氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的桥腿区域设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤去除桥面第一保护层薄膜，对桥面上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对桥面区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。

【技术实现步骤摘要】
氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法
本专利技术属于半导体技术中的微机电系统工艺制造领域，具体涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法。
技术介绍
非制冷红外探测技术是无需制冷系统对外界物体的红外辐射(IR)进行感知并转化成电信号经处理后在显示终端输出的技术，可广泛应用于国防、航天、医学、生产监控等众多领域。非制冷红外焦平面探测器由于其能够在室温状态下工作，并具有质量轻、体积小、寿命长、成本低、功率小、启动快及稳定性好等优点，满足了民用红外系统和部分军事红外系统对长波红外探测器的迫切需要，近几年来发展迅猛。非制冷红外探测器主要包括测辐射热计、热释电和热电堆探测器等，其中基于微机电系统(MEMS)制造工艺的微测辐射热计(Micro-bolometer)红外探测器由于其响应速率高，制作工艺简单且与集成电路制造工艺兼容，具有较低的串音和较低的1/f噪声，较高的帧速，工作无需斩波器，便于大规模生产等优点，是非制冷红外探测器的主流技术之一。微测辐射热计(Micro-bolometer)是基于具有热敏特性的材料在温度发生变化时电阻值发生相应的变化而制造的一种非制冷红外本文档来自技高网...

【技术保护点】
氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，包括一带有读出电路的半导体基座和与所述半导体基座电连接的探测器本体，其特征在于，所述探测器本体包括金属反射层、绝缘介质层和支撑层，所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层，所述金属反射层包括若干个金属块；所述绝缘介质层上设有支撑层，所述支撑层上设有锚点孔和通孔，所述通孔终止于所述金属块，所述锚点孔和所述通孔内填充有连接金属，所述支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜，所述氧化钛薄膜为半导体，所述连接金属及所述支撑层的桥腿区域设有与所述氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，所述氧化钛薄膜和所述第一保护层上设有第二保护层。

【技术特征摘要】
1.氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，包括一带有读出电路的半导体基座和与所述半导体基座电连接的探测器本体，其特征在于，所述探测器本体包括金属反射层、绝缘介质层和支撑层，所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层，所述金属反射层包括若干个金属块；所述绝缘介质层上设有支撑层，所述支撑层上设有锚点孔和通孔，所述通孔终止于所述金属块，所述锚点孔和所述通孔内填充有连接金属，所述支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜，所述氧化钛薄膜为半导体，所述连接金属及所述支撑层的桥腿区域设有与所述氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，所述氧化钛薄膜和所述第一保护层上设有第二保护层。2.根据权利要求1所述氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其特征在于，所述连接金属为铝、铜或钨。3.根据权利要求1所述氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其特征在于，所述的绝缘介质层为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜，厚度为4.权利要求1-3任一项所述的氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，并对金属反射层进行图形化处理，图形化后的金属反射层形成若干个金属块；所述金属块与半导体基座上的读出电路电连接；然后，在完成图形化金属反射层上沉积绝缘介质层，并对绝缘介质层进行图形化处理，并露出金属块；步骤2：在所述的绝缘介质层上沉积牺牲层，并对牺牲层进行图形化处理，在图形化处理后的牺牲层上形成锚点孔，并在图形化处理后的牺牲层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，王宏臣，陈文礼，王鹏，甘先锋，董珊，孙丰沛，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37