The invention provides a data erasing method used for a memory device. This data erasing method, according to the word line number to select the target sector as the target word group word group. Through an erase pulse to the coupled storage unit is connected with the target word line erase operation. In order to verify all the bytes to erase a word line in the target word line is coupled to the storage unit. An excessive erase validation is performed on all bit lines when the judgement is unsuccessful as an erase validation. When soft programming operations resulting from excessive erase validation have not been performed, it is determined whether the number of lines is less than a maximum quantity. When the number of lines is determined to be less than the maximum quantity, the number of words lines is increased to re select the word line selection operation. Because the number of word lines using the erase operation of the invention is variable, the probability can not only reduce the erase operation cause leakage phenomenon, but also make the time required to perform the erase operation to meet the operational state.
【技术实现步骤摘要】
数据擦除方法
本专利技术是有关于一种数据擦除方法,特别是有关于一种用于闪存的数据擦除方法。
技术介绍
一般而言,闪存(例如NOR闪存)在执行擦除操作时,会伴随着执行后编程(post-program)操作以消除擦除操作的过度擦除所导致在位线上的漏电现象。但是,当系统的电源在执行擦除或是后编程操作的期间关闭时,漏电现象将可能无法完全消除。因此,发展出通过减少每一扇区(sector)的擦除尺寸(即一次数据擦除所对应的字线数量)来降低漏电现象发生的机率。举例来说,一扇区包括16条字线,而每一次的数据擦除是通过4条字线来完成。如此一来,对于此扇区的擦除操作,则需要通过4次数据擦除来实现。然而,减少擦除尺寸将会延长了每一次擦除操作的时间。因此,如何能以适当的擦除尺寸来进行擦除操作并能减少漏电现象,在存储器装置的
中是个重要的议题。
技术实现思路
因此,本专利技术提供一种数据擦除方法,用于一存储器装置。此存储器装置包括配置成一存储器阵列的多个存储单元、多个字线(wordline)、以及多个位线(bitline)。每一存储单元耦接一组交错的字线与位线。存储单元划分成多个扇区,且每一扇区中的存储单元对应一既定数量的字线。此数据擦除方法包括以下步骤:初始设定关于擦除操作的字线数量;执行字线选取操作,以根据字线数量来选取目标扇区中一字线组来作为目标字线组;通过一擦除脉冲来对耦接目标字线组的存储单元进行擦除操作;选取目标字线组中一字线来做为目标字线,并依序对其所有字节所耦接的多个存储单元进行擦除验证;判断对目标字线的所有字节执行的擦除验证是否皆成功;当判断出任一擦除验证未成功时 ...
【技术保护点】
一种数据擦除方法,用于一存储器装置,其特征在于,该存储器装置包括配置成一存储器阵列的多个存储单元、多个字线、以及多个位线,每一该存储单元耦接一组交错的该字线与该位线,该多个存储单元划分成多个扇区,且每一该扇区中的该多个存储单元对应一既定数量的该多个字线,该数据擦除方法,包括:初始设定关于一擦除操作的一字线数量;执行一字线选取操作,以根据该字线数量来选取一目标扇区中一字线组来作为一目标字线组;通过一擦除脉冲来对耦接该目标字线组的该多个存储单元进行该擦除操作;选取该目标字线组中一字线来做为一目标字线,并依序对其所有字节所耦接的多个存储单元进行一擦除验证;判断对该目标字线的所有字节执行的该多个擦除验证是否皆成功;当判断出任一该多个擦除验证未成功时,对存储器阵列的所有位线依序进行一过度擦除验证;判断是否曾执行过未通过该多个过度擦除验证而导致的一软编程操作;当判断出尚未执行过该软编程操作时,判断该字线数量是否小于一最大数量;以及当判断出该字线数量小于该最大数量时,增加该字线数量,以重新执行该字线选取操作。
【技术特征摘要】
1.一种数据擦除方法,用于一存储器装置,其特征在于,该存储器装置包括配置成一存储器阵列的多个存储单元、多个字线、以及多个位线,每一该存储单元耦接一组交错的该字线与该位线,该多个存储单元划分成多个扇区,且每一该扇区中的该多个存储单元对应一既定数量的该多个字线,该数据擦除方法,包括:初始设定关于一擦除操作的一字线数量;执行一字线选取操作,以根据该字线数量来选取一目标扇区中一字线组来作为一目标字线组;通过一擦除脉冲来对耦接该目标字线组的该多个存储单元进行该擦除操作;选取该目标字线组中一字线来做为一目标字线,并依序对其所有字节所耦接的多个存储单元进行一擦除验证;判断对该目标字线的所有字节执行的该多个擦除验证是否皆成功;当判断出任一该多个擦除验证未成功时,对存储器阵列的所有位线依序进行一过度擦除验证;判断是否曾执行过未通过该多个过度擦除验证而导致的一软编程操作;当判断出尚未执行过该软编程操作时,判断该字线数量是否小于一最大数量;以及当判断出该字线数量小于该最大数量时,增加该字线数量,以重新执行该字线选取操作。2.如权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,更包括:当判断出该字线数量并非小于该最大数量时,判断该擦除脉冲的一电压值是否小于一最大值或判断该擦除脉冲的一脉冲宽度是否小于一最大宽度;以及当判断出该擦除脉冲的该电压值小于该最大值或判断出该擦除脉冲的该脉冲宽度小于该最大宽度时,增加该电压值或增加该脉冲宽度,以重新执行该擦除操作。3.如权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,更包括:当判断出曾执行过该软编程操作时,判断该字线数量是否大于一最小数量;以及当判断出该字线数量大于该最小数量时,减少该字线数量,以重新执行该字线选取操作。4.如权利要求3所述的数据擦除方法,其特征在于,更包括:当判断出该字线数量并非大于该最小数量时,判断该擦除脉冲的一电压值是否大于一最小值或判断该擦除脉冲的一脉冲宽度是否大于一最小宽度;以及当判断出该擦除脉冲的该电压值大于该最小值或判断出该擦除脉冲的该脉冲宽度大于该最小宽度时,减少该电压值或减少该脉冲宽度,以重新执行该擦除操作。5.如权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,当判断出任一该多个擦除验证未成功时,对该存储器阵列的所有位线依序进行该过度擦除验证的步骤包括:对该存储器阵列的一目标位线执行该过度擦除验证;判断该过度擦除验证是否成功;当判断出该过度擦除验证不成功时,界定过度擦除验证失败的该多个存储单元并对该多个存储单元进行该软编程操作;当判断出该过度擦除验证成功时,判断该目标位线是否为该存储器阵列的最后位线;以及当判断出该目标位线并非为该存储器阵列的最后位线时,选取下一位线以作为该目标位线;其中,当判断出该目标位线为该存储器阵列的最后位线时,则执行判断是否曾执行过该软编程操作的步骤。6.如权利要求1所述的数据擦除方法,其特征在于,更包括:判断出该多个擦除验证皆成功时,判断该目标字线的地址是否已经到达该目标字线组的最后地址;以及当判断出该目标字线的地址尚未到达该目标字线组的最后地址时,选取该目标字线组的下一字线,以做为该目标字线。7.如权利要求6所述的数据擦除方法,其特征在于,更包括:当判断出该目标字线的地址已经到达该目标字线组的最后地址时,对耦接该目标字线组的该多个存储单元执行一后编程操作;判断该目标字线组的地址是否已到达该目标扇区的最后地址;以及当判断出该目标字线组的地址尚未到达该目标扇区的最后地址时,执行该字线选取操作,以根据该字线数量来选取该目标扇区中另一字线组以作为该目标字线组。8.一种数据擦除方...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈宗仁,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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