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本发明公开了一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其包括：将粒径大于50nm且表面氧化层厚度小于2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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