半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明专利技术的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法
本专利技术涉及半导体外延晶片和其制造方法以及固体摄像元件的制造方法。
技术介绍
在半导体晶片上形成有外延层的半导体外延晶片被用作MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）、DRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器）存储器、功率晶体管和背面照射型固体摄像元件等各种半导体器件的器件基板。例如，背面照射型固体摄像元件通过将布线层等配置在传感器部的下层来将来自外面的光直接取入到传感器中，即使在暗处等也能够拍摄更鲜明的图像或活动图像，因此，近年来，被广泛地用于数字视频摄像机（digitalvideocamera）或智能电话等便携式电话。在半导体器件的微细化或高性能化越来越发展的近年来，为了使器件特性高品质化，期望用作器件基板的半导体外延晶片的高品质化。为了器件特性的进一步的改善，开发了利用氧析出热处理的晶体品质改善技术或用于防止外延生长时的重金属污染的吸杂技术等。例如，在专利文献1中，公开了如下的外延晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体外延晶片，在半导体晶片的表面上形成有外延层，其特征在于，在所述半导体晶片的形成有所述外延层的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.28 JP 2014-1743301.一种半导体外延晶片，在半导体晶片的表面上形成有外延层，其特征在于，在所述半导体晶片的形成有所述外延层的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。2.根据权利要求1所述的半导体外延晶片，其中，所述氢浓度分布的峰值位于从所述半导体晶片的所述表面到厚度方向的深度150nm的范围内。3.根据权利要求1或2所述的半导体外延晶片，其中，所述氢浓度分布的峰值浓度为1.0×1017原子/cm3以上。4.根据权利要求1~3的任一项所述的半导体外延晶片，其中，所述半导体晶片在所述表层部具有碳固溶后的改性层，该改性层中的所述半导体晶片的厚度方向的碳浓度分布的峰值的半高宽为100nm以下。5.根据权利要求4所述的半导体外延晶片，其中，所述碳浓度分布的峰值位于从所述半导体晶片的所述表面到所述厚度方向的深度150nm的范围内。6.根据权利要求1~5的...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山亮辅，门野武，栗田一成，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP