一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种局部铝背场太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的背面设有钝化层和背电极，所述晶体硅片的前面设有发射极、减反射层和前电极，其特征是：所述晶体硅片的背面的钝化层上设有激光开孔或开槽，所述激光开孔或开槽上设有覆盖所述开孔或开槽的第一层局部背面铝浆，其中所述第一层局部背面铝浆与所述前电极和背电极共同烧结形成，所述第一层局部背面铝浆上设有经高温处理的第二层背面铝浆。该局部铝背场太阳能电池通过优化铝浆印刷以及烧结的工艺使得局部铝背场电池的空洞率大为减小，从而解决了电致发光时出现的黑点黑线问题，提高了电池的光电转化效率。还公开了上述局部铝背场太阳能电池的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
光伏技术是一门利用大面积的p-n结二极管将太阳能转化为电能的技术。这个p-n结二极管叫做太阳能电池。制作太阳能电池的半导体材料都具有一定的禁带宽度，当太阳能电池受到太阳辐射时，能量超过禁带宽度的光子在太阳电池中产生电子空穴对，p-n结将电子空穴对分离，p-n结的非对称性决定了不同类型的光生载流子的流动方向，通过外部电路连接可以向外输出功率。这跟普通的电化学电池原理类似。工业化生产p型晶硅太阳能电池通常采用全铝背场结构，即背面整面印刷铝浆，烧结后形成铝背场。这种结构的缺点是没有背面钝化和背面反射率低，从而影响了电池的电压和电流性能。局部铝背场电池克服了以上缺点，这种电池采用具有钝化效果的薄膜钝化电池背表面同时增加背表面反射率。钝化膜有效钝化硅材料表面存在的大量悬垂键和缺陷(如位错，晶界以及点缺陷等)，从而降低光生载流子硅表面复合速率，提高少数载流子的有效寿命，从而促进太阳能电池光电转化效率的提升。钝化膜同时具有增加背面反射的效果，从而增加硅体材料对太阳光的吸收，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种局部铝背场太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的背面设有钝化层和背电极，所述晶体硅片的前面设有发射极、减反射层和前电极，其特征是：所述晶体硅片的背面的钝化层上设有激光开孔或开槽，所述激光开孔或开槽上设有覆盖所述开孔或开槽的第一层局部背面铝浆，其中所述第一层局部背面铝浆与所述前电极和背电极共同烧结形成，所述第一层局部背面铝浆上设有经高温处理的第二层背面铝浆。

【技术特征摘要】
1.一种局部铝背场太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的背面设有钝化层和背电极，所述晶体硅片的前面设有发射极、减反射层和前电极，其特征是：所述晶体硅片的背面的钝化层上设有激光开孔或开槽，所述激光开孔或开槽上设有覆盖所述开孔或开槽的第一层局部背面铝浆，其中所述第一层局部背面铝浆与所述前电极和背电极共同烧结形成，所述第一层局部背面铝浆上设有经高温处理的第二层背面铝浆。2.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第二层背面铝浆与所述背电极和所述第一层局部背面铝浆直接或间接电连接。3.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第一层局部背面铝浆完全覆盖所述激光开孔或开槽，所述第一层局部背面铝浆的图形与所述激光开孔或开槽的图形相适配，且所述第一层局部背面铝浆的厚度为2～40μm。4.根据权利要求1所述的局部铝背场太阳能电池，其特征是：所述第二层背面铝浆全部覆盖所述第一层局部背面铝浆，且全部或部分覆盖所述晶体硅片的背面，所述第二层背面铝浆的面积占所述晶体硅片背面总面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秀林，吴兰峰，周艳方，张峰，单伟，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32