一种晶硅太阳能电池结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶硅太阳能电池结构,包括光电转换层、设置在光电转换层正面的正面电极以及设置在光电转换层背面的背面电极，正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，主栅线之间相互平行设置，副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，第一副栅线垂直于主栅线，第二副栅线用于间断地连接第一副栅线且第二副栅线与主栅线平行；正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域包围第二区域，第二区域包围第三区域，设置在第一区域、第二区域及第三区域的第一副栅线的间距不同。该结构能降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率。并且能缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象，且能防EL断栅。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能电池结构
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种晶硅太阳能电池结构。
技术介绍
光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。随着浆料网版技术的不断发展，为了提高晶硅太阳能电池的转换效率，都在追求高阻密栅。晶体硅太阳能电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要扩散更高的方阻，配合更细的副栅线印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳能电池转换效率。在进行扩散工艺的过程中，为了追求更高的方阻，方阻的均匀性就会受到影响，导致硅片由四周向中心区域方阻逐渐增大，如果采用传统的晶硅太阳能电池正面电极设计，就不能达到高阻密栅的最佳效果，因此，有必要对晶硅太阳能电池的正面电极进行改进。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种晶硅太阳能电池结构，从而提高晶硅太阳能电池的转换效率。本技术提供如下技术方案：一种晶硅太阳能电池结构,包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，所述主栅线之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，所述第一副栅线垂直于所述主栅线，所述第二副栅线用于间断地连接所述第一副栅线且所述第二副栅线与所述主栅线平行；所述正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的间距不同。可选的，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的宽度不同。可选的，所述主栅线的数量为1至20条。可选的，所述主栅线的宽度为100至1500um。可选的，所述主栅线的长度为155至165mm。可选的，所述第一副栅线的数量为50至200根，所述第二副栅线的数量为10-20根。可选的，所述第一副栅线及所述第二副栅线的宽度为15至60um。可选的，所述第一副栅线及所述第二副栅线的长度为10至165mm。可选的，设置于所述第一区域的所述第一副栅线的间距为1.5至4mm，设置于所述第二区域的所述第一副栅线的间距为1.0至3.5mm，设置于所述第三区域的所述第一副栅线间距在0.5至3.0mm。可选的，所述晶硅太阳能电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。本技术由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：1.可以实现在正面电极的不同区域设计不同的第一副栅线宽度和间距，降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率。2.可以实现在正面电极的不同区域设计不同的第一副栅线宽度和间距，缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象。3.通过将副栅线设置为用于垂直主栅线的第一副栅线以及间断地连接第一副栅线且与主栅线平行的第二副栅线，从而使得该栅线结构能防EL断栅，缩短电极栅线结构的边缘到硅片边缘的距离，优化电池外观，避免由于丝网印刷的本身特性和浆料特性导致栅线加粗及断线的不良片产生。附图说明图1为本技术实施例提供的晶硅太阳能电池正面电极结构的结构示意图；图2为本技术实施例提供的晶硅太阳能电池正面电极结构的区域示意图；图中：100-晶硅太阳能电池、101-主栅线、102-第一副栅线、103-第二副栅线、201-第一区域、202-第二区域、203-第三区域具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术提出的晶硅太阳能电池结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参阅图1及图2，本实施例提供的晶硅太阳能电池100，其结构具体包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线101与若干副栅线，所述主栅线101之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线102以及第二副栅线103，所述第一副栅线102垂直于所述主栅线101，所述第二副栅线103用于间断地连接所述第一副栅线102且所述第二副栅线103与所述主栅线101平行；所述正面电极包括第一区域201、第二区域202及第三区域203，所述第一区域201包围所述第二区域202，所述第二区域202包围所述第三区域203，设置在所述第一区域201、所述第二区域202及所述第三区域203的所述第一副栅线102的间距不同。在上述实施例中，设置在所述第一个区域201，所述第二区域202及所述第三区域203的所述第一副栅线102的宽度不同。在上述实施例中，所述主栅线101的数量为1至20条。所述主栅线101的宽度为100至1500um。所述主栅线101的长度为155至165mm。在上述实施例中，所述第一副栅线102的数量为50至200根，所述第二副栅线103的数量为10-20根。在上述实施例中，所述第一副栅线102及所述第二副栅线103的宽度为15至60um。所述第一副栅线102及所述第二副栅线103的长度为10至165mm。在上述实施例中，设置于所述第一区域201的所述第一副栅线102的间距为1.5至4mm，设置于所述第二区域202的所述第一副栅线102的间距为1.0至3.5mm，设置于所述第三区域203的所述第一副栅线102间距在0.5至3.0mm。在上述实施例中，所述晶硅太阳能电池100的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。且所述晶硅太阳能电池100的基材为单晶硅或多晶硅。上述方案可以实现在不同区域设计不同副栅线宽度和间距，降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率，此外缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象。并且通过将副栅线设置为用于垂直主栅线的第一副栅线以及间断地连接第一副栅线且与主栅线平行的第二副栅线，从而使得该栅线结构能防EL断栅，缩短电极栅线结构的边缘到硅片边缘的距离，优化电池外观，避免由于丝网印刷的本身特性和浆料特性导致栅线加粗及断线的不良片产生。上述描述仅是对本技术较佳实施例的描述，并非对本技术范围的任何限定，本
的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池结构,其特征在于，包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，所述主栅线之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，所述第一副栅线垂直于所述主栅线，所述第二副栅线用于间断地连接所述第一副栅线且所述第二副栅线与所述主栅线平行；所述正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的间距不同。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池结构,其特征在于，包括光电转换层、设置在所述光电转换层正面的正面电极以及设置在所述光电转换层背面的背面电极，其中：所述正面电极上设置有若干主栅线与若干副栅线，所述主栅线之间相互平行设置，所述副栅线分为第一副栅线以及第二副栅线，所述第一副栅线垂直于所述主栅线，所述第二副栅线用于间断地连接所述第一副栅线且所述第二副栅线与所述主栅线平行；所述正面电极包括第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的间距不同。2.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，设置在所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域的所述第一副栅线的宽度不同。3.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，所述主栅线的数量为1至20条。4.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池结构，其特征在于，所述主栅线的宽度为100至150...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜喜霞，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61