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可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器制造技术
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下载可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器的技术资料
文档序号:15845195
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本实用新型公开了一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器,外围电极由第一直线部、第二直线部和弯曲部构成,第一直线部和第二直线部平行,第一直线部的端部和第二直线部的端部通过弯曲部封闭连接,长中心电极位于外围电极的中间,长中心电极与第一直线部...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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