The invention discloses a device and a method for controlling the metal nano grating cycle with a temperature controlled double V structure. The invention is realized by using temperature control method and micro nano processing technology. It can be used in grating optics and micro nano optics field. Fabrication of metal nano gratings and double V symmetrical structures using micro nano fabrication technology, and the precise control of the grating period by using the temperature control of double V symmetry structure. Because of the Joule heat generated by the applied voltage under the double V symmetry structure, the temperature rise causes the V structure to stretch, and the grating cycle can be changed continuously at nanometer level. The application range of temperature controlled V shape symmetrical structure is extended, which provides valuable reference for grating optics and micro nano optical development.
【技术实现步骤摘要】
温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置
本专利技术属于一种构筑双V形对称结构并连续调节位于其上的纳米光栅周期的装置和方法,具体涉及微纳光学、光栅光学等领域。
技术介绍
微纳光学的迅速发展和光栅光学的深入研究为微型化光栅的研究与应用打下了坚实的基础。光栅是一个具有等宽等间距的平行狭缝的常用光学器件,一般常用的光栅是大量的平行刻痕,刻痕不透光,相邻两刻痕间透光,这种利用透射光衍射的光栅为透射光栅,利用两刻痕间的反射光衍射的光栅,如在镀有金属层的表面上刻出许多平行刻痕,两刻痕间的光滑金属面可以反射光,这种光栅称为反射光栅。随着光栅应用范围的增加,研究者对光栅精度要求越来越高,微纳光学的发展促成了纳米光栅的产生,制作纳米光栅的方法有很多。本专利技术中,使用了电子束曝光技术制作金属纳米光栅。目前,在光栅光学领域,传统的光栅在制作出来以后无法再改变其周期,而很多研究中需要使用周期可变的光栅来进行精密连续的研究过程,鉴于此,本专利技术中利用双V形对称结构通过温控原理能够精确地连续调节金属纳米光栅周期,实现连续改变光栅周期的实时研究。为解决精密连续调节金属光栅周期用以实 ...
【技术保护点】
一种温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置,其特征在于,包括双V形结构装置、金属纳米光栅结构、绝缘衬底上的硅(SOI)、金属沉积层(金)。
【技术特征摘要】
1.一种温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置,其特征在于,包括双V形结构装置、金属纳米光栅结构、绝缘衬底上的硅(SOI)、金属沉积层(金)。2.根据权利要求1所述的温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置,其特征在于,所述双V形结构装置具有优良的稳定性和可控性,不同的外加电压和时间可以控制其产生的焦耳热量,从而提升不同的温度,进而不同程度地改变金属纳米光栅周期的大小,装置的平面可拉伸位移为一百多纳米,能够在纳米量级精确调控金属光栅周期,且由于装置的平面特性,可以在使用光栅的同时精密调节光栅周期。3.根据权利要求1所述的温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置,其特征在于,所述纳米光栅结构是利用微纳加工工艺在双V形对称结构的中间部分加工成的。4.根据权利要求1所述的温控双V形结构精密调节金属纳米光栅周期的装置,其特征在于,金属沉积层(金)附着在绝缘衬底上的硅(SOI)表面,用于刻蚀金属纳米光栅以及对其施加电压。5.一种温控双V形结构精密连续调节金属纳米光栅周期的装置以及调节...
【专利技术属性】
技术研发人员:向东,王玲,赵智凯,张伟强,倪立发,
申请(专利权)人:南开大学,
类型:发明
国别省市:天津,12
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