半导体开关(T1)以及低端半导体开关，所述高端半导体开关(T1)以及所述低端半导体开关(T2)在每个例子中通过它们的电流端子(S、D)的其中一个串联地连接至彼此，其中每个半导体开关可通过控制端子(G)被指派驱动系统，所述驱动系统根据驱动信号将各自的半导体开关切换为开或关，且其中所述负载(L2、R2)可在高端以及低端半导体开关之间连接；负载释放装置(L1、C1)，连接至所述切换装置，以在所述切换装置中在切换过程期间收集能量；能量存储装置，包括第一电容(C2)；以及能量恢复电路(D1、D2、D3、L3)，用于在所述切换装置中，在进...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.15 DE 102014114954.81.一种用于操作负载(L2、R2)的半桥(1)，包括：切换装置，包括高端半导体开关(T1)以及低端半导体开关，所述高端半导体开关(T1)以及所述低端半导体开关(T2)在每个例子中通过它们的电流端子(S、D)的其中一个串联地连接至彼此，其中每个半导体开关可通过控制端子(G)被指派驱动系统，所述驱动系统根据驱动信号将各自的半导体开关切换为开或关，且其中所述负载(L2、R2)可在高端以及低端半导体开关之间连接；负载释放装置(L1、C1)，连接至所述切换装置，以在所述切换装置中在切换过程期间收集能量；能量存储装置，包括第一电容(C2)；以及能量恢复电路(D1、D2、D3、L3)，用于在所述切换装置中，在进一步的切换过程期间，在所述负载释放装置(L1、C1)的进一步能量收集之前，将由所述负载释放装置(L1、C1)收集的所述能量馈送至所述能量存储装置(C3)，其中，所述能量恢复电路(D1、D2、D3、L3)包括电流信道，将所述负载负载释放装置(L1、C1)连接至所述能量存储装置(C3)的所述第一电容(C2)，其特征在于所述负载释放装置(L1、C1)包括第二电容(C3)，所述第二电容(C3)连接至所述电流通道(D1、D2、D3、L3)并与所述第一电容(C2)并联地连接。2.根据权利要求1所述的半桥，其特征在于，所述负载释放装置(L1、C1)包括与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌瑟·普鲁斯迈尔，
申请(专利权)人：倍福自动化有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE