氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜制造技术
Oxide sintered body, target for sputtering, and oxide semiconductor film obtained using the same
An oxide sintered body, and sputtering using the oxide sintered body target, in terms of the oxide sintered body by sputtering into oxide semiconductor thin film can be obtained when the low carrier concentration, high carrier mobility. The oxide sintered body contains indium, gallium and aluminum in the form of oxides. The content of gallium in Ga/ (In+Ga) atomic ratio is more than 0.15 and less than 0.49, and the content of aluminum in Al/ (In+Ga+Al) atomic ratio meter is more than 0.0001, and less than 0.25. For a crystalline oxide semiconductor film formed by using the oxide sintered body as a sputtering target, the carrier concentration is 4 * 10
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物烧结体、溅射用靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜
本专利技术涉及氧化物烧结体、靶、以及使用其得到的氧化物半导体薄膜，更详细地，本专利技术涉及通过含有铟、镓、以及铝从而能降低非晶质的氧化物半导体薄膜的载流子浓度的溅射用靶、含有最适于得到该溅射用靶的铟、镓及铝的氧化物烧结体、以及使用其得到的显示出低载流子浓度和高载流子迁移率的非晶质的含有铟、镓以及铝的氧化物半导体薄膜。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，下面记作TFT)是场效应晶体管(FieldEffectTransistor，下面记作FET)的一种。TFT是具有栅极端子、源极端子和漏极端子作为基本结构的三端子元件，是一种有源元件，可将成膜于基板的半导体薄膜用作电子或空穴移动的沟道层，对栅极端子施加电压而控制流过沟道层的电流，具有对源极端子与漏极端子间的电流进行开关的功能。TFT是目前实际应用最广泛的电子器件，其典型的用途是用作液晶驱动用元件。作为TFT，目前最广泛应用的是以多晶硅膜或非晶硅膜为沟道层材料的金属-绝缘体-半导体-FET(Metal-Insulator-Semicond...
【技术保护点】
一种氧化物烧结体，其特征在于，含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量为0.15以上且0.49以下，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的所述铝的含量为0.0001以上且小于0.25。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.25 JP 2014-2378081.一种氧化物烧结体，其特征在于，含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量为0.15以上且0.49以下，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的所述铝的含量为0.0001以上且小于0.25。2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其特征在于，所述氧化物烧结体由方铁锰矿型结构的In2O3相以及作为In2O3相以外的生成相的β-Ga2O3型结构的GaInO3相构成，或者由方铁锰矿型结构的In2O3相以及作为In2O3相以外的生成相的β-Ga2O3型结构的GaInO3相与(Ga，In)2O3相构成。3.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，以Al/(In+Ga+Al)原子数比计的所述铝的含量为0.01...
【专利技术属性】
技术研发人员：西村英一郎，中山德行，松村文彦，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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