The invention discloses a sandwich type SiC composite material and a preparation process thereof. The composite material is formed by mixing the Cu50Zr40Ti10 flaky amorphous alloy powder and the spherical SiC/NiP composite powder uniformly and then forming by hot pressing. Cu50Zr40Ti10 flake amorphous alloy powder is obtained by ball milling of spherical Cu50Zr40Ti10 amorphous alloy atomized powder. The spherical SiC/NiP composite powder is formed by coating NiP amorphous alloy coating on the spherical SiC powder by chemical plating. The coefficient of linear expansion of the composite is 7.6 * 10
【技术实现步骤摘要】
一种三明治型SiC复合材料及其制备工艺
本专利技术涉及一种三明治型SiC复合材料及其制备工艺。
技术介绍
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐腐蚀、耐高温、耐磨性能好,功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料,用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。然而碳化硅产品的制备工艺复杂,烧结温度高(一般为2000℃以上),很难达到全致密度,限制了其应用范围。因此,降低碳化硅的成型温度,简化其制备工艺,并到达全致密度具有重要的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三明治型SiC复合材料及其制备工艺。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的:一种三明治型SiC复合材料,其特征在于:所述复合材料由5wt%的Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末与95wt%的SiC/NiP球形复合粉末均匀混合后,再进行热压成型而获得的完全致密的块体复合材料,其中所述Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末是通过球磨Cu50Zr40Ti10球形雾化非晶粉末而获得,其玻璃转变温度为306.5℃,晶化温度为354.6℃;所述SiC/NiP球形复合粉末是通过化学镀方法在球形SiC粉末上包裹NiP非晶合金镀层而成。本专利技术所得复合材料的线膨胀系数为7.6×10-6K-1、导热系数为106.6W/m·K以及密度为4.25g/cm3。本专利技术所述三明治型SiC复合材料的制备工艺,其特征在于包括如下步骤:先将Cu50Zr40Ti10球形雾化非晶粉末放入真空球磨罐中并充满无水乙醇,在球料比为25:1、球磨速度为400转/分钟的条件下,球磨2小时后获得 ...
【技术保护点】
一种三明治型SiC复合材料,其特征在于:所述复合材料由5wt%的 Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末与95wt%的SiC/NiP球形复合粉末均匀混合后,再进行热压成型而获得的完全致密的块体复合材料,其中所述Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末是通过球磨Cu50Zr40Ti10球形雾化非晶粉末而获得,其玻璃转变温度为306.5℃,晶化温度为354.6℃;所述SiC/NiP球形复合粉末是通过化学镀方法在球形SiC粉末上包裹NiP非晶合金镀层而成。
【技术特征摘要】
1.一种三明治型SiC复合材料,其特征在于:所述复合材料由5wt%的Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末与95wt%的SiC/NiP球形复合粉末均匀混合后,再进行热压成型而获得的完全致密的块体复合材料,其中所述Cu50Zr40Ti10片状非晶合金粉末是通过球磨Cu50Zr40Ti10球形雾化非晶粉末而获得,其玻璃转变温度为306.5℃,晶化温度为354.6℃;所述SiC/NiP球形复合粉末是通过化学镀方法在球形SiC粉末上包裹NiP非晶合金镀层而成。2.根据权利要求1所述的三明治型SiC复合材料,其特征在于:所述复合材料的线膨胀系数为7.6×10-6K-1、导热系数为106.6W/m·K以及密度为4.25g/cm3。3.根据权利要求1所述的一种三明治型SiC复合材料的制备工艺,其特征在于包括如下步骤:先将Cu5...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡安辉,胡优生,安琪,周果君,罗云,李小松,丁超义,
申请(专利权)人:湖南理工学院,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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