一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关制造技术

本发明专利技术公开了一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关，包括一个功分器和2个单刀双掷开关，每个单刀双掷开关包括6个相同的堆叠场效应管单元。本发明专利技术的有益效果为：提出的紧凑型分布式结构，大大增加了开关的功率容量，去除了恶化开关高频性能的寄生电感，减小了芯片的尺寸，提高了开关的工作带宽，在毫米波段效果尤其明显；隔离度高；对于多指场效应管，此紧凑型分布式结构的优势可以最大发挥；无需直流偏置，不消耗能量，控制简单。提出的紧凑型分布式堆叠场效应管单元还可以用于毫米波衰减器、移相器等，减小芯片尺寸，提高工作带宽和功率容量，增加隔离度。

【技术实现步骤摘要】
一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关
本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其是一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关。
技术介绍
开关常应用于射频收发机中，放置于接收机输入端和发射机输出端，用于控制接收和发射状态的切换。由于位置特殊，开关的线性度是接收机和发射机总体线性度的制约因素。发射机输出信号功率很高，而接收机一般具有很高的灵敏度，如果开关的隔离度不够，开关状态切换的瞬间发射的大功率信号很容易倒灌入接收机，导致接收机损坏。因此，对于大功率收发机而言，一个具有高功率容量和高隔离度的开关极其关键。在E波段，器件的分布式效应明显，场效应管不能被视为简单的理想元件，其源极几何尺寸较大，会引入寄生参数。同样的，一小段传输线引入的寄生电感对电路性能也产生很大影响。如何降低寄生参数，是设计超宽带毫米波电路的一个巨大挑战。一般而言，PIN二极管的功率容量优于场效应管，但是PIN二极管通常需要额外的直流偏置电路，消耗更多能量，同时导致较慢的开关速度。采用场效应管堆叠技术，可以提高功率容量。但是简单的堆叠场效应管，导致芯片布局不紧凑，同时工作带宽相对较窄。提高隔离度的方法是减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关，其特征在于，包括：一个功分器(1)和2个单刀双掷开关(2)，每个单刀双掷开关(2)包括6个相同的堆叠场效应管单元(3)；功分器(1)的一端作为信号输入端，另一端分两路连接单刀双掷开关(2)，每路单刀双掷开关(1)包括6个依次相连的堆叠场效应管单元(3)连接信号输出端。

【技术特征摘要】
1.一种毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关，其特征在于，包括：一个功分器(1)和2个单刀双掷开关(2)，每个单刀双掷开关(2)包括6个相同的堆叠场效应管单元(3)；功分器(1)的一端作为信号输入端，另一端分两路连接单刀双掷开关(2)，每路单刀双掷开关(1)包括6个依次相连的堆叠场效应管单元(3)连接信号输出端。2.如权利要求1所述的毫米波超宽带大功率高隔离度集成单刀双掷开关，其特征在于，堆叠场效应管(3)中，第一个场效应管的源极作为信号线的一部分，第二个场效应管的漏极与接地孔相连，第一个场效应管的漏极与第二个场效应管的源极通过一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽，梁文丰，盖川，姜鑫，
申请(专利权)人：南京米乐为微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32