The utility model discloses a heating device can improve disk carrying MOCVD reaction chamber temperature uniformity, heater chip carrying disk just below the circle and comprises an inner ring, outer ring, the heater is arranged below the multilayer insulation board, insulation board is provided with a reflecting plate, the supporting shaft from the inner ring through, and support the chip carrying disk; the inner surface layer of the inner ring the coverage of thermal radiation. The heater of the utility model is divided into three sections, the uniform temperature distribution of multilayer insulation board; reflection plate and below the reflecting heat back the wafer carrier, increase the uniformity of wafer plate temperature distribution; the inner surface layer of the inner cover heat radiation makes the heater surface emissivity to outer surface emissivity of 1.5 2 times, enhances the heat radiation ability of the supporting shaft of the inner ring, improves the overall uniformity of wafer disc temperature, chip on the disc can be uniformly heated, homogeneous epitaxial growth, increasing yield.
【技术实现步骤摘要】
可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置
本技术涉及一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,属于金属有机物化学气相沉积反应领域。
技术介绍
MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDeposition)设备,即金属有机物化学气相沉积设备,是一种集计算流体力学、热力传导、系统集成控制、化合物生长等各学科于一体的高科技、新技术高度集中的设备,是半导体产业中的关键性设备。在MOCVD设备中,反应腔温度的均匀性是生产高质量薄膜的关键性因素,均匀的反应腔温度直接影响着外延沉积的均匀性和生长界面的陡峭性,以GaN生长为例,一般要求加热器上方的晶片载盘温度高达1200℃,温度控制误差不超过±0.5℃。由于在MOCVD设备中,加热器置于载盘下方,和放置衬底的载盘通常没有直接接触,加热器主要通过通电后产生的热辐射对载盘等部件进行加热,工作时置于加热器中且放置载片盘的支撑轴会带动晶片载盘高速旋转,以便使晶片载盘进一步均匀受热,但是支撑轴导热系数大,导热速度快,尤其是旋转过程中,其散热量更大,使得热量传递到载盘过程中存在一定损失,导致载盘中间区域温度下降,这将影响整体晶片载盘的温度均匀性,不利于晶片的高质量生长。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题,本技术的目的是提供一种能够有效提高邻近支撑轴的加热部件的热辐射能力、保证载盘上的晶片能够均匀受热、保证晶片外延生长均匀、能够提升载盘利用率的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置。为实现上述目的,本技术采用的技术方案是:一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,包括 ...
【技术保护点】
一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,其特征在于,包括反应腔体,所述反应腔体中设有晶片载盘(2)和支撑轴(4),所述晶片载盘(2)的凹槽内设有晶片衬底(1),所述晶片载盘(2)正下方设有加热器(3),加热器(3)下方设有多层隔热板(5),隔热板(5)下设有反射板(6),所述加热器包括内圈(31)、中圈(32)和外圈(33),支撑轴(4)从内圈(31)穿过,并支撑起晶片载盘(2);所述内圈(31)的内表面覆盖热辐射层(7)。
【技术特征摘要】
1.一种可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,其特征在于,包括反应腔体,所述反应腔体中设有晶片载盘(2)和支撑轴(4),所述晶片载盘(2)的凹槽内设有晶片衬底(1),所述晶片载盘(2)正下方设有加热器(3),加热器(3)下方设有多层隔热板(5),隔热板(5)下设有反射板(6),所述加热器包括内圈(31)、中圈(32)和外圈(33),支撑轴(4)从内圈(31)穿过,并支撑起晶片载盘(2);所述内圈(31)的内表面覆盖热辐射层(7)。2.根据权利要求1所述的可提高MOCVD反应腔内载盘温度均匀性的加热装置,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈景升,黎静,田青林,
申请(专利权)人:江苏实为半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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