粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其包括：将粒径大于50nm且表面氧化层厚度小于2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度低于所述基底表层的玻璃化温度。本发明专利技术还公开了一种粘附性高的铜导电薄膜及其应用。本发明专利技术提供的粘附性高导电铜膜的制备方法操作简单，可采用非常低的氙灯功率，能耗低，且需额外添加增粘剂即可在低玻璃化转变温度衬底上实现粘附性高导电铜膜的制备，适于工业化生产。

Copper conductive film with high adhesion, preparation method and application thereof

The invention discloses a method of copper conductive film with high adhesion preparation comprises a copper particle diameter greater than 50nm and the surface oxide thickness less than 2nm dispersed in the surface of the substrate, forming a copper film on the sintering of xenon lamp; copper film in air, forming a copper conductor film. The xenon lamp power should be used in the substrate bearing surface during sintering temperature below the glass transition temperature of the substrate surface. The invention also discloses a copper conductive film with high adhesion and an application thereof. Preparation method of high adhesion conductive copper film provided by the invention has the advantages of simple operation, the xenon lamp power is very low, low energy consumption, and need additional tackifier can achieve high adhesion conductive copper film on the substrate in the low glass transition temperature of the preparation, and is suitable for industrialized production.

【技术实现步骤摘要】
粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用
本专利技术涉及一种导电铜膜，特别是一种粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用，属于印刷电子

技术介绍
近年来，柔性电子能够直接应用于三维自由曲面工作环境，促进生物医疗、休闲娱乐等领域人—机信息融合与交互，满足便携性、舒适性等方面的使用需求，从而将大大扩展了当前电子产品的应用范围，因此受到工业界的广泛关注。在柔性衬底上(如PET、PEN、PI等)印刷制备银基导线的工艺(包括墨水制备、印刷工艺、烘烤烧结工艺等)已经非常成熟，但是银基导线的原料成本非常高，并且银迁移能力非常好，导致其商业化成本很高，并且在某些领域不能应用。现阶段，铜基电子技术具有成本低廉，迁移能力较差，并且电导率很高，是银基电子技术的主要替代技术。然而，因为铜具有容易氧化的特性，导致其应用受到极大的限制。近年来，随着氙灯烧结技术的发展，解决了铜在空气中烧结的难题。但是，对于在低玻璃化转变温度的衬底上(如PET、PEN等)设置铜线路的器件，采用氙灯烧结的方式仍具有非常大的缺陷，这是由于氙灯在瞬间(几毫秒或者几十毫秒)释放非常大量的光能，铜瞬间吸收产生非常高的温度，会严重破坏衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其特征在于包括：将粒径为50～300nm且表面氧化层厚度为0～2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度低于所述基底表层的玻璃化温度。

【技术特征摘要】
1.一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其特征在于包括：将粒径为50～300nm且表面氧化层厚度为0～2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度低于所述基底表层的玻璃化温度。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：将所述铜颗粒分散于溶剂中形成分散液；以所述分散液作为墨水，通过印刷方式于所述基底表面形成所述铜膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述印刷方式包括丝网印刷、气溶胶印刷、凹版印刷、喷墨印刷中的任意一种。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述分散液由所述铜颗粒和溶剂组成，所述溶剂包括水和/或有机溶剂，所述有机溶剂包括乙醇，乙二醇，二乙二醇，三乙二醇，乙二醇甲醚，正丁醇，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴馨洲，陈征，邵霜霜，崔铮，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32