一种发光二极管LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管LED芯片，属于半导体技术领域。所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，N型层上设有N型电极，N型层、凹槽的侧壁和透明导电层上覆盖有钝化层，衬底的第二表面设有反射层，衬底的第二表面为与衬底的第一表面相反的表面，LED芯片的侧面与LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°，LED芯片的底面为反射层的表面，LED芯片的侧面为LED芯片的底面的相邻表面。本实用新型专利技术可以提高LED的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管LED芯片
本技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片。
技术介绍
GaN基发光二极管(LightEmittingDiodes，简称LED)作为固态照明光源，具有节能、环保、可靠性高、寿命长等优点，广泛应用于照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，是目前研究的热点。现有的LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，N型层上设有N型电极，P型层上设有P型电极。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：GaN的折射率和空气的折射率相差很大，从芯片发光层发出的光，仅有一部分光可以从器件内部射出，大部分光都被限制在GaN内，导致LED的出光效率较低。
技术实现思路
为了解决现有技术LED的出光效率较低的问题，本技术实施例提供了一种发光二极管芯片。所述技术方案如下：本技术实施例提供了一种发光二极管LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，所述N型层上设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述N型层、所述凹槽的侧壁和所述透明导电层上覆盖有钝化层，所述衬底的第二表面设有反射层，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面，其特征在于，所述LED芯片的侧面与所述LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°，所述LED芯片的底面为所述反射层的表面，所述LED芯片的侧面为所述LED芯片的底面的相邻表面。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管LED芯片，所述LED芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底的第一表面的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上依次层叠有电流阻挡层、透明导电层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述N型层、所述凹槽的侧壁和所述透明导电层上覆盖有钝化层，所述衬底的第二表面设有反射层，所述衬底的第二表面为与所述衬底的第一表面相反的表面，其特征在于，所述LED芯片的侧面与所述LED芯片的底面的夹角大于90°且小于180°，所述LED芯片的底面为所述反射层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫婷，刘小星，顾小云，王力明，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33