生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法技术

本发明专利技术公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。本发明专利技术还公开了上述生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法。本发明专利技术制备的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，极大提高了InGaAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InGaAs量子点的有效方法。

【技术实现步骤摘要】
生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法
本专利技术涉及量子点及其制备方法，特别涉及生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法。
技术介绍
随着制备高质量自组织量子点技术的发展，半导体量子点在量子光学，单光子光源，量子通信等方面的应用研究越来越引起人们的兴趣。量子点是一种零维材料，其具有类似原子的分立能级，同时在三维方向上实现了对载流子的限制，导致载流子能量在三个维度上量子化而出现分立能级，呈现出某些类似原子的壳层结构能级特性。量子点的种种新奇性质使其在许多领域具有广阔的应用前景，比如量子点单光子光源，量子点中间带多结太阳电池等。一个稳定、高亮度的单光子源作为一种新型光源，必定会为光谱学和量子信息领域带来很多的应用，如：随机数产生器、弱吸收测量、线性光学计算、量子密钥分配以及量子存储等。但是，目前生长的量子点由于量子点内缺陷，以及量子点尺寸的非均匀性(多模效应)等因素的影响，其发光强度普遍较低，限制了量子点的进一步应用。因此研究如何在采用自组织方法制备出具有高发光强度的高密度InGaAs量子点，提高其光学性能对于未来量子点在器件中的广泛应用具有十分重要的指导意义。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本专利技术的目的在于提供一种生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，光致发光强度高。本专利技术的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法。本专利技术的目的通过以下技术方案实现：生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。所述InGaAs量子点层中InGaAs量子点的密度为2×1010-8×1010cm-2；InGaAs量子点的平均高度为5-10纳米，平均直径为10-25纳米。所述GaAs盖层的厚度为4-10纳米。所述In纳米结构层中In纳米结构的平均直径为20-80纳米。所述石墨烯覆盖层的厚度为0.4-2.5纳米，包括1-5层石墨烯。生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)对GaAs(115)A衬底进行清洗；(2)对GaAs(115)A衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs(115)A衬底上生长InGaAs量子点层；(4)在InGaAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层；(6)在In纳米结构层表面覆盖一层石墨烯盖层。步骤(3)所述GaAs(115)A衬底上生长InGaAs量子点层，具体为：利用分子束外延生长InGaAs量子点，生长过程中铟源温度为700-810℃，镓源温度为800-1000℃，砷源温度为270-300℃，衬底温度为450-550℃，生长时间为8-20s。步骤(4)所述在InGaAs量子点层上覆盖GaAs盖层，具体为：在InGaAs量子点层上，采用分子束外延生长GaAs盖层，生长过程中的镓源温度为800-950℃，砷源温度为250-350℃，衬底温度为350-500℃，生长时间为200-350s。步骤(5)所述在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层，具体为：采用电子束蒸发方式在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层，生长过程中电子束的功率为65-90W，衬底温度为400-600℃，生长时间为200-350s。步骤(6)所述在In纳米结构层表面覆盖一层石墨烯盖层，具体为：采用化学气相沉积在铜箔上制备石墨烯薄膜：生长过程中采用甲烷作为前躯体，生长气氛是氢气和氩气的混合气体，混合比例为1:1，生长过程中的生长温度为900～1050℃，生长时间为5～30分钟。之后在石墨烯薄膜表面旋涂PMMA，采用FeCl3溶液腐蚀掉铜箔，采用湿法转移将石墨烯薄膜转移到In纳米结构的表面，采用丙酮和乙醇交替清洗去除掉石墨烯薄膜表面的PMMA。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点和有益效果：(1)本专利技术通过在GaAs(115)A衬底上采用MBE法生长InGaAs量子点，并在覆盖GaAs盖层后生长In纳米结构，之后将石墨烯转移至In纳米结构的表面，由于In局域表面等离激元与InGaAs量子点激子发光的相互耦合作用，可以明显提高InGaAs量子点的光致发光强度；同时，由于In纳米结构与石墨烯之间存在很强的相互耦合作用，在In纳米结构表面覆盖石墨烯后，石墨烯与InGaAs量子点之间也存在相互耦合作用，同时石墨烯可以显著提高In纳米结构周围的局域电场强度。这种强的局域电场可以显著提高InGaAs量子点中电子-空穴对的辐射复合速率，因此本专利技术制备的InGaAs量子点光致发光发光强度得到明显的提高。(2)本专利技术的制备方法简单有效，成本较低，增强效果明显。附图说明图1为本专利技术的实施例1的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的结构示意图。图2为本专利技术的实施例1的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法的流程图。图3为本专利技术的实施例1的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的原子力显微镜照片。图4为本专利技术的实施例1的In纳米结构覆盖石墨烯后的扫描电子显微镜图。图5为本专利技术的实施例1的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点在覆盖In纳米结构前后及在In纳米结构表面覆盖石墨烯后的室温光致发光谱。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示，本实施例的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底1、InGaAs量子点层2、GaAs盖层3、In纳米结构层4和石墨烯盖层5。如图2所示，本实施例的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)对GaAs(115)A衬底进行清洗：GaAs(115)A衬底依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇超声清洗10分钟，去除表面有机物，最后在去离子水中超声清洗15分钟后用氮气吹干；(2)GaAs(115)A衬底进行除气和脱氧预处理：送入分子束外延系统进样室预除气半小时，完成除气后送入生长室，在砷束流保护下，高温退火去除衬底表面的氧化膜层，其中脱氧过程中砷源的温度为270℃，衬底温度为600℃，时间为10分钟；(3)GaAs(115)A衬底上生长InGaAs量子点层：利用分子束外延生长InGaAs量子点，生长过程中镓源温度为950℃，铟源温度为800℃，砷源温度为300℃，衬底温度为510℃，生长时间为12s；如图3所示，本实施例的InGaAs量子点层中InGaAs量子点的密度为2.5×1010cm-2，量子点的平均高度为9纳米，平均直径为15纳米；(4)在InGaAs量子点层上覆盖GaAs盖层：采用分子束外延生长GaAs盖层，生长过程中的镓源温度为880℃，砷源温度为290℃，衬底温度为450℃，生长时间为300s；GaAs盖层的厚度为8纳米；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层：采用电子束蒸发方式生长，生长过程中电子束的功率为80W，衬底温度为460℃，生长时间为250s；所述In纳米结构的平均直径为35纳米，如图4所示。(6)In纳米结构层表面覆盖石墨烯盖层：石墨烯采用化学气相沉积法生长，生长过程中采用甲烷作为前躯体，生长气氛是氢气和氩气的混合气体，混合比例为1:1，生长本文档来自技高网...

【技术保护点】
生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。

【技术特征摘要】
1.生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。2.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，所述InGaAs量子点层中InGaAs量子点的密度为2×1010-8×1010cm-2；InGaAs量子点的平均高度为5-10纳米，平均直径为10-25纳米。3.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，所述GaAs盖层的厚度为4-10纳米。4.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，所述In纳米结构层中In纳米结构的平均直径为20-80纳米。5.根据权利要求1所述的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，其特征在于，所述石墨烯覆盖层的厚度为0.4-2.5纳米，包括1-5层石墨烯。6.生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对GaAs(115)A衬底进行清洗；(2)对GaAs(115)A衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs(115)A衬底上生长InGaAs量子点层；(4)在InGaAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层；(6)在In纳米结构层表面覆盖一层石墨烯盖层。7.根据权利要求6所述的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述GaAs(115)A衬底上生长InGaAs量子点层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，张曙光，温雷，高芳亮，徐珍珠，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44