一种高导热低膨胀W-Cu封装材料的制备方法技术
Preparation method of W Cu packaging materials with a high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient
The present invention provides a chemical suitable for mass production, small size and distribution, agglomeration of nano W Cu composite powder weak coprecipitation preparation method. The method has the advantages of simple freezing, simple process, great reduction of powder agglomeration, low requirement for roasting and reduction time, stable product performance and large allowable range of stirring speed.
【技术实现步骤摘要】
一种高导热低膨胀W-Cu封装材料的制备方法
本专利技术属于纳米粉体制备应用
，具体涉及提供一种高导热低膨胀W-Cu纳米封装材料的制备方法，更确切地说是采用化学共沉淀制备。
技术介绍
随着集成电路的封装密度的不断提高以及大功率化，对电子封装材料的要求也越来越苛刻。传统的电子封装材料如Invar、Kovar、W、Mo等由于其单一的性能已经不能满足封装行业日益发展的需要，这就使得低膨胀、低密度、高导热和合适强度和生产成本的新型电子封装材料的研制变得十分迫切，一般来说，复合材料由于其性能的可调性，能够充分利用各种单一材料的优点，制备出综合性能优异的材料，从而满足微电子工业发展的需要。微电子封装材料及集成电路的热沉材料都要求低膨胀高导热复合材料，其性能不仅要求热膨胀系数小于7*10-6/K(20℃)，而且要求具有很高的导热性能。W-Cu复合材料在满足低于此热膨胀系数的同时，理论导热率可高达190～210W/(m·K)，明显地优于传统的W-Mo热沉材料，因此W-Cu复合材料是一种具有优良性能的低膨胀高导热复合材料。而且更可贵的是，这种材料的导热性和热膨胀性具有可设计性，...
【技术保护点】
一种高导热低膨胀W‑Cu封装材料的化学共沉淀制备方法，其特征在于，所制备的纳米材料满足下式所示的组分：(100‑x)％W‑x％Cu该式表示铜元素质量比例为x％的钨铜合金，其中10≤x≤30；具体制备步骤如下：1)边搅拌边将硝酸铜溶液加入到钨酸铵溶液中；2)搅拌至完全混合；在第一步的混合物中加入酸调节至PH为1.5～4；继续搅拌0.5～3h；3)常温静置陈化，陈化后再依次加入去离子和无水乙醇离心过滤、烘干、煅烧，得到氧化钨铜复合粉体；4)氧化钨铜复合粉体可以进一步通过充分研碎，经强排水透气式管式炉低温还原后钢模成型后；5)将钢模置于氢气炉中还原烧结，得到W‑Cu复合材料。
【技术特征摘要】
1.一种高导热低膨胀W-Cu封装材料的化学共沉淀制备方法，其特征在于，所制备的纳米材料满足下式所示的组分：(100-x)％W-x％Cu该式表示铜元素质量比例为x％的钨铜合金，其中10≤x≤30；具体制备步骤如下：1)边搅拌边将硝酸铜溶液加入到钨酸铵溶液中；2)搅拌至完全混合；在第一步的混合物中加入酸调节至PH为1.5～4；继续搅拌0.5～3h；3)常温静置陈化，陈化后再依次加入去离子和无水乙醇离心过滤、烘干、煅烧，得到氧化钨铜复合粉体；4)氧化钨铜复合粉体可以进一步通过充分研碎，经强排水透气式管式炉低温还原后钢模成型后；5)将钢模置于氢气炉中还原烧结，得到W-Cu复合材料。2.根据权利要求1所述的高导热低膨胀W-Cu封装材料的化学共沉淀制备方法，其特征在于，所述的步骤1)中的钨酸铵溶液的溶度为0.01～0.5mol/L；硝酸铜浓度为0.05～1.0mol/L，加入硝酸铜时控制搅拌速率为50～150r/min。3.根据权利要求1所述的高导热低膨胀W-Cu封装材料的化学共沉淀制备方法，其特征在于，所述的步骤2)中加入的酸为硝酸，所述的pH优选为1.5～4；硝酸铜完全加入后控制搅拌速率为200～600r/min，搅拌0.5～3h。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乐，甄方正，王忠英，魏帅，高光珍，王骋，陈浩，
申请(专利权)人：江苏师范大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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