Low-k材料激光去除工艺及其设备制造技术

本发明专利技术涉及一种Low‑k材料激光去除工艺及其设备，采用双光束激光分别聚焦后进行加工，一束激光整形成平顶光，对材料中间进行平滑加工，另外一束激光分成两个独立光点，对切割道两边进行修边。由此，将一束激光分成两束，分别进行整形和聚焦，其中一束用来加工中间区域去除中间部分，另外一束用来加工两边，确保加工的底部形貌是平坦的分布，提高加工效果和产品良率。

Low K laser material removal technology and equipment

The present invention relates to a laser Low k material removal technology and equipment, using the dual beam laser focusing respectively after processing, a laser beam shaping a top light, smooth processing of materials, a laser beam is divided into two independent on the spot, cutting on both sides of the road for trimming. Thus, a laser beam into two beams, respectively, shaping and focusing, one beam for the middle area processing to remove the middle part, another beam used for processing on both sides, make sure the bottom topography is flat distribution processing, improve processing efficiency and product yield.

【技术实现步骤摘要】
Low-k材料激光去除工艺及其设备
本专利技术涉及一种微加工方法及其设备，尤其涉及一种Low-k材料激光去除工艺及其设备。
技术介绍
在集成电路及半导体领域，高速电子元器件集成度越来越高，在集成电路内部，由于ILD(InterLayerDielectrics，层间电介质)的存在，导线之间就不可避免地存在分布电容，或者称之为寄生电容。分布电容不仅影响芯片的速度，也对工作可靠性构成严重威胁。从电容器容量计算公式中我们可以看出，在结构不变的情况下，减少电介质的k值，可以减小电容的容量。因此，使用low-k电介质作为ILD，可以有效地降低互连线之间的分布电容，从而可使芯片总体性能提升10％左右。由于low-k材料的松软结构和易渗透性，加上硅衬底上的铜材质的使用，使得传统的刀轮切割已经无法满足工业化需求，由于激光加工是非接触式加工，不会有应力产生，解决了机械接触式加工带来的崩边，效率低下，刀轮损耗大等问题，但是，普通的激光加工设备，由于激光是高斯分布，光束从激光器输出经过传输扩束，然后在聚焦镜下方汇聚，汇聚后的焦点用于材料的表面或者内部进行加工，焦点处的能量分布也是高斯分布，在划线及切割加工，本文档来自技高网...

【技术保护点】
Low‑k材料激光去除工艺，其特征在于：采用双光束激光分别聚焦后进行加工，一束激光整形成平顶光，对材料中间进行平滑加工，另外一束激光分成两个独立光点，对切割道两边进行修边。

【技术特征摘要】
1.Low-k材料激光去除工艺，其特征在于：采用双光束激光分别聚焦后进行加工，一束激光整形成平顶光，对材料中间进行平滑加工，另外一束激光分成两个独立光点，对切割道两边进行修边。2.根据权利要求1所述的Low-k材料激光去除工艺，其特征在于：所述激光的波长为紫外波段，波长为343至355nm。3.根据权利要求1所述的Low-k材料激光去除工艺，其特征在于：所述激光的波长为绿光波段，波长为400至700nm。4.根据权利要求1所述的Low-k材料激光去除工艺，其特征在于：所述激光的波长为红外波段，波长为1025至1090nm。5.根据权利要求1所述的Low-k材料激光去除工艺，其特征在于：所述平顶光为长条形，或是为多元高斯拟合而成的线性形貌。6.Low-k材料激光去除设备，包括有设备支架，所述设备支架上安装有激光器(1)，其特征在于：所述激光器(1)的光路输出端设置有光闸(2)，所述光闸(2)的光路输出端设置有半波片(3)，所述半波片(3)光路输出端设置有偏振分光镜(4)，所述偏振分光镜...

【专利技术属性】
技术研发人员：施心星，韩伟，邵西河，
申请(专利权)人：苏州镭明激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32