一种改进型带状线型大功率微波开关及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种改进型带状线型大功率微波开关及其制作方法，其中，该开关包括第一高频插座、第二高频插座、第三高频插座、微波开关盒体、中心导体芯线、上盖板、第一同轴型PIN二极管、第二同轴型PIN二极管、第三同轴型PIN二极管、第四同轴型PIN二极管、第一微波结构电容、第二微波结构电容、第三微波结构电容、第四微波结构电容、第一铜箔、第二铜箔、第三铜箔、第四铜箔、第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容、第四穿心电容、第一线绕电感、第二线绕电感、第三线绕电感、第四线绕电感、驱动控制PCB板、第一玻璃绝缘子、第二玻璃绝缘子、第三玻璃绝缘子、第四玻璃绝缘子和下盖板。本发明专利技术减小了开关的插入损耗、提高了开关的承载大功率。

Improved band type high power microwave switch and manufacturing method thereof

The invention discloses an improved stripline type high power microwave switch and its manufacturing method, wherein, the switch comprises a first high-frequency socket, second high-frequency socket, third high frequency microwave switch socket, a box body, a center conductor wire, an upper cover plate, the first type PIN coaxial diode, second coaxial diode, third PIN coaxial type PIN fourth coaxial type diode, the PIN diode, the first microwave structure capacitor, capacitor, second microwave structure third microwave structure capacitor, capacitor, the first fourth microwave structure of copper foil, copper foil, copper foil, second third fourth copper foil, the first capacitor and second capacitor and third capacitor and fourth capacitor, the first line, second line winding inductor around third line inductance, winding inductor, fourth winding inductance, PCB drive control board, the first and second insulating glass glass insulator Sub, third glass insulator, fourth glass insulator and lower cover plate. The invention reduces the insertion loss of the switch and improves the power carrying capacity of the switch.

【技术实现步骤摘要】
一种改进型带状线型大功率微波开关及其制作方法
本专利技术涉及大功率微波器件
，尤其涉及一种改进型带状线型大功率微波开关及其制作方法。
技术介绍
微波开关通常采用微带线作为传输载体，二极管也多采用裸芯芯片，传输主线上一般都设有隔直电容，以隔断驱动电路驱动电流，因此器件承载的功率就非常有限，插入损耗也比较大，同时装配工艺要求也比较苛刻，而大功率的波导微波开关，虽然能承受比较大的功率，但是在频段比较低(C波段以下)时，体积、重量就比较大，转换时间一般较长，焊接工艺要求高，可靠性难以保障。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是：相比于现有技术，提供了一种改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，减小了开关的插入损耗、提高了开关的承载大功率。本专利技术目的通过以下技术方案予以实现：一种改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：将第一高频插座、第二高频插座、第三高频插座与微波开关盒体相连接；步骤二：将中心导体芯线与安装在盒体上的第一高频插座的芯线、第二高频插座的芯线、第三高频插座的芯线焊接，并将中心导体芯线位于盒体内腔，把上盖板和盒体相连接；步骤三：将第一同轴型PIN二极管、第二同轴型PIN二极管、第三同轴型PIN二极管、第四同轴型PIN二极管与盒体相连接，并位于盒体的内腔内；步骤四：将第一微波结构电容设置于中心导体芯线的A位置，第二微波结构电容设置于中心导体芯线的B位置、第三微波结构电容设置于中心导体芯线的C位置、第四微波结构电容设置于中心导体芯线的D位置；步骤五：将第一铜箔的一端与第一微波结构电容相连接，将第一铜箔的另一端与第一同轴型PIN二极管相连接；将第二铜箔的一端与第二微波结构电容相连接，将第二铜箔的另一端与第二同轴型PIN二极管相连接；将第三铜箔的一端与第三微波结构电容相连接，将第三铜箔的另一端与第三同轴型PIN二极管相连接；将第四铜箔的一端与第四微波结构电容相连接，将第四铜箔的另一端与第四同轴型PIN二极管相连接；步骤六：将第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容和第四穿心电容设置于盒体的内腔，第一线绕电感的一端与第一同轴型PIN二极管相连接，第一线绕电感的另一端与第一穿心电容相连接；第二线绕电感的一端与第二同轴型PIN二极管相连接，第二线绕电感的另一端与第二穿心电容相连接；第三线绕电感的一端与第三同轴型PIN二极管相连接，第三线绕电感的另一端与第三穿心电容相连接；第四线绕电感的一端与第四同轴型PIN二极管相连接，第四线绕电感的另一端与第四穿心电容相连接；步骤七：将驱动控制PCB板与盒体相连接并位于盒体的内腔，将第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容和第四穿心电容与驱动控制PCB板的电压输出端口电连接；步骤八：将第一玻璃绝缘子、第三玻璃绝缘子设置于盒体上并与驱动控制PCB板的电压输入端口相连接，将第二玻璃绝缘子、第四玻璃绝缘子设置于盒体上并与驱动控制PCB板的TTL控制输入端口相连接。步骤九：将下盖板与盒体相连接。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，在步骤二中，中心导体芯线包括竖部、横部、第三部和第四部，其中，竖部的一端与横部的中间位置相连接，横部的一端与第三部相连接，横部的另一端与第四部相连接，第三部与第四部关于竖部的轴线对称。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，所述竖部的一端与第一高频插座的芯线焊接，所述第三部的一端与第二高频插座的芯线焊接，所述第四部的一端与第三高频插座的芯线焊接。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，在步骤三中，第一同轴型PIN二极管设置于第三部的右端，第二同轴型PIN二极管设置于第四部的左端，第一同轴型PIN二极管与第二同轴型PIN二极管关于竖部的轴线对称。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，在步骤三中，第三同轴型PIN二极管、第四同轴型PIN二极管关于竖部的轴线对称。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，在步骤六中，第一穿心电容设置于第三部的右端，第二穿心电容设置于第四部的左端，第一穿心电容与第二穿心电容关于竖部的轴线对称。上述改进型带状线型大功率微波开关的制作方法中，在步骤六中，第三穿心电容和第四穿心电容关于竖部的轴线对称。本专利技术还提供了一种改进型带状线型大功率微波开关，包括：第一高频插座、第二高频插座、第三高频插座、微波开关盒体、中心导体芯线、上盖板、第一同轴型PIN二极管、第二同轴型PIN二极管、第三同轴型PIN二极管、第四同轴型PIN二极管、第一微波结构电容、第二微波结构电容、第三微波结构电容、第四微波结构电容、第一铜箔、第二铜箔、第三铜箔、第四铜箔、第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容、第四穿心电容、第一线绕电感、第二线绕电感、第三线绕电感、第四线绕电感、驱动控制PCB板、第一玻璃绝缘子、第二玻璃绝缘子、第三玻璃绝缘子、第四玻璃绝缘子和下盖板；其中，第一高频插座、第二高频插座、第三高频插座与微波开关盒体相连接；中心导体芯线与安装在盒体上的第一高频插座的芯线、第二高频插座的芯线、第三高频插座的芯线焊接，上盖板和盒体相连接，其中，中心导体芯线位于盒体内腔；第一同轴型PIN二极管、第二同轴型PIN二极管、第三同轴型PIN二极管、第四同轴型PIN二极管与盒体相连接，并位于盒体的内腔内；第一微波结构电容设置于中心导体芯线的A位置，第二微波结构电容设置于中心导体芯线的B位置、第三微波结构电容设置于中心导体芯线的C位置、第四微波结构电容设置于中心导体芯线的D位置；第一铜箔的一端与第一微波结构电容相连接，第一铜箔的另一端与第一同轴型PIN二极管相连接；第二铜箔的一端与第二微波结构电容相连接，第二铜箔的另一端与第二同轴型PIN二极管相连接；第三铜箔的一端与第三微波结构电容相连接，第三铜箔的另一端与第三同轴型PIN二极管相连接；第四铜箔的一端与第四微波结构电容相连接，第四铜箔的另一端与第四同轴型PIN二极管相连接；第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容和第四穿心电容设置于盒体的内腔，第一线绕电感的一端与第一同轴型PIN二极管相连接，第一线绕电感的另一端与第一穿心电容相连接；第二线绕电感的一端与第二同轴型PIN二极管相连接，第二线绕电感的另一端与第二穿心电容相连接；第三线绕电感的一端与第三同轴型PIN二极管相连接，第三线绕电感的另一端与第三穿心电容相连接；第四线绕电感的一端与第四同轴型PIN二极管相连接，第四线绕电感的另一端与第四穿心电容相连接；驱动控制PCB板与盒体相连接并位于盒体的内腔，将第一穿心电容、第二穿心电容、第三穿心电容和第四穿心电容与驱动控制PCB板的电压输出端口电连接；第一玻璃绝缘子、第三玻璃绝缘子设置于盒体上并与驱动控制PCB板的电压输入端口相连接，将第二玻璃绝缘子、第四玻璃绝缘子设置于盒体上并与驱动控制PCB板的TTL控制输入端口相连接。上述改进型带状线型大功率微波开关中，中心导体芯线包括竖部、横部、第三部和第四部，其中，竖部)的一端与横部的中间位置相连接，横部的一端与第三部相连接，横部的另一端与第四部相连接，第三部与第四部关于竖部的轴线对称。上述改进型带状线型大功率微波开关中，所述竖部的一端与第一高频插座的芯线焊接，所述第三部的一端与第二高频插座的芯线焊接，所述第四部的一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一：将第一高频插座(21)、第二高频插座(22)、第三高频插座(23)与微波开关盒体(1)相连接；步骤二：将中心导体芯线(2)与安装在盒体(1)上的第一高频插座(21)的芯线、第二高频插座(22)的芯线、第三高频插座(23)的芯线焊接，并将中心导体芯线(2)位于盒体(1)内腔，把上盖板(11)和盒体(1)相连接；步骤三：将第一同轴型PIN二极管(31)、第二同轴型PIN二极管(32)、第三同轴型PIN二极管(33)、第四同轴型PIN二极管(34)与盒体(1)相连接，并位于盒体(1)的内腔内；步骤四：将第一微波结构电容(41)设置于中心导体芯线(2)的A位置，第二微波结构电容(42)设置于中心导体芯线(2)的B位置、第三微波结构电容(43)设置于中心导体芯线(2)的C位置、第四微波结构电容(44)设置于中心导体芯线(2)的D位置；步骤五：将第一铜箔(71)的一端与第一微波结构电容(41)相连接，将第一铜箔(71)的另一端与第一同轴型PIN二极管(31)相连接；将第二铜箔(72)的一端与第二微波结构电容(42)相连接，将第二铜箔(72)的另一端与第二同轴型PIN二极管(32)相连接；将第三铜箔(73)的一端与第三微波结构电容(43)相连接，将第三铜箔(73)的另一端与第三同轴型PIN二极管(33)相连接；将第四铜箔(74)的一端与第四微波结构电容(44)相连接，将第四铜箔(74)的另一端与第四同轴型PIN二极管(34)相连接；步骤六：将第一穿心电容(51)、第二穿心电容(52)、第三穿心电容(53)和第四穿心电容(54)设置于盒体(1)的内腔，第一线绕电感(61)的一端与第一同轴型PIN二极管(31)相连接，第一线绕电感(61)的另一端与第一穿心电容(51)相连接；第二线绕电感(62)的一端与第二同轴型PIN二极管(32)相连接，第二线绕电感(62)的另一端与第二穿心电容(52)相连接；第三线绕电感(63)的一端与第三同轴型PIN二极管(33)相连接，第三线绕电感(63)的另一端与第三穿心电容(53)相连接；第四线绕电感(64)的一端与第四同轴型PIN二极管(34)相连接，第四线绕电感(64)的另一端与第四穿心电容(54)相连接；步骤七：将驱动控制PCB板(3)与盒体(1)相连接并位于盒体(1)的内腔，将第一穿心电容(51)、第二穿心电容(52)、第三穿心电容(53)和第四穿心电容(54)与驱动控制PCB板(3)的电压输出端口电连接；步骤八：将第一玻璃绝缘子(81)、第三玻璃绝缘子(83)设置于盒体(1)上并与驱动控制PCB板(3)的电压输入端口相连接，将第二玻璃绝缘子(82)、第四玻璃绝缘子(84)设置于盒体(1)上并与驱动控制PCB板(3)的TTL控制输入端口相连接。步骤九：将下盖板(12)与盒体(1)相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一：将第一高频插座(21)、第二高频插座(22)、第三高频插座(23)与微波开关盒体(1)相连接；步骤二：将中心导体芯线(2)与安装在盒体(1)上的第一高频插座(21)的芯线、第二高频插座(22)的芯线、第三高频插座(23)的芯线焊接，并将中心导体芯线(2)位于盒体(1)内腔，把上盖板(11)和盒体(1)相连接；步骤三：将第一同轴型PIN二极管(31)、第二同轴型PIN二极管(32)、第三同轴型PIN二极管(33)、第四同轴型PIN二极管(34)与盒体(1)相连接，并位于盒体(1)的内腔内；步骤四：将第一微波结构电容(41)设置于中心导体芯线(2)的A位置，第二微波结构电容(42)设置于中心导体芯线(2)的B位置、第三微波结构电容(43)设置于中心导体芯线(2)的C位置、第四微波结构电容(44)设置于中心导体芯线(2)的D位置；步骤五：将第一铜箔(71)的一端与第一微波结构电容(41)相连接，将第一铜箔(71)的另一端与第一同轴型PIN二极管(31)相连接；将第二铜箔(72)的一端与第二微波结构电容(42)相连接，将第二铜箔(72)的另一端与第二同轴型PIN二极管(32)相连接；将第三铜箔(73)的一端与第三微波结构电容(43)相连接，将第三铜箔(73)的另一端与第三同轴型PIN二极管(33)相连接；将第四铜箔(74)的一端与第四微波结构电容(44)相连接，将第四铜箔(74)的另一端与第四同轴型PIN二极管(34)相连接；步骤六：将第一穿心电容(51)、第二穿心电容(52)、第三穿心电容(53)和第四穿心电容(54)设置于盒体(1)的内腔，第一线绕电感(61)的一端与第一同轴型PIN二极管(31)相连接，第一线绕电感(61)的另一端与第一穿心电容(51)相连接；第二线绕电感(62)的一端与第二同轴型PIN二极管(32)相连接，第二线绕电感(62)的另一端与第二穿心电容(52)相连接；第三线绕电感(63)的一端与第三同轴型PIN二极管(33)相连接，第三线绕电感(63)的另一端与第三穿心电容(53)相连接；第四线绕电感(64)的一端与第四同轴型PIN二极管(34)相连接，第四线绕电感(64)的另一端与第四穿心电容(54)相连接；步骤七：将驱动控制PCB板(3)与盒体(1)相连接并位于盒体(1)的内腔，将第一穿心电容(51)、第二穿心电容(52)、第三穿心电容(53)和第四穿心电容(54)与驱动控制PCB板(3)的电压输出端口电连接；步骤八：将第一玻璃绝缘子(81)、第三玻璃绝缘子(83)设置于盒体(1)上并与驱动控制PCB板(3)的电压输入端口相连接，将第二玻璃绝缘子(82)、第四玻璃绝缘子(84)设置于盒体(1)上并与驱动控制PCB板(3)的TTL控制输入端口相连接。步骤九：将下盖板(12)与盒体(1)相连接。2.根据权利要求1所述的改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于：在步骤二中，中心导体芯线(2)包括竖部(210)、横部(220)、第三部(230)和第四部(240)，其中，竖部(210)的一端与横部(220)的中间位置相连接，横部(220)的一端与第三部(230)相连接，横部(220)的另一端与第四部(240)相连接，第三部(230)与第四部(240)关于竖部(210)的轴线对称。3.根据权利要求2所述的改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于：所述竖部(210)的一端与第一高频插座(21)的芯线焊接，所述第三部(230)的一端与第二高频插座(22)的芯线焊接，所述第四部(240)的一端与第三高频插座(23)的芯线焊接。4.根据权利要求2所述的改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于：在步骤三中，第一同轴型PIN二极管(31)设置于第三部(230)的右端，第二同轴型PIN二极管(32)设置于第四部(240)的左端，第一同轴型PIN二极管(31)与第二同轴型PIN二极管(32)关于竖部(210)的轴线对称。5.根据权利要求2所述的改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于：在步骤三中，第三同轴型PIN二极管(33)、第四同轴型PIN二极管(34)关于竖部(210)的轴线对称。6.根据权利要求2所述的改进型带状线型大功率微波开关的制作方法，其特征在于：在步骤六中，第一穿心电容(51)设置于第三部(230)的右端，第二穿心电容(52)设置于第四部(240)的左端，第一穿心电容(51)与第二穿心电容(52)关于竖部(21...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁四如，
申请(专利权)人：北京遥测技术研究所，航天长征火箭技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11