支撑结构以及蓝宝石单晶炉制造技术

本实用新型专利技术涉及蓝宝石晶体生长技术领域，尤其涉及一种支撑结构以及蓝宝石单晶炉，该支撑结构包括钼盘、氧化锆砖层和支柱，氧化锆砖层铺设在钼盘的底部；支柱的底端穿设在钼盘和氧化锆砖层，且支柱的顶端与蓝宝石单晶炉的坩埚底部之间具有间隙，这种支撑结构使得蓝宝石单晶炉的系统具有更好的保温效果，减小了单个晶体的功率消耗，晶体中的轴向和径向温度梯度减小，同时减小了晶体中的热应力和位错密度，并且支柱与坩埚底部间距可调，使得底部传热量可以得到调整，进而影响坩埚内部的温度梯度，从而生长出形状理想、内部缺陷少的高质量、高品质的蓝宝石单晶。

Support structure and sapphire single crystal furnace

The utility model relates to the technical field of sapphire crystal growth, especially relates to a support structure and a sapphire crystal furnace, the supporting structure includes molybdenum plate, zirconia brick layer and pillar, zirconia brick laying in the bottom layer of molybdenum plate; the bottom pillar is penetrated in the molybdenum plate and zirconia brick layer, with a gap between and the top and the pillar of the sapphire single crystal furnace at the bottom of the crucible, the supporting structure system makes the sapphire single crystal furnace insulation has better effect, reduces the power consumption of a single crystal, crystal in the axial and radial temperature gradient decreases, at the same time reduce the crystal thermal stress and dislocation density, and at the bottom of the crucible and pillar spacing the bottom is adjustable, the heat transfer can be adjusted, and the influence of the temperature gradient inside the crucible, so the growth of the shape of ideal, small internal defects of high quality, High quality sapphire single crystals.

【技术实现步骤摘要】
支撑结构以及蓝宝石单晶炉
本技术涉及蓝宝石晶体生长
，尤其是涉及支撑结构以及蓝宝石单晶炉。
技术介绍
泡生法是目前生长蓝宝石单晶最广泛使用的方法。泡生法的生长原理和技术特点是将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处于稍高于熔点的状态；使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面，待其表面稍熔后，降低表面温度至熔点，提拉并转动籽晶杆，使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上，在热场形成的特殊温度梯度下，生长出圆柱状晶体。然而，传统泡生法单晶炉还存在各种问题，例如设备的自动化程度较低、辅助材料损耗较大、工艺控制难度大等，进而限制了泡生法晶体生长成品率的提高及成本的降低。为克服传统泡生法单晶炉设计方面的不足，各企业均根据实际生产实践经验，在原有基础上对单晶炉进行了不同程度的改造，形成了具有自身特色的改进后设备与工艺。生长出的高品质蓝宝石单晶不仅与蓝宝石单晶的生长工艺(参数制定)的合理制定有关，单晶炉结构设计所形成的理想温度梯度更是生长高品质、大尺寸蓝宝石单晶的必要条件。坩埚底部的热量传导会直接影响坩埚内部的温度梯度，进而影响晶体的生长。蓝宝石晶体的熔点约为2050℃，在2050本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支撑结构，用于支撑蓝宝石单晶炉，其特征在于，包括：钼盘、氧化锆砖层和支柱，所述氧化锆砖层铺设在所述钼盘的底部；所述支柱的底端穿设在所述钼盘和所述氧化锆砖层，且所述支柱的顶端与蓝宝石单晶炉的坩埚底部之间具有间隙。

【技术特征摘要】
1.一种支撑结构，用于支撑蓝宝石单晶炉，其特征在于，包括：钼盘、氧化锆砖层和支柱，所述氧化锆砖层铺设在所述钼盘的底部；所述支柱的底端穿设在所述钼盘和所述氧化锆砖层，且所述支柱的顶端与蓝宝石单晶炉的坩埚底部之间具有间隙。2.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述支柱距离蓝宝石单晶炉的坩埚底部0.5－5mm。3.根据权利要求1所述的支撑结构，其特征在于，所述钼盘和所述氧化锆砖层的中心分别设置有用于插接所述支柱的同心等径通孔。4.根据权利要求3所述的支撑结构，其特征在于，所述支柱的底端沿着轴向设置有凸起，所述凸起与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戎峻，杨勇，陈翼，吴勇强，
申请(专利权)人：青海晶煜晶体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：青海,63