电子发射装置和设置有其的晶体管制造方法及图纸

提供了一种其生产简单的光诱导电子发射装置。该电子发射装置(1)包括基板(12)和电子发射膜(14)。电子发射膜(14)被设置在基板(12)上方，并且具有在其中形成的开口(14A)。电子发射膜(14)被以使得当光辐照界定开口(14A)的边缘部分(14a)时，从这个边缘部分(14a)发射电子的方式配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子发射装置和设置有其的晶体管
在这里公开的技术涉及一种电子发射装置。此外，在这里公开的技术还涉及一种设置有该电子发射装置的晶体管。
技术介绍
日本专利申请公报No.2010-257898、PeterHommelhoff、YvanSortais、AnoushAghajani-Talesh和MarkA.Kasevich的PhysicalReviewLetters96，077401(2006)，和AnnaMustonen、PaulBeaud、EugenieKirk、ThomasFeurer和SoichiroTsujino的ScientificReports2，p.915(2012)公开了光诱导电子发射装置。这些电子发射装置每一个设置有电子发射源和激光束辐照器。电子发射源设置有锐锥形金属。在这种电子发射装置中，当激光束从激光束辐照器辐照到锥形金属的顶端时，光学电场被施加到锥形金属的顶端，并且由于它的隧穿效应，从锥形金属的顶端发射电子。
技术实现思路
技术问题被用作电子发射源的锥形金属是通过加工金属丝而制造的。为了改进电子发射效率，优选的是减小在锥形金属的顶端处的曲率半径。然而，在高准确度下以这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子发射装置，包括：基板；和电子发射层，所述电子发射层被设置在所述基板上方，其中，开口被布置在所述电子发射层中，其中，所述电子发射层具有限定所述开口的边缘，并且被配置为当所述边缘被光辐照时从所述边缘发射电子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.19 JP 2014-2347821.一种电子发射装置，包括：基板；和电子发射层，所述电子发射层被设置在所述基板上方，其中，开口被布置在所述电子发射层中，其中，所述电子发射层具有限定所述开口的边缘，并且被配置为当所述边缘被光辐照时从所述边缘发射电子。2.根据权利要求1所述的电子发射装置，进一步包括：光辐照器，所述光辐照器被配置为朝向所述电子发射层辐照所述光。3.根据权利要求2所述的电子发射装置，其中所述电子发射层的所述开口包括当沿着正交于所述基板的上表面的方向看时在纵向方向上延伸的形状，并且所述光辐照器被配置为辐照线性偏振光的激光束，所述线性偏振光的电场的振荡平面正交于所述纵向方向。4.根据权利要求2或者3所述的电子发射装置，其中所述基板的材料对所述光辐照器的所述光是透明的，并且所述光辐照器被配置为透过所述基板朝向所述电子发射层辐照所述光。5.根据权利要求1到4中任何一项所述的电子发射装置，进一步包括：引出电极，所述引出电极被设置在所述电子发射层上方，其中，开口被布置在所述引出电极中，其中，所述引出电极的所述开口位于所述电子发射层的所述开口上方。6.根据权利要求5所述的电子发射装置，其中当沿着正交于所述基板的上表面的方向看时，限定所述电子发射层的所述开口的所述边缘在所述引出电极的所述开口内。7.根据权利要求5或者6所述的电子发射装置，其中凸部被布置在所述基板的上表面上，所述凸部的侧表面的一部分被所述电子发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：石川刚，胜野高志，副岛成雅，
申请(专利权)人：株式会社丰田中央研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP