混合型发射极全背接触式太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种具有混合型发射极设计的全背接触式太阳能电池。所述太阳能电池具有形成在单晶硅基板(101)的背侧表面上的薄介质层(102)。所述太阳能电池的一个发射极(103)由形成在所述薄介质层(102)上的掺杂多晶硅制成。所述太阳能电池的另一个发射极(108)形成在所述单晶硅基板(101)中并由掺杂单晶硅制成。所述太阳能电池包括接触孔，所述接触孔允许金属触点(107)连接到相应的发射极(108、103)。

【技术实现步骤摘要】
混合型发射极全背接触式太阳能电池本申请是基于申请日为2013年12月17日、申请号为201380067323.6(国际申请号为PCT/US2013/075808)、专利技术创造名称为“混合型发射极全背接触式太阳能电池”的中国专利申请的分案申请。与联邦政府资助的研究或开发有关的声明本文描述的专利技术得到美国政府支持，在美国能源部授予的编号DE-FC36-07GO17043的合同下完成。美国政府可拥有本专利技术的某些权利。
本文中所述主题的实施例整体涉及太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及太阳能电池制造方法和结构。
技术介绍
太阳能电池是为人们所熟知的用于将太阳辐射转换成电能的装置。太阳能电池具有在正常工作期间面向太阳以收集太阳辐射的正面，以及与正面相对的背面。在全背接触式太阳能电池中，所有金属触点和相应的发射极均形成在太阳能电池的背面上。外部电路(如，负载)可连接到将由太阳能电池供电的金属触点。为了节省有商业价值的可再生能源，需要以低成本制造太阳能电池。本专利技术的实施例涉及混合型发射极设计，该设计在保持效率的同时简化太阳能电池的制造。
技术实现思路
在一个实施例中，全背接触式太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造全背接触式太阳能电池的方法，所述方法包括：在单晶硅基板上形成薄介质层；在所述薄介质层上形成所述太阳能电池的第一发射极，其中，所述薄介质层在所述单晶硅基板与所述第一发射极之间，所述第一发射极包含掺杂有第一极性的掺杂物的多晶硅；以及在所述单晶硅基板中形成所述太阳能电池的第二发射极和第三发射极，所述第二发射极和所述第三发射极包含掺杂有与所述第一极性相反的第二极性的掺杂物的单晶硅，所述第一发射极形成在所述第二发射极和所述第三发射极之间，所述第二发射极和所述第三发射极从所述第一发射极的相对端开始形成。

【技术特征摘要】
2012.12.19 US 13/720,7211.一种制造全背接触式太阳能电池的方法，所述方法包括：在单晶硅基板上形成薄介质层；在所述薄介质层上形成所述太阳能电池的第一发射极，其中，所述薄介质层在所述单晶硅基板与所述第一发射极之间，所述第一发射极包含掺杂有第一极性的掺杂物的多晶硅；以及在所述单晶硅基板中形成所述太阳能电池的第二发射极和第三发射极，所述第二发射极和所述第三发射极包含掺杂有与所述第一极性相反的第二极性的掺杂物的单晶硅，所述第一发射极形成在所述第二发射极和所述第三发射极之间，所述第二发射极和所述第三发射极从所述第一发射极的相对端开始形成。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成第一金属触点，所述第一金属触点在所述太阳能电池的背面上连接到所述第一发射极，所述背面与所述太阳能电池的在正常工作期间面向太阳的正面相对；形成第二金属触点，所述第二金属触点在所述太阳能电池的背面上连接到所述第二发射极；以及形成第三金属触点，所述第三金属触点在所述太阳能电池的背面上连接到所述第三发射极。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述薄介质层包含二氧化硅并且直接形成在所述单晶硅基板的表面上。4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第一发射极和所述单晶硅基板的背面上形成第一层材料，其中，所述第一金属触点穿过所述第一层材料但不穿过所述薄介...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗·卢斯科托福，塞温·里姆，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国,US