一种碳化硅晶闸管制造技术
Silicon carbide thyristor
The utility model discloses a silicon carbide thyristors, aims to reduce device on resistance and enhance the power characteristics, structure is adopted: including setting from bottom to top P type ohmic contact electrode, P type SiC type N substrate, SiC buffer layer, N SiC layer and the N type drift SiC current enhancement layer, the N type SiC current enhancement layer etched to form a plurality of steps, groove is arranged between adjacent steps, the step is arranged on the top of N SiC ohmic contact layer, the upper N SiC ohmic contact layer is provided with a N type ohmic contact electrode, wherein the groove is arranged in the Schottky electrode and the Schottky electrode contact with the side and bottom of the trench steps.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶闸管
本技术涉及半导体器件以及半导体工艺
，具体涉及一种碳化硅晶闸管。
技术介绍
随着科学技术的迅猛发展，对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。目前使用的功率器件主要由硅等传统半导体材料制成，由于受材料性能的限制，器件的电学性能已经难以持续的大幅提高；而且用这些材料制成的器件不能在高温强辐射等恶劣环境下长期工作，特别是在新能源、汽车电子、航空航天等领域中，传统的硅功率器件已经逐渐难以胜任。在众多新型半导体材料中，碳化硅(SiC)材料以其良好的物理和电学性能成为制造新一代半导体功率器件和电路的首选材料。尤其是高温、高压和高频电力电子应用领域，SiC功率器件更具有硅功率器件难以比拟的优势和潜力。近年来，SiC器件的商用化有了很大的进展，包括Cree、英飞凌、罗姆等多家公司可以提供包括SiCSBD、JFET、MOSFET商用产品，但是SiC功率器件的广泛应用还面临着很多的挑战。特别是SiC全控型功率器件的发展相对较慢，目前市场上只有少数国外公司可以提供种类比较单一的SiC全控型功率器件，而且价格高昂，难以广泛应用于民用领域。在众多的SiC功率器件...
【技术保护点】
一种碳化硅晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极(7)、P型SiC衬底(1)、N型SiC缓冲层(2)、N型SiC漂移层(3)和N型SiC电流增强层(4)，所述N型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层(5)，N型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有N型欧姆接触电极(6)，所述沟槽内设置有肖特基电极(8)，肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部相接触；所述N型SiC缓冲层(2)的厚度为0.5～2.0μm，所述N型SiC漂移层(3)的厚度为材料中空穴扩散长度的0.4～0.9倍，N型SiC电流增强层...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极(7)、P型SiC衬底(1)、N型SiC缓冲层(2)、N型SiC漂移层(3)和N型SiC电流增强层(4)，所述N型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层(5)，N型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有N型欧姆接触电极(6)，所述沟槽内设置有肖特基电极(8)，肖特基电极(8)与台阶侧面和沟槽底部相接触；所述N型SiC缓冲层(2)的厚度为0.5～2.0μm，所述N型SiC漂移层(3)的厚度为材料中空穴扩散长度的0.4～0.9倍，N型SiC电流增强层(4)在沟槽底部的厚度为0.5～2μm，所述台阶高度为1.5～3.5μm，台阶宽度为cm的1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张赞，胡笑钏，高恬溪，张林，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：新型
国别省市：陕西,61
- 暂无相关专利
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