钼基靶和通过热喷镀制备靶的方法技术
Molybdenum base target and method for preparing target by thermal spraying
The present invention relates to a molybdenum based target and method, through the thermal spraying preparation target which has the nominal thickness of the target contains at least one molybdenum based compounds, characterized in that it has a layered structure; less than 1000 ppm, preferably less than 600 ppm, even more preferably less than the oxygen content of 450 ppm the theory of the resistivity; less than five times, preferably three times, preferably two times more resistivity.
【技术实现步骤摘要】
钼基靶和通过热喷镀制备靶的方法本申请是申请日为2010年04月12日，PCT申请号为PCT/FR2010/050703，进入国家阶段的申请号为201080016267.X，专利技术名称为“钼基靶和通过热喷镀制备靶的方法”的PCT申请的分案申请。
本专利技术涉及制备靶的方法，该靶旨在用于在真空下或者在中性或者反应性气氛中的沉积方法，尤其通过磁场增强阴极溅射或者通过离子源溅射的沉积方法中。根据本专利技术的另一方面，它还涉及任选地通过实施所述方法可以获得的钼基靶，和涉及这种靶用于获得基于从所述靶进行溅射的材料的层(couche)的用途，以及涉及用于可以通过本专利技术的目的方法制备所述靶的化合物的组合物。
技术介绍
用于制备靶的各种技术，包括某些使粉末成型的技术，是已知的。因此，所讨论的靶可以产生自浇铸工艺或者粉末烧结工艺，然后成型技术(通常热成型)，然后装配在载体上，或者烧结镶片的直接装配，或者较少通常地产生自热喷镀技术，更特别地产生自等离子体炬喷镀技术。这些靶旨在被用于通常在工业规模上用于薄层沉积(尤其在玻璃基材上)的方法中，如，例如被称为“磁控管”方法的磁场增强阴极...
【技术保护点】
通过采用等离子体炬的等离子体喷镀制备靶的方法，所述靶由钼制成，其特征在于在惰性气体气氛中通过等离子喷镀在该靶的至少一部分表面上喷镀至少一部分钼，该钼呈其粉末形式，和特征在于在靶的构造期间使用对着该靶的并分布在炬周围的强力的具有等于或者低于‑150℃的温度的低温冷却射流，使得存在于靶中氧化物形式的氧含量相对于最初存在于钼粉末中的氧含量低5%以上。
【技术特征摘要】
2009.04.10 FR 09523921.通过采用等离子体炬的等离子体喷镀制备靶的方法，所述靶由钼制成，其特征在于在惰性气体气氛中通过等离子喷镀在该靶的至少一部分表面上喷镀至少一部分钼，该钼呈其粉末形式，和特征在于在靶的构造期间使用对着该靶的并分布在炬周围的强力的具有等于或者低于-150℃的温度的低温冷却射流，使得存在于靶中氧化物形式的氧含量相对于最初存在于钼粉末中的氧含量低5%以上。2.根据权利要求1的方法，特征在于在腔室中进行化合物的喷镀，该腔室已经用惰性气体吹扫或者冲洗然后充满，直至可以为50mbar-1100mbar的压力，以便在其内产生贫化氧的气氛。3.根据权利要求1或2的方法，特征在于通过等离子体炬进行热喷镀和所使用的等离子体化气体混合物是还原性的(能够降低最初存在于粉末中的氧化钼含量)，优选地等离子体化气体混合物的组成包含大于10%氢或者另一种还原性...
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