一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，等组成。本实用新型专利技术可以对驱动频率进行调整，使驱动频率更加稳定，从而可以稳定的驱动臭氧管，使臭氧管可以稳定的输出的臭氧，提高空气净化效果。

Driving circuit for overvoltage protection type ozone generator

The utility model discloses an overvoltage protection type ozone generator with drive circuit, which is characterized in that a unidirectional thyristor VS, oscillation chip U, FET MOS, a triode VT1, a triode VT2, T transformer, G ozone tube, etc.. The utility model can adjust the driving frequency so that the driving frequency is more stable, and the ozone tube can be driven stably, so that the ozone can be stably output by the ozone tube, and the air purification effect is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路
本技术涉及空气净化领域，具体是指一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路。
技术介绍
臭氧由于具有强氧化性、环保性、便捷性等优点，在空气净化领域得到了广泛的应用。臭氧发生器是用于制取臭氧气体的装置，其已被广泛的应用到人们的生活当中。然而目前的臭氧发生器的臭氧输出的浓度不稳定，其原因是由于臭氧发生器所采用的驱动电路的驱动频率不稳定所致。因此提供一种可以稳定驱动臭氧发生器的驱动电路则是目前的当务之急。
技术实现思路
本技术的目的在于解决目前臭氧发生器所采用的驱动电路的驱动频率不稳定导致臭氧发生器所输出的臭氧浓度不稳定的缺陷，提供一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路。本技术的目的通过下述技术方案现实：一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与单向晶闸管VS的N极相连接的电容C1，正极与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C2，N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端、P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接的稳压二极管D2，正极与振荡芯片U的RE管脚相连接、负极与振荡芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与电容C3的负极相连接、负极与电容C3的负极相连接的电容C4，正极顺次经电阻R4和电阻R1后与电容C3的正极相连接、负极与电容C4的负极相连接的电容C5，正极与控制芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的电容C7，N极经电阻R5后与电容C7的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接、另一端经电阻R7后与电容C6的负极相连接的电阻R6，串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间的电阻R8，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间的电阻R9，以及串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间的电阻R10组成；所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间；所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接；所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接；所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。所述振荡芯片U为NE555集成芯片。本技术与现有技术相比具有以下优点及有益效果：(1)本技术可以对驱动频率进行调整，使驱动频率更加稳定，从而可以稳定的驱动臭氧管，使臭氧管可以稳定的输出的臭氧，提高空气净化效果。(2)本技术具有过压保护功能，当输入电压出现过压时，可以自动断开电源，从而保护本技术不被过电压损坏。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本技术主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，电容C1，电容C2，电容C3，电容C4，电容C5，电容C6，电容C7，二极管D1，稳压二极管D2，二极管D3，二极管D4，熔断器FU，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9以及电阻R10组成。连接时，电容C1的正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接，负极与单向晶闸管VS的N极相连接。电容C2的正极与单向晶闸管VS的控制端相连接，负极与电容C1的负极相连接。稳压二极管D2的N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端并接9V电压，P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接。电容C3的正极与振荡芯片U的RE管脚相连接，负极与振荡芯片U的GND管脚相连接。电容C4的正极与电容C3的负极相连接，负极与电容C3的负极相连接。电容C5的正极顺次经电阻R4和电阻R1后与电容C3的正极相连接，负极与电容C4的负极相连接。电容C6的正极与控制芯片U的CONT管脚相连接，负极与电容C5的负极相连接。电容C7的正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接，负极与场效应管MOS的栅极相连接。二极管D3的N极经电阻R5后与电容C7的负极相连接，P极与三极管VT2的基极相连接。电阻R6的一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接，另一端经电阻R7后与电容C6的负极相连接。电阻R8的串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间。二极管D4的P极与场效应管MOS的漏极相连接，N极与三极管VT2的基极相连接。电阻R9串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间。电阻R10串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间。所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间。所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接。所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接。所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接。所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。该二极管D1，稳压二极管D2，熔断器FU，电容C1，电容C2，电阻R1，电阻R2以及单向晶闸管VS共同形成过压保护电路；当输入电压出现过电压时，稳压二极管D2呈低阻值状态，电压加入到单向晶闸管的控制端使其导通形成短路，短路电流瞬间将熔断器FU熔断，从而保护电子元件不被损坏。该二极管D1的型号为1N4001，稳压二极管D2的型号为CW136，单向晶闸管VS的型号为3CT1，电容C1和电容C2的容值均为0.01μF，电阻R1的阻值为100KΩ，电阻R2的阻值为220KΩ。该振荡芯片U为NE555集成芯片，场效应管MOS的型号为2SK15，三极管VT1的型号为2SD3061，三极管VT2的型号为2SC600，电容C3的容值为100μF，电容C4的容值为0.01μF，电阻R1的阻值为4.2KΩ，电阻R4的阻值为16KΩ，电容C5和电容C6的容值均为1μF，电容C7的容值为0.1μF，电阻R5的阻值为22KΩ，电阻R6和电阻R7的阻值均为15KΩ，电阻R8的阻值为10KΩ，电阻R9和电阻R10的阻值均为12KΩ；变压器T为升压变压器，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与单向晶闸管VS的N极相连接的电容C1，正极与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C2，N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端、P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接的稳压二极管D2，正极与振荡芯片U的RE管脚相连接、负极与振荡芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与电容C3的负极相连接、负极与电容C3的负极相连接的电容C4，正极顺次经电阻R4和电阻R1后与电容C3的正极相连接、负极与电容C4的负极相连接的电容C5，正极与控制芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的电容C7，N极经电阻R5后与电容C7的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接、另一端经电阻R7后与电容C6的负极相连接的电阻R6，串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间的电阻R8，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间的电阻R9，以及串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间的电阻R10组成；所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间；所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接；所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接；所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种过压保护型臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与单向晶闸管VS的N极相连接的电容C1，正极与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C2，N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端、P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接的稳压二极管D2，正极与振荡芯片U的RE管脚相连接、负极与振荡芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与电容C3的负极相连接、负极与电容C3的负极相连接的电容C4，正极顺次经电阻R4和电阻R1后与电容C3的正极相连接、负极与电容C4的负极相连接的电容C5，正极与控制芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与场效应管MOS的栅极相连接的电容C7，N极经电阻R5后与电容C7的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接、另一端经电阻R7后与电容C6的负...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁毅，俞德军，
申请(专利权)人：成都赛昂电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51