布置在包括插口的主体中的LED制造技术

根据本发明专利技术的实施例的装置包括安装在导电衬底上的发光二极管（LED）。透镜布置在LED上。在导电衬底上模制聚合物主体，并且该聚合物主体直接接触透镜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】布置在包括插口的主体中的LED
本专利技术涉及一种利用布置在包括插口的主体中的固态光源的灯组。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、共振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光装置属于当前可用的最有效光源。制造能够在整个可见光谱上操作的高亮度发光装置的目前被关注的材料系统包括III-V族半导体（尤其是镓、铝、铟和氮和/或磷的二元、三元和四元合金）。通常，通过在蓝宝石、碳化硅、硅、III-氮化物、GaAs或者其它合适的衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者其它外延技术外延地生长不同组成和掺杂物浓度的半导体层的堆叠来制造III-V发光装置。所述堆叠通常包括形成在衬底上的掺有例如Si的一个或多个n型层、形成在所述一个或多个n型层上的有源区中的一个或多个发光层以及形成在有源区上的掺有例如Mg的一个或多个p型层。在n型和p型区上形成电触头。LED被越来越多地用作汽车应用中的照明光源。例如，LED可用于改装灯泡中，用于替代常规白炽灯泡。图1示出了用于汽车应用中的卤素光源。卤素灯泡100插入插口120中。插口120将灯泡100电连接至图1中未示出的电控制器。灯泡100包括底座104和透镜102。透镜102通常为尤其在振动的环境（诸如汽车环境）下易碎的玻璃。通常为塑料的插口120的一个用途是将灯泡100保持在保护其免受振动的位置。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供附着于导电衬底并且布置在包括插口的模制体中的一个或多个LED。根据本专利技术的实施例的装置包括安装在导电衬底上的发光二极管（LED）。透镜布置在LED上。主体形成在导电衬底上并且与透镜直接接触。主体包括按照单个一体化结构形成的灯泡部分和插口部分。根据本专利技术的实施例的方法包括将发光二极管（LED）附着于导电衬底。在LED和导电衬底上模制主体。主体包括按照单个一体化结构形成的灯泡部分和插口部分。布置在LED上的透镜从主体突出。附图说明图1示出了卤素灯泡和插口；图2示出了布置在包括插口的模制体中的LED；图3示出了LED的示例；图4是图2中所示的结构的剖视图；图5示出了布置在包括位于灯具中的插口的模制体中的LED；图6示出了制造图2和图4所示的结构的方法；图7示出了布置在成型为热交换器的模制体中的LED。具体实施方式在包括LED的光源（诸如用于汽车应用的改装灯泡）中，不需要玻璃透镜。因此，不需要分离的插口来保护光源例如免受振动。在本专利技术的实施例中，在LED周围模制的主体中包括插口部分。虽然在下面的示例中，半导体发光装置是发射蓝光或UV光的III-氮化物LED，但是可使用除LED之外的半导体发光装置（诸如激光二极管）、由其它材料系统（诸如其它III-V材料、III-磷化物、III-砷化物、II-VI材料、ZnO或者基于Si的材料）制成的半导体发光装置或者非半导体发光装置。在本专利技术的实施例中，在LED上形成透镜。LED安装在导电框架或者衬底上，然后在LED、透镜和导电衬底周围模制主体。模制体包括用于将LED电连接至更大的系统（诸如汽车或汽车照明系统）的插口。图2示出了本专利技术的实施例。一体的灯泡和插口包括模制体50。虽然主体50在本文中被称作“模制体”，但是主体50可通过任何合适的技术形成，而不一定通过模制形成。例如，模制体50可为聚合物。在一些实施例中，模制体50是可将热从LED传导散开并传导至空气或者导电衬底中的导热塑料，从而热可从装置去除。透镜42形成在LED上的一部分从模制体50突出。在模制体50中可包括一个或多个LED。虽然图2中所示的透镜42从模制体50的侧部的单个区突出，但是一个或多个透镜可按照任何合适的取向排列，以及排列在模制体50上的单个或多个位置。模制体不限于图2中所示的形状。模制体50包括对应于图1中所示的灯泡和插口的灯泡部分54和插口部分52二者。在图2中，灯泡部分54和插口部分52一体化为单个模制体50，并且不像图1的灯泡100和插口120那样可分离。为了改变图1的照明装置，将灯泡100从插口120取下并更换。为了改变图2的照明装置，将包括插口部分52的整个模制体50取下和更换；没有分离的插口。在诸如汽车应用的一些应用中，通常通过标准调节诸如图1的灯泡和插口的器件。例如，图1中所示的灯泡和插口符合IEC60061标准。具体标准可不同并且与本专利技术无关。为了符合标准，插口120和/或灯泡100的特定部分必须具有特定形状。图1的插口120包括突出部分108，其底部代表基准线106。基准线106可用于将插口120和灯泡100与例如光学器件（optic）或任何其它结构对齐，以确保灯泡100合适地安装以及在光学和/或机械上对齐。在一些实施例中，包括插口（诸如图2的结构）的模制体符合标准，并因此包括标准所需的形状、结构和基准线。例如，图2的模制体50包括一个或多个突起56，其底部对应于用于根据IEC60061标准对其光源的基准线。图3示出了合适的LED的一个示例。可使用任何合适的LED或者其它发光装置，并且本专利技术不限于图3中所示的LED。图3中所示的装置是倒装芯片，这意味着LED主体25的底部上的一个或多个反射触头将光从LED的顶部引导出以进入透镜42内。可使用其它装置几何形状；本专利技术不限于倒装芯片LED。图3中所示的LED可如下形成。半导体结构22如本领域所知的那样生长在生长衬底（图3中未示出）上。生长衬底通常为蓝宝石但是可为任何合适的衬底，诸如（例如）SiC、Si、GaN或复合衬底。半导体结构22包括夹在n型区与p型区之间的发光区或有源区。n型区24可首先生长，并且可包括不同组成和掺杂物浓度的多个层，例如，所述多个层包括诸如缓冲层或者晶核层的预备层和/或被设计为有利于去除生长衬底的层，其可为针对为发光区有效地发射光所需的特定光学、材料或者电特性设计的n型或者非有意掺杂的，以及n型或者甚至p型器件层。发光区或有源区26生长在n型区上方。合适的发光区的示例包括单个厚的或薄的发光层，或者包括通过势垒层分离的多个薄的或厚的发光层的多个量子阱发光区。随后p型区28可生长在发光区上方。像n型区那样，p型区可包括多个不同组成、厚度和掺杂物浓度的层，包括非有意掺杂的层或者n型层。在半导体结构生长之后，在p型区的表面上形成p触头。p触头30通常包括诸如反射金属和防护金属的多个导电层，其可防止或降低反射金属的电迁移。反射金属通常为银，但是可使用任何合适的一种或多种材料。在形成p触头30之后，将p触头30的一部分、p型区28和有源区26去除，以暴露出n型区24的其上形成有n触头32的一部分。n触头32和p触头30通过可填充有电介质34（诸如硅的氧化物或任何其它合适的材料）的间隙彼此电隔离。可形成多个n触头过孔；n触头32和p触头30不限于图3中所示的排列方式。n触头和p触头可再分布以形成具有电介质/金属堆叠的结合焊盘，如本领域所已知的。厚金属焊盘36和38形成在n触头和p触头上并且电连接至n触头和p触头。焊盘38电连接至n触头32。焊盘36电连接至p触头30。焊盘36和38通过可填充有电介质材料的间隙40彼此电隔离。焊盘38通过可在p触头30的一部分上方延伸的电介质34与p触头30电隔离。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：安装在导电衬底上的发光二极管（LED）；布置在LED上的透镜；以及形成在导电衬底上并且直接接触透镜的主体，该主体包括按照单个的一体化结构形成的灯泡部分和插口部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.31 EP 14191203.0;2014.09.26 CN PCT/CN2014/1.一种装置，包括：安装在导电衬底上的发光二极管（LED）；布置在LED上的透镜；以及形成在导电衬底上并且直接接触透镜的主体，该主体包括按照单个的一体化结构形成的灯泡部分和插口部分。2.根据权利要求1所述的装置，其中，衬底是金属框架。3.根据权利要求1所述的装置，其中，主体不透明并且覆盖透镜的一部分。4.根据权利要求1所述的装置，其中，灯泡部分和插口部分符合标准。5.根据权利要求1所述的装置，还包括布置在主体上的基准线，该基准线由标准定义。6.根据权利要求1所述的装置，还包括电连接至LED并且布置在主体中的不发光的电子组件。7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述不发光的电子组件是静电放...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘慧铃，PS马丁，AJ克劳斯，丁超，李思駩，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL