一种晶硅太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶硅太阳能电池结构,包括光电转换层、设置在光电转换层正面的正面电极以及设置在光电转换层背面的背面电极，正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，主栅线之间相互平行设置，副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，第一副栅线垂直于主栅线，第二副栅线用于间断地连接第一副栅线且第二副栅线与主栅线平行；正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域包围第二区域，第二区域包围第三区域，设置在第一区域、第二区域及第三区域的第一副栅线的间距不同。该结构能降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率。并且能缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象，且能防EL断栅。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池结构
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种晶硅太阳能电池结构。
技术介绍
光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。随着浆料网版技术的不断发展，为了提高晶硅太阳能电池的转换效率，都在追求高阻密栅。晶体硅太阳能电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要扩散更高的方阻，配合更细的副栅线印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳能电池转换效率。在进行扩散工艺的过程中，为了追求更高的方阻，方阻的均匀性就会受到影响，导致硅片由四周向中心区域方阻逐渐增大，如果采用传统的晶硅太阳能电池正面电极设计，就不能达到高阻密栅的最佳效果，因此，有必要对晶硅太阳能电池的正面电极进行改进。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种晶硅太阳能电池结构，从而提高晶硅太阳能电池的转换效率。本技术提供如下技术方案：一种晶硅太阳能电池结构,包括光电转换层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池结构,其特征在于，包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，所述主栅线之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，所述第一副栅线垂直于所述主栅线，所述第二副栅线用于间断地连接所述第一副栅线且所述第二副栅线与所述主栅线平行；所述正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的间距不同。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池结构,其特征在于，包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，所述主栅线之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，所述第一副栅线垂直于所述主栅线，所述第二副栅线用于间断地连接所述第一副栅线且所述第二副栅线与所述主栅线平行；所述正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的间距不同。2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的宽度不同。3.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，所述主栅线的数量为1至20条。4.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，所述主栅线的宽度为100至150...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜喜霞，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61