附加有微制作在管芯中的对准特征的光学框架制造技术

一种光子器件组件包括制作在芯片基底上的光子器件，芯片基底具有制作在其中的物理对准特征，以及将外部光学透镜或互连耦合至光子器件的框架。该框架具有与物理对准特征的互补面邻近的框架面。粘合剂将框架永久固定于由邻近面对准的光子器件上。形成光子器件组件的方法包括在光子器件的芯片基底内微制作物理对准特征，并且通过使耦合面接近制作的物理对准特征的互补面，将框架结合到芯片基底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】附加有微制作在管芯中的对准特征的光学框架
本专利技术的实施例属于单片集成光学部件(IOC)领域，尤其涉及将光学框架附加到芯片或管芯，以将外部光学互连耦合至该芯片。
技术介绍
通信网络在覆盖广度和数据密度上持续增长。这种持续增长的重要实现技术是光学(光子)部件的不断集成。例如，利用波分复用(WDM)来部署城域网和广域网，波分复用使用波长选择滤波器来添加／放弃信道，波长选择滤波器利用超大规模集成(VLSI)制造技术集成在硅衬底或其他半导体基底上。在特定应用中，例如其中IOC芯片是光学收发器的应用中，透镜或其他光学互连(例如，光纤)机械组装在IOC芯片上。一旦透镜被附加，可以附加跳线连接器或相似的机械耦合以创建例如与光纤的光学链接。部件的放置、结合、透镜对准和附加都是费时且繁琐的过程，并且每个都与制造公差相关联。例如，在传统方法中，IOC芯片置于基底上，然后利用带有可视对准系统的拾取和放置设备，将机械耦合对准并且置于芯片上。利用传统的组装技术，在机械耦合器和IOC芯片之间存在显著的位置偏移量(例如公差叠加)。位置偏移会引起性能问题甚至使得封装的IOC不能工作，从而需要重做或废弃光子器件组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成光子器件组件的方法，包括：在芯片基底中微制作物理对准特征，所述芯片基底包括单片集成光子器件；将芯片基底固定到封装基底，以将芯片基底电耦合至封装基底，其中所述芯片基底具有来自所述物理对准特征的第一和第二侧壁面，并且所述固定进一步包括将所述第一和第二侧壁面从封装基底的边缘或表面突出；通过将框架面接近所述物理对准特征的互补面，将框架结合至所述芯片基底，所述框架进一步与外部光学透镜或光学互连耦合；以及在所述框架和所述芯片基底之间施加粘合剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.01 US 13/175,5791.一种形成光子器件组件的方法，包括：在芯片基底中微制作物理对准特征，所述芯片基底包括单片集成光子器件；将芯片基底固定到封装基底，以将芯片基底电耦合至封装基底，其中所述芯片基底具有来自所述物理对准特征的第一和第二侧壁面，并且所述固定进一步包括将所述第一和第二侧壁面从封装基底的边缘或表面突出；通过将框架面接近所述物理对准特征的互补面，将框架结合至所述芯片基底，所述框架进一步与外部光学透镜或光学互连耦合；以及在所述框架和所述芯片基底之间施加粘合剂。2.如权利要求1所述的方法，其中微制作所述物理对准特征进一步包括：在芯片基底的相对端部蚀刻或锯切第一和第二特征；以及将第一和第二结构分开从而将芯片基底同邻近的芯片分离，所述第一和第二侧壁面来自设置在相对的芯片边缘上的第一和第二蚀刻特征中的每一个。3.如权利要求2所述的方法，其中所述物理对准特征包括形成在芯片基底中的v形槽，所述v形槽形成分离后的芯片基底的成角度的边缘表面。4.如权利要求2所述的方法，其中将框架面结合至物理对准特征面进一步包括：通过将第一和第二横向相对框架面接近在芯片基底的边缘上的第一和第二侧壁面，将框架与芯片基底横向对准。5.如权利要求4所述的方法，其中将框架面结合到物理对准特征面进一步包括通过将水平框架面接近芯片基底的器件表面，将框架与芯片基底垂直对准。6.如权利要求1所述的方法，其中粘合剂施加在由结合面限定的间空中，并且作为在芯片基底和封装基底之间的未满填充。7.如权利要求1所述的方法，其中光学透镜或光学互连进一步包括光学透镜，并且所述方法进一步包括将透镜与框架上的对准特征对准。8.一种光子器件组件，包括：形成在芯片基底上的光子器件，所述光子器件芯片具有制作在其中的物理对准特征，其中物理对准特征包括在芯片基底的相对边缘上的第一和第二横向相对侧壁面；电耦合到光子器件的封装基底，其中芯片基底设置在封装基底上，第一和第二横向相对侧壁面从封装基底的边缘或表面突出；框架，将外部光学互连耦合至光子器件，其中框架具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·H·金，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US