用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统技术方案

本发明专利技术包括一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，其中所述方法包括：使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴转动；从至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，以便形成包含具有不同条纹间距的干涉条纹的两个测量空间；收集由所述晶片的表面散射的光束；获取所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间变化的电信号；检测所述信号中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征；基于为每一个测量空间确定的可见度来为每一个检测到的特征确定被称为缺陷可见度的参数；获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息；交叉检查对于每一个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的大小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统
本专利技术涉及一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片的方法和系统。
技术介绍
在制造和使用用于电学、光学或光电学的晶片(根据英语术语为“wafers”)时，通常对每个晶片的表面进行检验，以检测其上可能的缺陷。由于要检测的缺陷的尺寸非常小，操作者的目视检验是不够的。此外，检验通常不仅旨在发现是否存在缺陷，而且还旨在提供关于所述缺陷的定性和/或定量的信息，例如，比如其位置、其尺寸和/或其性质。因此，已经开发出检验系统以检测越来越小的缺陷并且提供关于所述缺陷的性质、尺寸、位置等的所有所需的信息。这些系统还必须允许对每个晶片的检验持续时间足够短，以便不会不利地影响生产速度。文献WO2009/112704描述了一种实施激光多普勒效应测速仪(英文名称为“LaserDopplerVelocimetry”，缩写为LDV)、用于检验半导体晶片的系统。如能够从图1所见，该系统包括光源20和与所述光源耦接并且面向由运动启动的待检验晶片2的表面S布置的干涉装置30。所述干涉装置包括光导，所述光导的输入端与光源耦接并且包括用于将来自光源的光束分成两条入射光束本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：‑使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，‑从与干涉装置(30)耦接的至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，每对布置为在两条光束之间的交叉处形成相应的测量空间，所述测量空间包含干涉条纹，具有与另一测量空间的条纹间距不同的条纹间距，在所述晶片的转动期间，所述晶片的主表面(S)的至少一部分通过所述测量空间中的每一个，‑收集由所述晶片的表面的所述部分散射的光的至少一部分，‑捕获所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号，‑在所述信号中，检测所述所收集的光的光强度的变化中的频率分量，所述频率是缺陷...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.29 FR 14591721.一种用于检验用于电学、光学或光电学的晶片(2)的方法，包括：-使晶片(2)绕与所述晶片的主表面(S)垂直的对称轴(X)转动，-从与干涉装置(30)耦接的至少一个光源(20)发射至少两对入射相干光束，每对布置为在两条光束之间的交叉处形成相应的测量空间，所述测量空间包含干涉条纹，具有与另一测量空间的条纹间距不同的条纹间距，在所述晶片的转动期间，所述晶片的主表面(S)的至少一部分通过所述测量空间中的每一个，-收集由所述晶片的表面的所述部分散射的光的至少一部分，-捕获所收集的光并发射表示所收集的光的光强度随时间的变化的电信号，-在所述信号中，检测所述所收集的光的光强度的变化中的频率分量，所述频率是缺陷通过相应测量空间的时间特征，-对于每一个检测到的特征，确定取决于所述相应测量空间的条纹间距和所述缺陷尺寸、被称为缺陷可见性的参数，所述参数由基于由于缺陷通过所述测量空间产生的多普勒信号来确定的以下公式给出，并表示为随时间变化的电压形式：其中Imax和Imin定义限定所述多普勒信号的峰值的最小电压和最大电压，并且Offset是所述多普勒信号的平均值和对应于零电压的轴之间的偏移，-基于针对每个测量空间确定的可见度，获得关于所述缺陷的尺寸的相应信息，-交叉检查针对每个测量空间获得的信息，以确定所述缺陷的尺寸。2.根据权利要求1所述的方法，其中获得关于所述缺陷的尺寸的信息包括：-计算每个测量空间中的所述缺陷的可见度，-对于每个测量空间，基于对于相应条纹间距随所述缺陷的尺寸变化的可见度参考曲线，确定所述缺陷的一个或更多个可能的尺寸。3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，包括用带通滤波器对所述信号进行滤波，所述带通滤波器的通带集成了与每个测量空间相关联的多普勒频率。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述测量空间至少部分地重叠。5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述测量空间沿着所述晶片的转动路径彼此相继布置。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，包括相对于所述晶片径向移动所述测量空间。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中每个测量空间的条纹横向于所述晶片的转动路径定向。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：马约·杜朗德热维涅，菲利普·加斯塔尔多，
申请(专利权)人：统一半导体公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR