毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件制造技术

本发明专利技术提出的一种毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件。旨在提供一种为毫米波频段有源相控阵天线集成度更高的瓦式TR组件。本发明专利技术通过下述技术方案予以实现：TR组件模块从Z向空间上的内设空间划分为独立的上下两个扩展空间，并在TR组件上装配体与TR组件下装配体之间，从上至下依次集成有电路板(8)、中层金属隔板(3)和多层电路板组件，且多层电路板组件上线阵分布有芯片组(6)，第一多层电路板固联于第二多层电路板下方的凹槽上，组成一个固联为一体的集成组件，该集成组件一体固联在下装配体两侧边的矩形凸台上，大功率器件集成于靠近下装配体的下层扩展空间，并以第二多层电路板实现两个独立扩展空间之间的电气连通。

Mm bhowa type phased array antenna integrated TR module

A phased array antenna integrated TR mm bhowa component provided by the invention. The aim is to provide a tile type TR assembly with a higher degree of integration for the millimeter wave band active phased array antenna. The invention is realized by the following technical scheme: TR module from the Z to the space of the internal space is divided into independent expansion space of the two, and the TR component with ligand and TR assembly components, from top to bottom integrated circuit board (8), middle (3 metal separator) and multilayer circuit board assembly, and a multi-layer circuit board assembly line array chip distribution group (6), the first multilayer circuit board fixedly connected to the lower part of the second grooves of the multi-layer circuit board, composed of a solid component integrated together, the development of integrated component is fixedly connected with the rectangular lug down on both sides of the ligand on the high power devices are integrated in the lower bottoms near the ligand and to expand the space, the second multilayer circuit board to realize electrical expansion between two independent connected space.

【技术实现步骤摘要】
毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件
本专利技术涉及一种可工作于卫星通信、雷达、制导等系统的二维有源相控阵天线，其工作频段为毫米波频段，支持单通道数瓦发射功率的瓦式TR组件。
技术介绍
随着工作频段逐步向更高频率扩展，通信、雷达及制导领域的系统工作频段越来越高，毫米波频段的有源相控阵天线显示出了十分迫切的应用需求,特别是在车载多功能传感器及有源防护、卫星通信、精确制导等高机动、高价值平台对毫米波频段二维有源相控阵天线提出迫切的需求。毫米波二维有源相控阵天线特点是电控切换波束扫描，扫描速度快、波束成型灵活性高、阵元规模大、集成度高，要求设备小型化以适应平台安装。通常实现高密度集成二维有源相控阵天线，按电路组装形式可划分为两种方式：横向集成纵向组装(TILA-TransverselyIntegratedandLongitudinallyAssembled)，即“瓦式”；纵向集成横向组装(LITA-LongitudinallyIntegratedandTransverselyAssembled)，即“砖式”。瓦式相控阵方式的MMIC分布在与天线口径面平行的平面内，通过纵向的层叠组装形成相控阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件，包括：集成有至少两排线阵射频端口的TR组件上装配体(1)，底部设有公共射频端口的TR组件下装配体(2)，其特征在于：在同一个TR组件模块中，TR组件模块从Z向的内设空间上，划分为独立的上下两个扩展空间，并在TR组件上装配体(1)与TR组件下装配体(2)之间，从上至下依次集成有电路板(8)、中层金属隔板(3)、第二多层电路板(5)和第一多层电路板(4)，从而构成多层电路板组件；在多层电路板组件上，线阵分布有功率芯片组(6)，并将第一多层电路板(4)固联于第二多层电路板(5)下方的凹槽上，形成一个固联为一体的集成组件，该集成组件一体固联在下装配体(2)两侧边的...

【技术特征摘要】
1.一种毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件，包括：集成有至少两排线阵射频端口的TR组件上装配体(1)，底部设有公共射频端口的TR组件下装配体(2)，其特征在于：在同一个TR组件模块中，TR组件模块从Z向的内设空间上，划分为独立的上下两个扩展空间，并在TR组件上装配体(1)与TR组件下装配体(2)之间，从上至下依次集成有电路板(8)、中层金属隔板(3)、第二多层电路板(5)和第一多层电路板(4)，从而构成多层电路板组件；在多层电路板组件上，线阵分布有功率芯片组(6)，并将第一多层电路板(4)固联于第二多层电路板(5)下方的凹槽上，形成一个固联为一体的集成组件，该集成组件一体固联在下装配体(2)两侧边的矩形凸台上，其中，第一多层电路板(4)嵌入在下装配体(2)中部的通槽中，大功率器件集成于靠近下装配体(2)的下层扩展空间，并以第二多层电路板(5)实现两个独立扩展空间之间的电气连通。2.如权利要求1所述的毫米波瓦式TR组件，其特征在于：TR组件上装配体(1)内表面与中层金属隔板(3)之间为上层扩展空间，中层金属隔板(3)与下装配体(2)之间为下层扩展空间，并将多层电路板组件混合集成于上述扩展空间之中。3.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件，其特征在于：射频信号从位于下装配体(2)底部的射频同轴连接器(7)馈入，经位于下层扩展空间内的第一多层电路板(4)上集成的功分网络功率分配后，馈入到功率芯片组(6)内各芯片，经功率芯片组(6)处理后的信号经由键合金丝与第二多层电路板(5)表面传输线连通，通过第二多层电路板(5)内部垂直互联结构输出至中层金属隔板(3)上表面齐平的高频微带线出口，再经金丝将信号传输至中层金属隔板(3)表面的功率芯片组(6)内其它芯片或电路板(8)，再经集成于高频电路板(8)表面的垂直互联结构，由2N对射频同轴连接器(7)输出，接收工作时，射频信号以相反方向通过TR组件。4.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线集成TR组件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵青，
申请(专利权)人：西南电子技术研究所中国电子科技集团公司第十研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51