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本发明的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢...
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