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一种氧化物烧结体、以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶，对所述氧化物烧结体而言，通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时，能够得到低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及铝。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量...
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