【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导出纳米孔阵列的测量结果
技术介绍
半导体行业内的超小型化的进步近年来已使得生物技术能够开始将传统上庞大的传感工具封装到越来越小的外形因数中、封装到所谓的生物芯片上。将期望的是开发的使得其更加稳健、高效且成本有效的用于生物芯片技术。附图说明在以下详细描述和附图中公开了本专利技术的各种实施例。图1图示出基于纳米孔的测序芯片中的细胞100的实施例。图2图示出用纳米SBS技术来执行核苷酸测序的细胞200的实施例。图3图示出用预加载标记来执行核苷酸测序的细胞的实施例。图4图示出用于用预加载标记的核酸测序的过程400的实施例。图5图示出在基于纳米孔的测序芯片的细胞中测量的离子电流阻断信号500的实施例。图6图示出用于导出基于纳米孔的测序芯片上的纳米孔传感器的测量结果的过程600的实施例的流程图。图7图示出基于纳米孔的测序芯片的细胞中的离子电流阻断信号的测量结果的示例性集合。图8图示出用于确定基于纳米孔的测序芯片的细胞中的离子电流阻断信号的测量结果的概要的过程800的实施例的流程图。具体实施方式可以用许多方式来实现本专利技术,包括为过程;设备;系统;合成物;体现在计算机可读存储介质上的计算机程序产品;和/或处理器,诸如被配置成执行存储在被耦合到处理器的存储器上的和/或由被耦合到处理器的存储器提供的指令的处理器。在本说明书中,这些实施方式或本专利技术可以采取的任何其它形式可以称为技术。一般地,在本专利技术的范围内可以改变所公开过程的步骤的顺序。除非另外说明,可以将被描述为被配置成执行任务的诸如处理器或存储器之类的组件实现为被临时地配置成在给定时间执行任务的一般组件或被制造成执 ...
【技术保护点】
一种导出基于纳米孔的测序芯片上的纳米孔传感器的测量结果的方法,包括:测量与所述纳米孔传感器相关联的电特性;处理与所述纳米孔传感器相关联的电特性;确定用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要;以及导出用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.05 US 14/5340421.一种导出基于纳米孔的测序芯片上的纳米孔传感器的测量结果的方法,包括:测量与所述纳米孔传感器相关联的电特性;处理与所述纳米孔传感器相关联的电特性;确定用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要;以及导出用于所述电特性和一个或多个先前的电特性的概要。2.权利要求1的方法,其中,确定所述概要包括:确定所述电特性和所述一个或多个先前电特性的至少一部分对应于所述纳米孔传感器处的碱基调用事件;以及确定表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分的概要。3.权利要求2的方法,其中,确定所述概要还包括:确定所述一个或多个先前的电特性的其余部分对应于所述纳米孔传感器处的开放通道状态事件。4.权利要求3的方法,其中,确定所述一个或多个先前的电特性的其余部分对应于所述纳米孔传感器处的开放通道状态事件是至少部分地基于所述一个或多个先前的电特性的其余部分具有在阈值水平以上的量值。5.权利要求2的方法,其中,确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括:用量值参数和时间参数来表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分,其中,所述时间参数对应于所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分的持续时间。6.权利要求2的方法,其中,确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括:表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分,使得用单个量值和所述连续电特性的计数来表示被映射到阈值水平的连续电特性。7.权利要求2的方法,其中,确定表示所述电特性和所述一个或多个先前的电特性的所述至少一部分的所述概要包括:表示所述电特性和所述一个或多个先前电特性的所述至少一部分,使得用单个量值和所述连续电特性的持续时间来表示被映射到阈值水平的连续电特性。8.权利要求1的方法,其中,确定所述概要包括:从所述电特性和所述一个或多个先前的电特性提取使得能够检测碱基调用事件的信息。9.权利要求1的方法,其中,确定所述概要包括:关于所述电特性和所述一个或多个先前的电特性执行碱基调用。10.权利要求1的方法,其中,所述电特性包括以下各项中的一个:与所述纳米孔传感器或所述纳米孔传感器的各部分相关联的电流、电压、电阻以及电容。11.权利要求1的方法,其中,处理与所述纳米孔传感器相关联的所述电特性包括:补偿所述电特性的量值随时间推移的漂移,使得可以使用有区别的量值水平作为用于识别所述纳米孔传感器处的不同碱基调用事件的特征水平。12.一种基于纳米孔的测序芯片,包括:细胞阵列,其中,细胞包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:RJA陈,H田,S弗南德斯戈梅斯,
申请(专利权)人:吉尼亚科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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