一种直通芯片、散射参数测量方法、建模方法以及模组的设计方法技术

本发明专利技术提供了一种直通芯片、键合线的散射参数测量方法、键合线的建模方法以及模组的设计方法。键合线的散射参数测量方法包括利用前述任一实施例中的键合线的散射参数测量方法测量多组不同尺寸的键合线的散射参数，以获得对应于不同尺寸的键合线的多组散射参数组；搭建所述键合线的等效模型；以及利用所述多组散射参数组对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系。解决了键合线的S参数无法测量的问题以及该问题带来的键合线的建模不准以及涉及到键合线的模组的仿真模型不准的连带问题。带问题。带问题。

【技术实现步骤摘要】
一种直通芯片、散射参数测量方法、建模方法以及模组的设计方法


[0001]本专利技术涉及射频集成电路领域，尤其涉及一种用于集成电路中的键合线测量的直通芯片、利用该直通芯片的键合线的散射参数测量方法以及包括了键合线的模组的设计方法。

技术介绍

[0002]微波电路与器件广泛应用于各行各业的各种领域之中。如今微波电子设备正向着集成化、小型化方向快速发展。此时对微波组件中微波电路与器件的组装和互联提出了异常苛刻的要求。微波组件中的键合线的设计对信号传输性能的影响越来越大，尤其是毫米波频段在设计时就要考虑到键合线对芯片的性能的影响。
[0003]无法准确预估键合线对毫米波微波组件中的模块互联问题造成的影响，成为了限制微波组件性能和制约微波组件研制水平的关键问题。
[0004]在毫米波微波组件中通常采用金带来键合，作为芯片与芯片之间或芯片与微带之间连接，这种柔性连接可以提高连接的可靠性。然而在现有的设计中，设计师缺乏一个准确的金带模型来评估金带键合对芯片的输入输出造成的影响，而这种影响在毫米波芯片设计时不可忽视。
[0005]为解决键合线对信号传输性能的影响难以预估而导致的微波组件的设计水平难以提高的问题，本专利技术旨在提供一种能够辅助实现针对键合线的散射参数的准确测量的直通芯片、利用该直通芯片实现的键合线的散射参数测量方法、键合线的建模方法以及模组的设计方法。

技术实现思路

[0006]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
[0007]根据本专利技术的一方面，提供了一种直通芯片，所述直通芯片包括第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚和第六管脚，所述第二管脚和所述第五管脚之间短接，所述第一管脚、第二管脚和第三管脚之间的相对位置关系与GSG探针的相对位置关系适配以作为所述直通芯片的第一组扎针位置，所述第四管脚、第五管脚和第六管脚之间的相对位置关系与所述GSG探针的相对位置关系适配以作为所述直通芯片的第二组扎针位置。
[0008]在一实施例中，所述第一组扎针位置和所述第二组扎针位置分别沿所述直通芯片相对的两条侧边排布。
[0009]根据本专利技术的另一方面，还提供了一种键合线的散射参数测量方法，所述键合线为模组中两块芯片的电连接结构，所述键合线的散射参数测量方法包括：将两块直通芯片
按照所述两块芯片在所述模组中的相对位置固定，两块直通芯片的第二管脚的相对位置分别对应于所述键合线于所述两块芯片上的连接点的相对位置；选取与所述键合线相同材质和截面尺寸的材料按照所述两块芯片的连接方式键合两块直通芯片的第二管脚；以所述两块直通芯片的第四管脚、第五管脚和第六管脚作为两个测试端面测试出第一组散射参数；以及将所述第一组散射参数去嵌所述两块直通芯片的散射参数以作为所述电连接结构的散射参数。
[0010]在一实施例中，所述散射参数测量方法还包括：以所述直通芯片的第一管脚、第二管脚和第三管脚作为第一测试端面，以所述直通芯片的第四管脚、第五管脚和第六管脚作为第二测试端面，测试出所述第一测试端面和所述第二测试端面的散射参数以作为所述直通芯片的散射参数。
[0011]根据本专利技术的再一方面，还提供了一种键合线的建模方法，包括：利用前述任一实施例中的键合线的散射参数测量方法测量多组不同尺寸的键合线的散射参数，以获得对应于不同尺寸的键合线的多组散射参数组；搭建所述键合线的等效模型；以及利用所述多组散射参数组对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系。
[0012]在一实施例中，所述键合线的等效模型包括第一电容、第二电容和第一电感，所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端分别与所述第一电感的第一端和第二端连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端接地，所述搭建键合线的等效模型包括：在所述等效模型的输入端和输出端分别连接一标准阻抗的一端，标准阻抗的另一端接地，所述第一电感的第一端为所述等效模型的输入端，所述第二电感的第二段为所述等效模型的输出端，所述输入端和所述输出端之间的散射参数表征所述键合线的散射参数。
[0013]在一实施例中，所述利用多组散射参数组对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系包括：利用所述多组散射参数组的部分数据对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系；以及利用所述多组散射参数组的剩余数据逐步对所述关系进行修正，直到等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系能够使得所述等效模型输出的键合线的散射参数满足预设精度要求。
[0014]根据本专利技术的又一方面，还提供了一种模组的设计方法，所述模组包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片之间通过一键合线电连接，所述设计方法包括：搭建所述模组的仿真模型，包括：在所述仿真模型中的所述第一芯片和所述第二芯片的连接点之间搭建对应于所述键合线的等效模型，以模拟所述模组中的所述第一芯片和所述第二芯片之间的信号传递关系，所述键合线的等效模型为前述任一实施例中所述的键合线的建模方法所建立的； 运行所述仿真模型以获得所述模组的仿真结果；以及基于所述仿真结果调整所述仿真模型中的设计参数，直到所述仿真结果满足所述模组的设计目标。
[0015]在一实施例中，所述第一芯片和所述第二芯片之间的键合线尺寸为第一尺寸，所述在仿真模型中的第一芯片和第二芯片的连接点之间搭建对应于键合线的等效模型包括：在所述仿真模型中搭建所述等效模型，并将所述等效模型的输入端与所述第一芯片的输出端连接，所述等效模型的输出端与所述第二芯片的输入端连接；以及在所述等效模型中设定键合线的尺寸变量值为所述第一尺寸。
[0016]在另一实施例中，所述第一芯片和所述第二芯片之间的键合线尺寸为第一尺寸，所述在仿真模型中的第一芯片和第二芯片的连接点之间搭建对应于键合线的等效模型包括：基于所述键合线的等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线尺寸的关系确定与所述第一尺寸对应的所述若干等效元件的参数值；在所述仿真模型中搭建所述等效模型，并将所述等效模型的输入端与所述第一芯片的输出端连接，所述等效模型的输出端与所述第二芯片的输入端连接；以及将所述等效模型中的等效元件的参数设置为所述第一尺寸对应的参数值。
[0017]在一实施例中，所述基于仿真结果调整所述仿真模型中的设计参数包括：基于所述仿真结果调整所述键合线的等效模型中的键合线的尺寸。
[0018]根据本专利技术的又一方面，还提供了一种模组的设计装置，包括存储器、处理器以及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器被用于执行存储在所述存储器上的计算机程序时实现如前述任一实施例所述的模组的设计方法的步骤。
[0019]根据本专利技术的又一方面，还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直通芯片，其特征在于，所述直通芯片包括第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚、第五管脚和第六管脚，所述第二管脚和所述第五管脚之间短接，所述第一管脚、第二管脚和第三管脚之间的相对位置关系与GSG探针的相对位置关系适配以作为所述直通芯片的第一组扎针位置，所述第四管脚、第五管脚和第六管脚之间的相对位置关系与所述GSG探针的相对位置关系适配以作为所述直通芯片的第二组扎针位置。2.如权利要求1所述的直通芯片，其特征在于，所述第一组扎针位置和所述第二组扎针位置分别沿所述直通芯片相对的两条侧边排布。3.一种键合线的散射参数测量方法，其特征在于，所述键合线为模组中两块芯片的电连接结构，所述键合线的散射参数测量方法包括：将两块如权利要求1或2所述的直通芯片按照所述两块芯片在所述模组中的相对位置固定，两块直通芯片的第二管脚的相对位置分别对应于所述键合线于所述两块芯片上的连接点的相对位置；选取与所述键合线相同材质和截面尺寸的材料按照所述两块芯片的连接方式键合两块直通芯片的第二管脚；以所述两块直通芯片的第四管脚、第五管脚和第六管脚作为两个测试端面测试出第一组散射参数；以及将所述第一组散射参数去嵌所述两块直通芯片的散射参数以作为所述电连接结构的散射参数。4.如权利要求3所述的散射参数测量方法，其特征在于，还包括：以所述直通芯片的第一管脚、第二管脚和第三管脚作为第一测试端面，以所述直通芯片的第四管脚、第五管脚和第六管脚作为第二测试端面，测试出所述第一测试端面和所述第二测试端面的散射参数以作为所述直通芯片的散射参数。5.一种键合线的建模方法，其特征在于，包括：利用如权利要求3或4所述的键合线的散射参数测量方法测量多组不同尺寸的键合线的散射参数，以获得对应于不同尺寸的键合线的多组散射参数组；搭建所述键合线的等效模型；以及利用所述多组散射参数组对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相对于键合线的尺寸的关系。6.如权利要求5所述的键合线的建模方法，其特征在于，所述键合线的等效模型包括第一电容、第二电容和第一电感，所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端分别与所述第一电感的第一端和第二端连接，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端接地，所述搭建键合线的等效模型包括：在所述等效模型的输入端和输出端分别连接一标准阻抗的一端，标准阻抗的另一端接地，所述第一电感的第一端为所述等效模型的输入端，所述第二电感的第二段为所述等效模型的输出端，所述输入端和所述输出端之间的散射参数表征所述键合线的散射参数。7.如权利要求5所述的键合线的建模方法，其特征在于，所述利用多组散射参数组对所述等效模型进行拟合以获得所述等效模型中的若干等效元件的参数相...

【专利技术属性】
技术研发人员：后育祥，姜鑫，
申请(专利权)人：南京米乐为微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：