半导体器件和电路保护方法技术

技术编号:15867259 阅读:77 留言:0更新日期:2017-07-23 16:34
半导体器件包括第一晶体管和钳位电路。第一晶体管布置为根据控制信号产生输出信号。钳位电路布置为根据输入信号产生控制信号,并且布置为当输入信号超过预定的信号电平时,将控制信号钳制在预定的信号电平处。本发明专利技术实施例涉及半导体器件和电路保护方法。

Semiconductor device and circuit protection method

The semiconductor device includes a first transistor and a clamp circuit. The first transistor is arranged to generate an output signal according to the control signal. The clamping circuit is arranged to generate a control signal according to the input signal and is arranged to clamp the control signal at a predetermined signal level when the input signal exceeds a predetermined signal level. Embodiments of the present invention relate to semiconductor devices and circuit protection methods.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和电路保护方法
本专利技术实施例涉及半导体器件和电路保护方法。
技术介绍
功率器件用于输出高功率信号。例如,功率器件可集成在发送器中,从而用于驱动大功率传输信号。功率器件也可集成在功率转换器件中。尽管功率器件设计为处理大功率信号,仍可通过高压尖峰破坏功率器件。高压尖峰可导致功率器件中的瞬时高电流,从而击穿功率器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例,提供了一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及钳位电路,布置为根据输入信号产生所述控制信号,并且布置为当所述输入信号超过预定的信号电平时,将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。根据本专利技术的另一实施例,还提供了一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及第二晶体管,布置为将所述控制信号钳制在预定的信号电平处;其中,所述预定的信号电平基于所述第二晶体管的阈值电压。根据本专利技术的又一些实施例,还提供了一种电路保护方法,包括:提供第一晶体管以根据控制信号产生输出信号;提供第二晶体管以根据输入信号产生所述控制信号;当所述输入信号超过预定的信号电平时,使用所述第二晶体管将本文档来自技高网...
半导体器件和电路保护方法

【技术保护点】
一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及钳位电路,布置为根据输入信号产生所述控制信号,并且布置为当所述输入信号超过预定的信号电平时,将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。

【技术特征摘要】
2015.12.18 US 62/269,618;2016.09.08 US 15/259,9761.一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及钳位电路,布置为根据输入信号产生所述控制信号,并且布置为当所述输入信号超过预定的信号电平时,将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述控制信号是所述第一晶体管的栅极端子和所述第一晶体管的源极端子之间的电压降,并且当所述输入信号高于所述预定的信号电平时,所述钳位电路布置为将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,当所述输入信号高于所述预定的信号电平时,所述钳位电路布置为将所述第一晶体管的栅极端子上的栅极电流钳制在预定的电流处。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一晶体管具有第一阈值电压,并且所述钳位电路包括:第二晶体管,具有与所述第一阈值电压不同的第二阈值电压。5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一阈值电压和所述第二阈值电压具有不同的极性。6.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:关文豪姚福伟苏如意黄敬源
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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