用于紫外发射装置的封装制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于紫外发射装置的封装。本发明专利技术的实施例包含发光二极管LED，其包含半导体结构。所述半导体结构包含有源层，其安置于n型区域与p型区域之间。所述有源层发射UV辐射。所述LED安置于安装座上。所述安装座安置于传导性金属块上。支撑件环绕所述传导性金属块。所述支撑件包含安置于底部表面上的导电接触垫及安置于所述传导性金属块下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED。

【技术实现步骤摘要】
用于紫外发射装置的封装
本专利技术涉及用于半导体装置的封装，且更特定来说，涉及用于紫外发射装置的封装。
技术介绍
III族氮化物材料(其包含(Al、Ga、In)—N及其合金)的带隙从InN的非常窄的隙(0.7eV)延伸到AlN的非常宽的隙(6.2eV)，从而使III族氮化物材料高度适用于跨越从近红外延伸到深紫外的较宽的光谱范围的光电子应用(例如，发光二极管(LED)、激光二极管、光学调制器及检测器)。可在有源层中使用InGaN获得可见光LED及激光器，而紫外(UV)LED及激光器需要较大带隙的AlGaN。期望具有在230到350nm的范围内的发射波长的UVLED获得广泛范围的应用，其中多数是基于UV辐射与生物材料之间的相互作用。典型的应用包含表面消毒、水净化、医疗装置及生物化学、用于超高密度光学记录的光源、白光照明、荧光分析、感测及零排放汽车。
技术实现思路
本申请案涉及一种装置，其包括：发光二极管(LED)，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置于n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射UV辐射；安装座，其中所述LED安置于所述安装座上；及支撑件，其环绕传导性金属块，所述支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，其包括：发光二极管LED，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置于n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射UV辐射；安装座，其中所述LED安置于所述安装座上；及支撑件，其环绕传导性金属块，所述支撑件包括安置于底部表面上的导电接触垫及安置于所述传导性金属块下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED；其中所述安装座安置于所述传导性金属块上。

【技术特征摘要】
2015.12.30 US 14/984,8621.一种装置，其包括：发光二极管LED，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置于n型区域与p型区域之间的有源层，其中所述有源层发射UV辐射；安装座，其中所述LED安置于所述安装座上；及支撑件，其环绕传导性金属块，所述支撑件包括安置于底部表面上的导电接触垫及安置于所述传导性金属块下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED；其中所述安装座安置于所述传导性金属块上。2.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：直接接触所述p型区域的第一金属层及直接接触所述n型区域的第二金属层，其中所述第一及第二金属层两者都形成于所述半导体结构的第一侧上。3.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括光学耦合到所述LED的主表面的透明光学器件。4.根据权利要求3所述的装置，其进一步包括安置于所述透明光学器件与所述主表面之间的粘合剂，其中所述粘合剂厚度不超过200μm。5.根据权利要求3所述的装置，其中所述透明光学器件包括圆顶表面。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述LED电连接且机械连接到所述安装座的顶部表面，其中所述安装座的整个底部表面包括到所述LED的不电连接到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘赛锦，道格拉斯·A·柯林斯，
申请(专利权)人：紫岳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US