本发明专利技术实施例公开了一种高温型电阻及其制备方法，涉及耐高温电阻技术领域。所述高温型电阻由以下的重量份数原料制备而成：高分子聚合物40‑65份，炭黑25‑50份，氢氧化银1‑10份，硅烷偶联剂1‑5份，对苯二酚0.1‑2份，分散助剂0.01‑0.1份。通过配料、球磨、成型，被银，焊接，包封等步骤制备出组分分散均匀，一致性、重复性、稳定性优良的电阻。
High temperature type resistor and preparation method thereof
The embodiment of the invention discloses a high temperature resistance and a preparation method thereof, relating to the technical field of high temperature resistance. The high temperature resistance by the weight of a raw material for the following: 40 prepared polymer 65, black 25 agoh 1 50 copies, 10 copies, 5 copies of the 1 silane coupling agent, hydroquinone 0.1 2 copies, 0.1 copies of 0.01 dispersant. Through the batching, ball milling and molding, the resistance of the component is well dispersed, consistent, repeatable and stable by silver, welding and encapsulation.
【技术实现步骤摘要】
一种高温型电阻及其制备方法
本专利技术涉及耐高温电阻
，尤其涉及一种高温型电阻及其制备方法。
技术介绍
以高分子导电复合材料为基材的正温度系数热敏电阻，在临界转变温度的前后，使电阻率发生几个数量级的变化，即PTC的电阻可随其使用的环境温度的升高而增加，从而可以在较高温度下减小或切断电流，起到过流、过温保护，目前，这类器件已经在各种电路保护装置中大量使用，如锂离子电池、汽车马达等。一般的，填充导电粒子的结晶高分子复合材料可表现出正温系数PTC现象，也就是说在较低的温度时，这类导体呈现较低的电阻率，而当温度升高到达高分子聚合物熔点以上，电阻率会急速升高。目前常规的聚合物材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA、EAA、EBA，导电填料包括炭黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、铝粉等。目前一般生产企业制造热敏电阻粉体使用的工艺为：称料、加入施主杂质球磨混料、烘干、压块1150℃预合成、粉碎、称料、加入受主杂质和烧结助剂球磨混料、加入余料量为8%的浓度为10%的PVA、喷雾造粒。按此工艺生产的电阻组份分散不均匀、晶粒大小不匀、α系数低、耐电压性能差，使用时容易出现热击穿等致命缺陷。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种高温型电阻及其制备方法，原料简单，，组分分散均匀，较高的耐电压能力，具有较好的耐压等级，稳定性、一致性、重复性好，提升了器件在高温高压下的可靠性。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本专利技术的实施例提供一种高温型电阻，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40-65份，炭黑25-50份，氢氧化银1-10份，硅烷偶联剂1-5份，对苯二酚0.1-2份，分散助剂0.01-0.1份。进一步的，所述的一种高温型电阻元件是以下重量份数的原料制备而成：高分子聚合物50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂1-3份，对苯二酚0.5-1份，分散助剂0.03-0.08份。进一步的，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。进一步的，所述分散助剂是二氧化锰，三氧化二锑，碳酸锂的混合物。进一步的，所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成：二氧化锰40-60份，三氧化二锑40-60份，碳酸锂10-30份。本专利技术还提供了一种高温型电阻的制备方法，包括：S1、将所有粉料混合均匀，在一定配比的溶剂中研磨成纳米粉末；S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200-250℃，混炼30-60分钟，压成薄片；S3、将步骤2得到的薄片在1100-1400℃条件下烧结2-3小时，缓慢降温至100℃，保温1-2小时，自然冷却，得到半导体材料；S4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。S5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。进一步的，所述一定配比的溶剂是由以下体积份数的原料组成：乙醇70-90份，甲苯5-10份，分散剂1-5份，塑化剂0.1-0.5份。进一步的，所述分散剂是水解聚马来酸酐，聚乙烯，乙烯-丙烯酸共聚物的一种或多种混合物。进一步的，所述塑化剂是邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯，邻苯二甲酸二辛酯，邻苯二甲酸二异癸酯的一种。本专利技术实施例提供的一种高温型电阻及其制备方法，具有以下优点：（1）制备工艺简单可行，生产成本低廉；（2）组分分散均匀，晶粒大小匀称、α系数高；（3）耐压耐高温，衰减性能较好；（4）稳定性、一致性、重复性好。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1一种高温型电阻，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氢氧化银1-5份，硅烷偶联剂1-2份，对苯二酚0.1-0.5份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。一种高温型电阻制备方法，包括：S1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇70-80份，甲苯5-7份，水解聚马来酸酐1-3份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.1-0.3份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200℃，混炼60分钟，压成薄片；S3、将步骤2得到的薄片在1200℃条件下烧结3小时，缓慢降温至100℃，保温1小时，自然冷却，得到半导体材料；S4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。S5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。实施例2一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氢氧化银1-5份，硅烷偶联剂1-2份，对苯二酚0.1-0.5份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。一种高温型电阻制备方法，包括：S1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇80-90份，甲苯7-10份、水解聚马来酸酐3-5份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.3-0.5份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度250℃，混炼30分钟，压成薄片；S3、将步骤2得到的薄片在1350℃条件下烧结2小时，缓慢降温至100℃，保温2小时，自然冷却，得到半导体材料；S4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。S5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。实施例3一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂2-3份，对苯二酚0.5-1份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。一种高温型电阻制备方法，包括：S1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇70-80份，甲苯5-7份，水解聚马来酸酐1-3份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.1-0.3份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200℃，混炼60分钟，压成薄片；S3、将步骤2得到的薄片在1200℃条件下烧结3小时，缓慢降温至100℃，保温1小时，自然冷却，得到半导体材料；S4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。S5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。实施例4一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂2-3份，对苯二酚0.5-1份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。一种高温型电阻制备方法，包括：S1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇80-90份，甲苯7-10份、水解聚马来酸酐3-5份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.3-0.5份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；S2、将步骤1得到的纳本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高温型电阻，其特征在于，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40‑65份，炭黑25‑50份，氢氧化银1‑10份，硅烷偶联剂1‑5份，对苯二酚0.1‑2份，分散助剂0.01‑0.1份。
【技术特征摘要】
1.一种高温型电阻，其特征在于，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40-65份，炭黑25-50份，氢氧化银1-10份，硅烷偶联剂1-5份，对苯二酚0.1-2份，分散助剂0.01-0.1份。2.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，包括以下重量份数的原料制备而成：高分子聚合物50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂1-3份，对苯二酚0.5-1份，分散助剂0.03-0.08份。3.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。4.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述分散助剂是二氧化锰，三氧化二锑，碳酸锂的混合物。5.根据权利要求1所述的一种高温型电阻，其特征在于，所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成：二氧化锰40-60份，三氧化二锑40-60份，碳酸锂10-30份。6.一种高温型电阻制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将所有粉...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，王梅凤，汤成平，高进，唐敏，薛云峰，
申请(专利权)人：句容市博远电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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