可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，外围电极由第一直线部、第二直线部和弯曲部构成，第一直线部和第二直线部平行，第一直线部的端部和第二直线部的端部通过弯曲部封闭连接，长中心电极位于外围电极的中间，长中心电极与第一直线部、第二直线部平行，第一直线部与第二直线部的长度相同；外围电极与长中心电极之间有隔离硅体，外围电极、长中心电极的下面为p型硅基体，在p型硅基体的底部镀有二氧化硅保护层。本实用新型专利技术的结构简单合理，抗辐射性能强，解决了现有技术中正负电极间的电场分布不均匀，存在弱电场区，单个探测器单元结构的大小对抗辐射性能影响大而使得体积不方便调节的问题。

【技术实现步骤摘要】
可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器
本技术属于高能物理及天体物理
，涉及一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器。
技术介绍
探测器广泛应用于高能物理、天体物理、航空航天、军事、医学等
，在高能物理及天体物理之中，探测器处于强辐照条件下，因此对探测器本身有严格的要求，要求其具有较强的抗辐照能力，且漏电流以及全耗尽电压不能太大，对于其体积的大小也有不同的要求。传统的“三维沟槽电极硅探测器”有许多不足之处：其一，在其正负极之间的电场分布并不均匀，且电场线多是曲线，不是最短的直线，而电子在电场中的运动是沿着电场方向的，进而导致电子的漂移距离增加，随着电子漂移距离的增加，辐射产生的缺陷能级对电子的影响越大，导致电信号的衰减；其二，三维沟槽电极硅探测器常常有弱电场区，电子的速度在弱电场区是很小的，在弱电场区运动的时间长，在强辐射条件下，电信号会迅速衰减；其三，三维沟槽电极硅探测器电极间距的大小变化会影响其抗辐射性能，单个沟槽单元的大小对抗辐射性能影响大，所以三维沟槽电极硅探测器在做成阵列时，探测器单元结构的大小不能随意的增大，不方便调节，这样对其应用产生了很大的局限性。技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，外围电极(7)由第一直线部(8)、第二直线部(9)和弯曲部(10)构成，第一直线部(8)和第二直线部(9)平行，第一直线部(8)的端部和第二直线部(9)的端部通过弯曲部(10)封闭连接，长中心电极(6)位于外围电极(7)的中间，长中心电极(6)与第一直线部(8)、第二直线部(9)平行，第一直线部(8)与第二直线部(9)的长度相同；外围电极(7)与长中心电极(6)之间有隔离硅体(3)，外围电极(7)、长中心电极(6)的下面为p型硅基体(4)，在p型硅基体(4)的底部镀有二氧化硅保护层(5)。

【技术特征摘要】
1.一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，外围电极(7)由第一直线部(8)、第二直线部(9)和弯曲部(10)构成，第一直线部(8)和第二直线部(9)平行，第一直线部(8)的端部和第二直线部(9)的端部通过弯曲部(10)封闭连接，长中心电极(6)位于外围电极(7)的中间，长中心电极(6)与第一直线部(8)、第二直线部(9)平行，第一直线部(8)与第二直线部(9)的长度相同；外围电极(7)与长中心电极(6)之间有隔离硅体(3)，外围电极(7)、长中心电极(6)的下面为p型硅基体(4)，在p型硅基体(4)的底部镀有二氧化硅保护层(5)。2.根据权利要求1所述的一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述长中心电极(6)接负极，外围电极(7)接正极；长中心电极(6)由铝层和重掺杂硼硅层构成，铝层位于最上层，重掺杂硼硅层位于铝层下面；外围电极(7)由铝层和重掺杂磷硅层构成，铝层位于最上层，重掺杂磷硅层位于铝层下面。3.根据权利要求1所述的一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，其特征在于，所述长中心电极(6)接正极，外围电极(7)接负极；长中心电极(6)由铝层和重掺杂磷硅层构成，铝层位于最上层，重掺杂磷硅层位于铝层下面；外围电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正，廖川，唐立鹏，张亚，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：新型
国别省市：湖南,43